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十說電容 話說電容之一：電容的作用 作為無源元件之一的電容，其作用不外乎以下幾種： 1、應(yīng)用于電源電路，實現(xiàn)旁路、去藕、濾波和儲能的作用。下面分類詳述之： 1）旁路 旁路電容是為本地器件提供能量的儲能器件，它能使穩(wěn)壓器的輸出均勻化， 降低負載需求。 就像小型可充電電池一樣，旁路電容能夠被充電，并向器件進 行放電。 為盡量減少阻抗，旁路電容要盡量靠近負載器件的供電電源管腳和地 管腳。 這能夠很好地防止輸入值過大而導(dǎo)致的地電位抬高和噪聲。地彈是地連 接處在通過大電流毛刺時的電壓降。 2）去藕 去藕，又稱解藕。 從電路來說， 總是可以區(qū)分為驅(qū)動的源和被驅(qū)動的負載。 如果負載電容比較大， 驅(qū)動電路要把電容充電、放電， 才能完成信號的跳變， 在上升沿比較陡峭的時候， 電流比較大， 這樣驅(qū)動的電流就會吸收很大的電源 電流，由于電路中的電感，電阻（特別是芯片管腳上的電感，會產(chǎn)生反彈），這 種電流相對于正常情況來說實際上就是一種噪聲，會影響前級的正常工作，這就 是所謂的“耦合”。 去藕電容就是起到一個“電池”的作用，滿足驅(qū)動電路電流的變化，避免相 互間的耦合干擾。將旁路電容和去藕電容結(jié)合起來將更容易理解。旁路電容實際也是去藕合的，只是旁路電容一般是指高頻旁路，也就是給高頻的開關(guān)噪聲提高一條低阻抗 泄防途徑。高頻旁路電容一般比較小，根據(jù)諧振頻率一般取0.1µf、0.01µf 等； 而去耦合電容的容量一般較大，可能是10µf 或者更大，依據(jù)電路中分布參數(shù)、 以及驅(qū)動電流的變化大小來確定。 旁路是把輸入信號中的干擾作為濾除對象，而去耦是把輸出信號的干擾作為 濾除對象，防止干擾信號返回電源。這應(yīng)該是他們的本質(zhì)區(qū)別。 3）濾波 從理論上（即假設(shè)電容為純電容）說，電容越大，阻抗越小，通過的頻率也 越高。但實際上超過1µf 的電容大多為電解電容，有很大的電感成份，所以頻 率高后反而阻抗會增大。有時會看到有一個電容量較大電解電容并聯(lián)了一個小電 容，這時大電容通低頻，小電容通高頻。電容的作用就是通高阻低，通高頻阻低 頻。電容越大低頻越容易通過，電容越大高頻越容易通過。具體用在濾波中,大 電容（1000µf）濾低頻，小電容（20pf）濾高頻。曾有網(wǎng)友形象地將濾波電容比作“水塘”。由于電容的兩端電壓不會突變，由此可知，信號頻率越高則衰減越大，可很形象的說電容像個水塘，不會因幾滴水的加入或蒸發(fā)而引起水量的變化。它把電壓的變動轉(zhuǎn)化為電流的變化，頻率越高，峰值電流就越大，從而緩沖了電壓。濾波就是充電，放電的過程。 4）儲能 儲能型電容器通過整流器收集電荷，并將存儲的能量通過變換器引線傳送至 電源的輸出端。 電壓額定值為40～450vdc、電容值在220～150 000µf 之間 的鋁電解電容器（如epcos 公司的 b43504 或b43505）是較為常用的。根據(jù) 不同的電源要求，器件有時會采用串聯(lián)、并聯(lián)或其組合的形式， 對于功率級超 過10kw 的電源，通常采用體積較大的罐形螺旋端子電容器。 2、應(yīng)用于信號電路，主要完成耦合、振蕩/同步及時間常數(shù)的作用： 1）耦合 舉個例子來講，晶體管放大器發(fā)射極有一個自給偏壓電阻，它同時又使信號 產(chǎn)生壓降反饋到輸入端形成了輸入輸出信號耦合， 這個電阻就是產(chǎn)生了耦合的 元件，如果在這個電阻兩端并聯(lián)一個電容， 由于適當(dāng)容量的電容器對交流信號 較小的阻抗，這樣就減小了電阻產(chǎn)生的耦合效應(yīng)，故稱此電容為去耦電容。 