寫在前面：本篇提到的思路或是方法，作為集顯主板硬件優(yōu)化的技術，原則上適用于所有集顯主板，筆者將力圖討論技術本身而不是硬件本身；但由于任何硬件技術都存有相應的硬件載體，因而出現帶有主板生產商自身特征的信息是不可避免的，對此大家僅作參考，而在行文的過程中筆者也將盡量回避。

　　基于用戶認可度和產品行情這兩個方面，筆者將討論重點設定為AMD 790GX芯片組，對于這款號稱“史上最強規(guī)格”的集顯芯片組，各大傳媒上的介紹可謂是汗牛充棟------筆者就此略過，只提關鍵性的一點：相較于其前代780G芯片組，790GX芯片組普遍采用了板載顯存的做法，由于板載顯存的引入，由此導致了超頻后花屏的現象，提升性能的同時解決花屏現象，顯然這也是優(yōu)化集顯的主旨所在，故在本篇就其方法也有所得及。

　　但是，作為一門較為系統(tǒng)的技術，所牽涉的內容是比較繁雜的，要對進行一一細致的論述，顯然是不十分現實的；因此，筆者在本篇主要立足于“授人以魚，不如授之以漁”，從原理入手，既講方法，對優(yōu)化的思路也有所涉及，力求讀者朋友牚握相關方法的同時，也能明白方法所依托的原理。

　　為了讀者們能夠有一個較清楚的認識，先進行理論探討，深化認識之后，再進行技術操作。

　　從理論上來看，集成顯示核心與一般的顯卡的工作原理是一樣的。為三部分：數據處理（GPU）、數據存儲（顯存）與數據傳遞（總線），差別就在于各部分所依托的硬件載體不同；如圖1所示，對K8/K10架構而言，板載GPU與CPU之前通過HT總線互連，GPU通過訪問集成在CPU內部的內存控制器，讀取被共享為顯存的內存中的數據。如此，按提升獨顯性能的常規(guī)思路，只需提升GPU的數據處理能力，并同時提升數據傳輸的帶寬，即可獲得性能上的提升；同理，用同樣的思路，也可以提升集顯的性能。

圖1 NV的C51芯片組架構圖

　　從硬件上來看，集顯工作部分實體為：計算部分，即板載的顯示核心GPU；數據傳輸部分，對于K8/K10平臺而言是HT總線，Intel平臺為FSB前端總線；數據存儲部分，為共享為顯存的內存。這樣，由前面的講解，將自然地推導出這樣的規(guī)律：只需提升顯示核心和內存的頻率就可以實現集顯性能的提升。---這無疑是正確的，但卻不是全部----實際操作發(fā)現，簡單的套用所帶來的性能提升十分有限。

　　原因何在？答案是HT總線。，出于習慣地將集成顯示等效為獨立顯卡，卻忽視了另一至關重要的因素，那就是數據傳輸。我們知道，AMD自754平臺開始，拋棄了前端總線架構，轉而使用HT總線作為CPU與其他芯片進行數據交換的載體，由于工藝的原因，早期的K8系列主板并不能承受過高的HT總線，這導致絕大數的用戶都習慣性將HT總線倍頻降低，以提高CPU的外頻表現。由于忽視了集顯數據傳輸也同樣依托于HT總線，從而導致雖然GPU的數據處理能力提升，內存可提供的數據帶寬攀升，但兩者之間的數據交換通道地是十分狹隘-----這顯然好比水庫要泄洪，雖然河道十分寬闊，但是閘門的開口太小，泄洪無法高效進行。

　　筆者于2007年使用A690G芯片組偶然之間的發(fā)現存在這樣的規(guī)律，并在之后的一段時間沉迷于對于這一發(fā)現的證明與拓廣之中。相對于人們常識性地提升核心與內存頻率的方法而言，這個發(fā)現確實是更具備本質性，因為它不僅是為理論解釋提供了素材，也為集顯優(yōu)化技術提供了指導。

　　經過漫長的測試，根據集顯三個組成部分的對應因素，將影響集顯性能的因素按影響因子由大到小排列為：集成顯示核心頻率＞HT總線頻率＞內存頻率與內存參數＞CPU主頻。需要指出的是，對于不同的平臺，各個因素的影響因子并不一致，但是其順序的非列卻是基本一致的。與此同時，在這需要更正一個人們長期以來的成見，即認為CPU主頻幾乎不影禹集顯的性能，---對于INTEL平臺這也許是成立，但對于AMD平臺而言，由于CPU頻率攀升帶來內存訪問延遲的降低以及內存帶寬的提升----這在某種程度等效于提高內存頻率和優(yōu)化時序---同樣也能帶著集顯性能的提升。

