關于SDRAM，SRAM，F(xiàn)LASH，EPCS

在FPGA開發(fā)板上除了內部onchip memory，都有幾種不同的存儲器，比如SDRAM，SRAM，F(xiàn)LASH，EPCS。

1.EPCS

        FPGA只是一個裝載軟核配置信息的一個工具，它是基于SRAM的查找表，上電的時候需要重新配置，因此一定需要一個配置芯片。一般來說Altera公司Cyclone或者CycloneII系列FPGA相應的配置器件會選擇EPCS系列串行FLASH。一般使用AS模式下載EPCS系列器件。但有時候可能遇到AS模式不能成功下載的案例，原理圖以及PCB板都是按照推薦電路設計，這時候我們可以通過Flash Loader檢驗EPCS器件是否良好。即通過JTAG方式下載EPCS系列器件。如果這種方式還是不能進行正確的AS模式的下載的話，可能EPCS器件本身已經不能正常工作了，此時可以建議更換配置芯片了。

在AS模式下，由目標FPGA來主動輸出控制和同步信號（包括配置始終）給Altera專用的串行配置芯片EPCS*。

2.FLASH

        屬于EEPROM(電擦除可編程只讀存儲器)，一種不揮發(fā)性（Non-Volatile ）內存，在沒有電流供應的條件下也能夠長久地保持數(shù)據，其存儲特性相當于硬盤，這項特性正是閃存得以成為各類便攜型數(shù)字設備的存儲介質的基礎。

        在FPGA開發(fā)板中一般用來存儲應用程序（C程序等）。用戶可以將程序或用戶數(shù)據燒寫入Flash，可以通過NiosII IDE中提供的工具“Flash Programmer”來實現(xiàn)，非常方便，當然也可以自己寫代碼來將數(shù)據燒寫入Flash。

3.SDRAM
         SDRAM是多Bank結構，例如在一個具有兩個Bank的SDRAM的模組中，其中一個Bank在進行預充電期間，另一個Bank卻馬上可以被讀取，這樣當進行一次讀取后，又馬上去讀取已經預充電Bank的數(shù)據時，就無需等待而是可以直接讀取了。這也就大大提高了存儲器的訪問速度。為了實現(xiàn)這個功能，SDRAM需要增加對多個Bank的管理，實現(xiàn)控制其中的Bank進行預充電。在一個具有兩個以上Bank的SDRAM中，一般會多一根叫做BAn的引腳，用來實現(xiàn)在多個Bank之間的選擇。在FPGA開發(fā)板中一般作為NIOS 處理器的RAM和程序運行空間。
4.SRAM
        一個SRAM中的位單元通常由4～6只晶體管組成，利用雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器來保存信息，當這個位單元被賦予0或1的狀態(tài)之后，它會保持這個狀態(tài)直到下次被賦予新的狀態(tài)，或者斷電之后才會更改或消失。SRAM的速度相對比較快，而且比較省電，但是存儲1位的信息需要4～6只晶體管，制造成本較高。

        SRAM也有它的缺點，即它的集成度較低，相同容量的DRAM內存可以設計為較小的體積，但是SRAM卻需要很大的體積。