2）振蕩/同步 包括rc、lc 振蕩器及晶體的負載電容都屬于這一范疇。 3）時間常數(shù) 這就是常見的 r、c 串聯(lián)構(gòu)成的積分電路。當(dāng)輸入信號電壓加在輸入端時， 電容（c）上的電壓逐漸上升。而其充電電流則隨著電壓的上升而減小。電流通 過電阻（r）、電容（c）的特性通過下面的公式描述： i = (v / r)e - (t / cr) 話說電容之二：電容的選擇 通常，應(yīng)該如何為我們的電路選擇一顆合適的電容呢？筆者認為，應(yīng)基于以 下幾點考慮： 1、靜電容量； 2、額定耐壓； 3、容值誤差； 4、直流偏壓下的電容變化量； 5、噪聲等級； 6、電容的類型； 7、電容的規(guī)格。 那么，是否有捷徑可尋呢？其實，電容作為器件的外圍元件，幾乎每個器件 的 datasheet 或者 solutions，都比較明確地指明了外圍元件的選擇參數(shù)，也 就是說，據(jù)此可以獲得基本的器件選擇要求，然后再進一步完善細化之。 其實選用電容時不僅僅是只看容量和封裝，具體要看產(chǎn)品所使用環(huán)境，特殊 的電路必須用特殊的電容。 下面是 chip capacitor 根據(jù)電介質(zhì)的介電常數(shù)分類， 介電常數(shù)直接影響電 路的穩(wěn)定性。 np0 or ch （k 15000）： 容量穩(wěn)定性較 x7r 差（?c 話說電容之三：電容的分類 電容的分類方式及種類很多，基于電容的材料特性，其可分為以下幾大類： 1、鋁電解電容 電容容量范圍為0.1µf ～ 22000µf，高脈動電流、長壽命、大容量的不二 之選，廣泛應(yīng)用于電源濾波、解藕等場合。 2、薄膜電容 電容容量范圍為0.1pf ～ 10µf，具有較小公差、較高容量穩(wěn)定性及極低的 壓電效應(yīng)，因此是x、y 安全電容、emi/emc 的首選。 3、鉭電容 電容容量范圍為2.2µf ～ 560µf，低等效串聯(lián)電阻（esr）、低等效串聯(lián) 電感（esl）。脈動吸收、瞬態(tài)響應(yīng)及噪聲抑制都優(yōu)于鋁電解電容，是高穩(wěn)定電 源的理想選擇。 4、陶瓷電容 電容容量范圍為0.5pf ～ 100µf，獨特的材料和薄膜技術(shù)的結(jié)晶，迎合了 當(dāng)今“更輕、更薄、更節(jié)能“的設(shè)計理念。 5、超級電容 電容容量范圍為0.022f ～ 70f，極高的容值，因此又稱做“金電容”或者 “法拉電容”。主要特點是：超高容值、良好的充/放電特性，適合于電能存儲 和電源備份。缺點是耐壓較低，工作溫度范圍較窄。 話說電容之四：多層陶瓷電容（mlcc） 對于電容而言，小型化和高容量是永恒不變的發(fā)展趨勢。其中，要數(shù)多層陶 瓷電容（mlcc）的發(fā)展最快。 多層陶瓷電容在便攜產(chǎn)品中廣泛應(yīng)用極為廣泛，但近年來數(shù)字產(chǎn)品的技術(shù)進 步對其提出了新要求。例如，手機要求更高的傳輸速率和更高的性能；基帶處理 器要求高速度、低電壓；lcd 模塊要求低厚度（0.5mm）、大容量電容。 而汽 車環(huán)境的苛刻性對多層陶瓷電容更有特殊的要求：首先是耐高溫，放置于其中的 多層陶瓷電容必須能滿足150℃ 的工作溫度；其次是在電池電路上需要短路失 效保護設(shè)計。 也就是說，小型化、高速度和高性能、耐高溫條件、高可靠性已成為陶瓷電 容的關(guān)鍵特性。 陶瓷電容的容量隨直流偏置電壓的變化而變化。直流偏置電壓降低了介電常 數(shù)， 因此需要從材料方面，降低介電常數(shù)對電壓的依賴，優(yōu)化直流偏置電壓特 性。 應(yīng)用中較為常見的是 x7r（x5r）類多層陶瓷電容， 它的容量主要集中在 1000pf 以上，該類電容器主要性能指標是等效串聯(lián)電阻（esr），在高波紋電 流的電源去耦、濾波及低頻信號耦合電路的低功耗表現(xiàn)比較突出。 