　　790GX集顯的優(yōu)化操作立足于兩點：第一，由于790GX對帶寬的要求較高，顯示帶寬的提升帶來的性能提升是十分巨大的，這就意味著人，搭載K10（HT3.0）處理器的790GX平臺，相對于搭載K8處理器（HT總線為2.0）的平臺，將獲得更高的性能表現；第二，790GX板載顯存所帶來的影響是兩面的，雖然可以帶來性能的攀升，但同時也引入超外頻時花屏的現象（關閉板載顯存雖然可以根除花屏現象，但卻不是理想的優(yōu)化集顯的方法）。

圖2 790GX的架構圖

　　因此，優(yōu)化的重點就必然緊在這兩個方面：提升帶寬和解決花屏現象，其中首要解決的就是顯卡花屏現象，因為超外頻時花屏現象不解決，外頻無法提升，HT總線頻率和內存頻率都無法得到提升。在得出結論之前，筆者就手頭上的一塊790GX主板進行實現一個試驗。作一點補充，該主板板載容量128M，默認頻率為1066的三星顆粒顯存。

圖3 板載三星1066顯存顆粒
　筆者能過BIOS內選定某一顯存分頻，然后在windows下軟拉提高外頻，得到某顯存外頻下對應的最高不花屏外頻數值，列表1。

　得到計算最高外頻的線性公式：

　　最高外頻=板載顯存極限頻率÷(BIOS內顯存分頻/cpu的默認外頻)×2。

　　其中，BIOS內顯存分頻一般為400Mhz、533Mhz、667Mhz這幾個選項;K8/K10 CPU的默認外頻為200Mhz;板載顯存的最高頻率可以按照板載顯存默認頻率稍微放大（廠商出于穩(wěn)定性的需要，會保留一定的余量）。當然也可以根據如下方法得顯存極限頻率:

1. 在BIOS將顯存頻率設為一定值，比如說我們可以設成400Mhz（等效于800Mhz）。

2. 以10Mhz為步進逐級提升外頻，至花屏為止，然后此基礎上將外頻降低10Mhz，使用二分法求得在此設定下最高外頻。例如我們假定主板在270外頻下花屏，取260與270之平均值265Mhz，觀察是否花屏；如不，則取265與270之均值，如花屏，則取265與250的平均值。如此循環(huán)，直到外頻不變。

3. 記錄下此時的外頻值，按照前面所提的反推。假定主板在265外頻不花屏，則此顯存的最高頻率為：265×（400÷200）×2=1060Mhz.

　　如此，則可以根據此顯存頻率求得不同顯存頻率設定下的最高外頻。

圖4 顯存頻率選項

　　不難發(fā)現，板載顯存體質越好，在相同的設定下極限外頻就越高，這也就是為何板載DDR3的主板具備更好的外頻表現的原因所在；那么對于板載DDR2顯存的主板的用戶，就沒有什么別的方法可以提升外頻了么？結論是NO!具體方法有二：

1. 通過要求廠商在BIOS內增加顯存頻率333Mhz甚至更低的選項,按照公式，BIOS內顯存頻率設定值越低，開啟板載的極限外頻就越高；

2. 軟改顯存頻率，最新的AMD OverDrive2.0.14軟件提供了顯示核心和顯示頻率的調節(jié)功能。使時需要注意的是，一定在在BIOS內將顯示核心頻率設定置為默認。

圖5 AOD軟件調節(jié)界面

　　有了前面的前面的準備工作，這樣我們就可以根據需要選定自己需要的外頻值，尋求最優(yōu)的設定參數。

　　外頻設定：對于影響集顯性能五大項目，其中集卡核心頻率和內存的參數是獨立的，調其中任意一個項目不會影響其他項目，而另外三項卻是相互關聯，三者的組合起來將產生多種設定；對于優(yōu)化者而言，自然是希望各個參數均是極優(yōu)的，以達到理想的性能，然而在實際中并非所有的最優(yōu)參數所由一種設定實現-----這樣，就需求尋找各個互相制衡中的參數的平衡點。