另一類多層陶瓷電容是 c0g 類，它的容量多在 1000pf 以下， 該類電容 器主要性能指標是損耗角正切值 tgδ(df)。傳統(tǒng)的貴金屬電極（nme）的 c0g 產(chǎn)品 df 值范圍是 (2.0 ～ 8.0) × 10-4，而技術(shù)創(chuàng)新型賤金屬電極（bme）的 c0g 產(chǎn)品 df 值范圍為 (1.0 ～ 2.5) × 10-4， 約是前者的 31 ～ 50%。 該 類產(chǎn)品在載有 t/r 模塊電路的 gsm、cdma、無繩電話、藍牙、gps 系統(tǒng)中 低功耗特性較為顯著。較多用于各種高頻電路，如振蕩/同步器、定時器電路等。 話說電容之五：鉭電容替代電解電容的誤區(qū) 通常的看法是鉭電容性能比鋁電容好，因為鉭電容的介質(zhì)為陽極氧化后生成 的五氧化二鉭，它的介電能力（通常用ε 表示）比鋁電容的三氧化二鋁介質(zhì)要高。 因此在同樣容量的情況下，鉭電容的體積能比鋁電容做得更小。（電解電容的電 容量取決于介質(zhì)的介電能力和體積，在容量一定的情況下，介電能力越高，體積 就可以做得越小，反之，體積就需要做得越大）再加上鉭的性質(zhì)比較穩(wěn)定，所以 通常認為鉭電容性能比鋁電容好。 但這種憑陽極判斷電容性能的方法已經(jīng)過時了，目前決定電解電容性能的關(guān) 鍵并不在于陽極，而在于電解質(zhì)，也就是陰極。因為不同的陰極和不同的陽極可 以組合成不同種類的電解電容，其性能也大不相同。采用同一種陽極的電容由于 電解質(zhì)的不同，性能可以差距很大，總之陽極對于電容性能的影響遠遠小于陰極。 還有一種看法是認為鉭電容比鋁電容性能好，主要是由于鉭加上二氧化錳陰 極助威后才有明顯好于鋁電解液電容的表現(xiàn)。如果把鋁電解液電容的陰極更換為 二氧化錳， 那么它的性能其實也能提升不少。 可以肯定，esr 是衡量一個電容特性的主要參數(shù)之一。 但是，選擇電容， 應(yīng)避免 esr 越低越好，品質(zhì)越高越好等誤區(qū)。衡量一個產(chǎn)品，一定要全方位、 多角度的去考慮，切不可把電容的作用有意無意的夸大。 ---以上引用了部分網(wǎng)友的經(jīng)驗總結(jié)。 普通電解電容的結(jié)構(gòu)是陽極和陰極和電解質(zhì)，陽極是鈍化鋁，陰極是純鋁， 所以關(guān)鍵是在陽極和電解質(zhì)。陽極的好壞關(guān)系著耐壓電介系數(shù)等問題。 一般來說，鉭電解電容的esr 要比同等容量同等耐壓的鋁電解電容小很多， 高頻性能更好。如果那個電容是用在濾波器電路（比如中心為50hz 的帶通濾波 器）的話，要注意容量變化后對濾波器性能（通帶...）的影響。 話說電容之六：旁路電容的應(yīng)用問題 嵌入式設(shè)計中，要求 mcu 從耗電量很大的處理密集型工作模式進入耗電量 很少的空閑/休眠模式。這些轉(zhuǎn)換很容易引起線路損耗的急劇增加，增加的速率 很高，達到 20a/ms 甚至更快。通常采用旁路電容來解決穩(wěn)壓器無法適應(yīng)系統(tǒng)中高速器件引起的負載變化，以確保電源輸出的穩(wěn)定性及良好的瞬態(tài)響應(yīng)。旁路電容是為本地器件提供能量的儲能器件，它能使穩(wěn)壓器的輸出均勻化，降低負載需求。就像小型可充電電池一樣，旁路電容能夠被充電，并向器件進行放電。為盡量減少阻抗，旁路電容要盡 量靠近負載器件的供電電源管腳和地管腳。這能夠很好地防止輸入值過大而導(dǎo)致 的地電位抬高和噪聲。地彈是地連接處在通過大電流毛刺時的電壓降。 應(yīng)該明白，大容量和小容量的旁路電容都可能是必需的，有的甚至是多個陶 瓷電容和鉭電容。