　　舉例而言，對一顆極限在3.4G的K8 CPU，我們該如何選擇外頻和倍頻的配置，既能發(fā)揮出內存的性能，又能讓HT總線足夠高。這需要相當的技巧，并且需要根據具體情況進行具體的分析。假定內存足夠好，6分頻比是最理想的，此時內存頻率為3400÷6=566，等效為1132Mhz，當然前提是內存能夠在該頻率下穩(wěn)定；接下來就需要選持合適的外頻，是選擇261*13，還是340*10，或是400*8.5，以提升HT總線頻率為標準：HT總線為5X，如果主板能夠承受2000Mhz的HT總線頻率（實際上790GX主板具備此種能力），顯然是外頻越高越好；于是就得到這樣的一組參數：外頻400、倍頻8.5、內存分頻（不是分頻比）為DDR667、HT總線倍頻為5X（或1000Mhz）---一個初步的優(yōu)化方案形成。

　　因此可以總結出如下思想方法：首先，熟知CPU、內存和主板的三者體質，這是優(yōu)化的前提；第二，HT總線倍頻保持為5X，根據CPU頻率選持合理的外頻和倍頻，理論上是倍頻越低越好，以得到高外頻；第三，根據倍頻和內存體質選擇合理的分頻比，繼而設定相應的分頻。

　　內存優(yōu)化：由于各廠商推出的BIOS中內存參數選項不盡相同，所以難以統(tǒng)一論述，只以memset為例，對部分重要的參數進行講解，得出這些參數的影響規(guī)律花費的時間無疑是最多的。

圖6 Memset軟件

　　對于tCL、tRTC、tRP、tRAS、tRC幾個參數，大家是十分熟悉的,這即是大家熟悉的“大參”，不待我說，在不影響穩(wěn)定的前提下，盡量將延遲優(yōu)化至最低。對比測試發(fā)現，tCL的影響因子是最大的，因而保證穩(wěn)定性的前提下，首先考慮優(yōu)化該參數。

　　而對于一些小參，大家想必是十分陌生的，現將最重要的幾個小參羅列出來：

Refresh Mode Select（tRC）： 該參數對帶寬的影響十分嚴重；將其設為15.6us（內存默認為7.8us），將帶來3D性能十分顯著地提升。

Write to write delay(tWRWR)：其對性能影響的程度不亞于tRC，黙認為2，將其設為1可帶來集顯性能的顯著提升。

Read/Write Queue Bypass：該參數對于帶寬有一定的影響；默認為8X，值設為16X性能較優(yōu)。

Queue ByPass Max：對帶寬有一定影響；默認為7，值越大越好，推薦設為10以上。

Max Asynchrone lantency：默認隨主板不同而不同；越小越好，一般不能低于6ns，7ns是筆者主板的合適值。

Idle Cycle limit：根據主板不同而不同，默認為16，實際上可以設為64或更大，對性能有輕微的影響。

　　至于其他參數，對性能的影響并不是十分明顯。按照值越小，性能越好的思路優(yōu)化即可。

板載顯存優(yōu)化：對顯存的工作模式以及相應參數的設定，將極大提示集顯性能。

優(yōu)化思路如下：

1. 必須開啟板載顯存。經多次測試對比發(fā)現，對于K8平臺而言，開啟板載顯存將帶來14%左右的性能提升；

2. UMA-SP Interleave Mode（板載顯存-共享內存交互模式）設定為Inter leave ratio（顯存與共享顯存之比）為1：3，Inter leave size（顯存容量）為128M，該參數性能最佳。

3. 對比測試發(fā)現，在系統(tǒng)內存為2G的條件下，共享內存設為512M性能最優(yōu)。

Inter leave size設定

Inter leave ratio設定

附：以上每個參數的對照測試均進行三遍以上，其真實性應是毋庸置疑的。

　　通過筆者的反復調試，最終在373外頻，9倍頻，HT總線頻率1865Mhz，內存頻率1120Mhz，顯示核心為1090Mhz下，將3D Mark06成績提升至2684分；而一顆搭配5000+，2G雙通道DDR800內存的790GX主板的默認成績約為1400分左右，性能幅度提升喜人。

　　至此，本文的介紹即已告一段落。超頻無止境，技術的進步是永不會停止的，在這個技術更新日新月異的時代，希望筆者一篇小說，能為讀者朋友們的集顯優(yōu)化策略提供一點淺薄的參考，也希望各位讀者朋友不吝賜教，以期技術共同進步。