這樣的組合能夠解決上述負載電流或許為階梯變化所帶來的問 題，而且還能提供足夠的去耦以抑制電壓和電流毛刺。在負載變化非常劇烈的情 況下，則需要三個或更多不同容量的電容，以保證在穩(wěn)壓器穩(wěn)壓前提供足夠的電 流?？焖俚乃矐B(tài)過程由高頻小容量電容來抑制，中速的瞬態(tài)過程由低頻大容量來 抑制，剩下則交給穩(wěn)壓器完成了。 還應(yīng)記住一點，穩(wěn)壓器也要求電容盡量靠近電壓輸出端。 話說電容之七：電容的等效串聯(lián)電阻esr 普遍的觀點是：一個等效串聯(lián)電阻（esr）很小的相對較大容量的外部電容 能很好地吸收快速轉(zhuǎn)換時的峰值（紋波）電流。但是，有時這樣的選擇容易引起 穩(wěn)壓器（特別是線性穩(wěn)壓器 ldo）的不穩(wěn)定，所以必須合理選擇小容量和大容 量電容的容值。永遠記住，穩(wěn)壓器就是一個放大器，放大器可能出現(xiàn)的各種情況 它都會出現(xiàn)。 由于 dc/dc 轉(zhuǎn)換器的響應(yīng)速度相對較慢，輸出去耦電容在負載階躍的初始 階段起主導(dǎo)的作用，因此需要額外大容量的電容來減緩相對于 dc/dc 轉(zhuǎn)換器 的快速轉(zhuǎn)換，同時用高頻電容減緩相對于大電容的快速變換。通常，大容量電容 的等效串聯(lián)電阻應(yīng)該選擇為合適的值，以便使輸出電壓的峰值和毛刺在器件的 dasheet 規(guī)定之內(nèi)。 高頻轉(zhuǎn)換中，小容量電容在 0.01µf 到0.1µf 量級就能很好滿足要求。表 貼陶瓷電容或者多層陶瓷電容（mlcc）具有更小的 esr。另外，在這些容值 下，它們的體積和 bom 成本都比較合理。如果局部低頻去耦不充分，則從低 頻向高頻轉(zhuǎn)換時將引起輸入電壓降低。電壓下降過程可能持續(xù)數(shù)毫秒，時間長短 主要取決于穩(wěn)壓器調(diào)節(jié)增益和提供較大負載電流的時間。 用 esr 大的電容并聯(lián)比用 esr 恰好那么低的單個電容當(dāng)然更具成本效 益。然而,這需要你在 pcb 面積、器件數(shù)目與成本之間尋求折衷。 話說電容之八：電解電容的電參數(shù) 這里的電解電容器主要指鋁電解電容器，其基本的電參數(shù)包括下列五點： 1、電容值 電解電容器的容值，取決于在交流電壓下工作時所呈現(xiàn)的阻抗。因此容值， 也就是交流電容值，隨著工作頻率、電壓以及測量方法的變化而變化。在標準 jisc 5102 規(guī)定：鋁電解電容的電容量的測量條件是在頻率為 120hz，最大交 流電壓為 0.5vrms，dc bias 電壓為1.5 ～ 2.0v 的條件下進行?？梢詳嘌?， 鋁電解電容器的容量隨頻率的增加而減小。 2、損耗角正切值 tan δ 在電容器的等效電路中，串聯(lián)等效電阻 esr 同容抗 1/ωc 之比稱之為 ta n δ， 這里的 esr 是在 120hz 下計算獲得的值。顯然，tan δ 隨著測量頻率 的增加而變大，隨測量溫度的下降而增大。 3、阻抗 z 在特定的頻率下，阻礙交流電流通過的電阻即為所謂的阻抗（ z ）。它與電 容等效電路中的電容值、電感值密切相關(guān)，且與 esr 也有關(guān)系。 z = √ [esr2 + (xl - xc)2 ] 展峻的筆記  http://xabai.9 式中，xc = 1 / ωc = 1 / 2πfc xl = ωl = 2πfl 電容的容抗（xc）在低頻率范圍內(nèi)隨著頻率的增加逐步減小，頻率繼續(xù)增加 達到中頻范圍時電抗（xl）降至 esr 的值。當(dāng)頻率達到高頻范圍時感抗（xl） 變?yōu)橹鲗?dǎo)，所以阻抗是隨著頻率的增加而增加。 4、漏電流 電容器的介質(zhì)對直流電流具有很大的阻礙作用。然而，由于鋁氧化膜介質(zhì)上 浸有電解液，在施加電壓時，重新形成的以及修復(fù)氧化膜的時候會產(chǎn)生一種很小 的稱之為漏電流的電流。通常，漏電流會隨著溫度和電壓的升高而增大。 5、紋波電流和紋波電壓 在一些資料中將此二者稱做“漣波電流”和“漣波電壓”，其實就是 ripple current，ripple voltage。 含義即為電容器所能耐受紋波電流/電壓值。 它們和 esr 之間的關(guān)系密切，可以用下面的式子表示： urms = irms × r 式中，vrms 表示紋波電壓 irms 表示紋波電流 r 表示電容的 esr 由上可見，當(dāng)紋波電流增大的時候，即使在 esr 保持不變的情況下，漣波 電壓也會成倍提高。換言之，當(dāng)紋波電壓增大時，紋波電流也隨之增大，這也是 要求電容具備更低 esr 值的原因。疊加入紋波電流后，由于電容內(nèi)部的等效串 連電阻（esr）引起發(fā)熱，從而影響到電容器的使用壽命。一般的，紋波電流與 頻率成正比，因此低頻時紋波電流也比較低。 話說電容之九：電容器參數(shù)的基本公式 1、容量（法拉） 英制： c = ( 0.224 × k · a) / td 公制： c = ( 0.0884 × k · a) / td 2、電容器中存儲的能量 e = ½ cv2 3、電容器的線性充電量 i = c (dv/dt) 4、電容的總阻抗（歐姆） z = √ [ rs 2 + (xc – xl)2 ] 5、容性電抗（歐姆） xc = 1/(2πfc) 6、相位角 ф 理想電容器：超前當(dāng)前電壓 90º 理想電感器：滯后當(dāng)前電壓 90º 理想電阻器：與當(dāng)前電壓的相位相同 7、耗散系數(shù) (%) d.f. = tan δ （損耗角） = esr / xc = (2πfc)(esr) 8、品質(zhì)因素 q = cotan δ = 1/ df 9、等效串聯(lián)電阻esr（歐姆） esr = (df) xc = df/ 2πfc 10、功率消耗 power loss = (2πfcv2) (df) 11、功率因數(shù) pf = sin δ (loss angle) – cos ф (相位角) 12、均方根 rms = 0.707 × vp 13、千伏安kva （千瓦） kva = 2πfcv2 × 10-3 14、電容器的溫度系數(shù) t.c. = [ (ct – c25) / c25 (tt – 25) ] × 106 15、容量損耗(%) cd = [ (c1 – c2) / c1 ] × 100 16、陶瓷電容的可靠性 l0 / lt = (vt / v0) x (tt / t0)y 17、串聯(lián)時的容值 n 個電容串聯(lián)：1/ct = 1/c1 + 1/c2 + …. + 1/cn 兩個電容串聯(lián)：ct = c1 · c2 / (c1 + c2) 18、并聯(lián)時的容值 ct = c1 + c2 + …. + cn 19、重復(fù)次數(shù)（againg rate） a.r. = % ?c / decade of time 上述公式中的符號說明如下： k = 介電常數(shù) a = 面積 td = 絕緣層厚度 v = 電壓 t = 時間 rs = 串聯(lián)電阻 f = 頻率 l = 電感感性系數(shù) δ = 損耗角 ф = 相位角 l0 = 使用壽命 lt = 試驗壽命 vt = 測試電壓 v0 = 工作電壓 tt = 測試溫度 t0 = 工作溫度 x , y = 電壓與溫度的效應(yīng)指數(shù)。 話說電容之十：電源輸入端的x,y 安全電容 在交流電源輸入端，一般需要增加三個電容來抑制emi 傳導(dǎo)干擾。 交流電源的輸入一般可分為三根線：火線（l）/零線（n）/地線（g）。在 火線和地線之間及在零線和地線之間并接的電容，一般稱之為y 電容。這兩個y 電容連接的位置比較關(guān)鍵，必須需要符合相關(guān)安全標準，以防引起電子設(shè)備漏電 或機殼帶電，容易危及人身安全及生命，所以它們都屬于安全電容，要求電容值 不能偏大，而耐壓必須較高。一般地，工作在亞熱帶的機器，要求對地漏電電流 不能超過0.7ma；工作在溫帶機器，要求對地漏電電流不能超過0.35ma。因此， y 電容的總?cè)萘恳话愣疾荒艹^4700pf。 特別提示：y 電容為安全電容，必須取得安全檢測機構(gòu)的認證。y 電容的耐 壓一般都標有安全認證標志和ac250v 或ac275v 字樣，但其真正的直流耐壓 高達5000v 以上。因此，y 電容不能隨意使用標稱耐壓ac250v，或dc400v 之類的普通電容來代用。 在火線和零線抑制之間并聯(lián)的電容，一般稱之為x 電容。由于這個電容連接 的位置也比較關(guān)鍵，同樣需要符合安全標準。因此，x 電容同樣也屬于安全電容 之一。x 電容的容值允許比y 電容大，但必須在x 電容的兩端并聯(lián)一個安全電 阻，用于防止電源線拔插時，由于該電容的充放電過程而致電源線插頭長時間帶 電。安全標準規(guī)定，當(dāng)正在工作之中的機器電源線被拔掉時，在兩秒鐘內(nèi)，電源 線插頭兩端帶電的電壓(或?qū)Φ仉娢?必須小于原來額定工作電壓的30%。 同理，x 電容也是安全電容，必須取得安全檢測機構(gòu)的認證。x 電容的耐壓 一般都標有安全認證標志和ac250v 或ac275v 字樣，但其真正的直流耐壓高 達2000v 以上，使用的時候不要隨意使用標稱耐壓ac250v，或dc400v 之類 的的普通電容來代用。 x 電容一般都選用紋波電流比較大的聚脂薄膜類電容，這種電容體積一般都 很大，但其允許瞬間充放電的電流也很大，而其內(nèi)阻相應(yīng)較小。普通電容紋波電 流的指標都很低，動態(tài)內(nèi)阻較高。用普通電容代替x 電容，除了耐壓條件不能 滿足以外，一般紋波電流指標也是難以滿足要求的。 實際上，僅僅依賴于y 電容和x 電容來完全濾除掉傳導(dǎo)干擾信號是不太可能 的。因為干擾信號的頻譜非常寬，基本覆蓋了幾十khz 到幾百mhz，甚至上千 mhz 的頻率范圍。通常，對低端干擾信號的濾除需要很大容量的濾波電容，但 受到安全條件的限制，y 電容和x 電容的容量都不能用大；對高端干擾信號的濾 除，大容量電容的濾波性能又極差，特別是聚脂薄膜電容的高頻性能一般都比較 差，因為它是用卷繞工藝生產(chǎn)的，并且聚脂薄膜介質(zhì)高頻響應(yīng)特性與陶瓷或云母 相比相差很遠，一般聚脂薄膜介質(zhì)都具有吸附效應(yīng)，它會降低電容器的工作頻率， 聚脂薄膜電容工作頻率范圍大約都在1mhz 左右，超過1mhz 其阻抗將顯著增 加。 因此，為抑制電子設(shè)備產(chǎn)生的傳導(dǎo)干擾，除了選用y 電容和x 電容之外，還 要同時選用多個類型的電感濾波器，組合起來一起濾除干擾。電感濾波器多屬于 低通濾波器，但電感濾波器也有很多規(guī)格類型，例如有：差模、共模，以及高頻、 低頻等。每種電感主要都是針對某一小段頻率的干擾信號濾除而起作用，對其它 頻率的干擾信號的濾除效果不大。通常，電感量很大的電感，其線圈匝數(shù)較多， 那么電感的分布電容也很大。高頻干擾信號將通過分布電容旁路掉。而且，導(dǎo)磁 率很高的磁芯，其工作頻率則較低。目前，大量使用的電感濾波器磁芯的工作頻 率大多數(shù)都在75mhz 以下。對于工作頻率要求比較高的場合，必須選用高頻環(huán) 形磁芯，高頻環(huán)形磁芯導(dǎo)磁率一般都不高，但漏感特別小，比如，非晶合金磁芯， 坡莫合金等。 |
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