教大家識別內(nèi)存顆粒上的編號

2009/2/18

1、海力士(Hynix)
http://www./image/upload/memory/200731012431014077801.jpg
海力士DDR2內(nèi)存顆粒的第一排編號通常由HY開頭
·第3、4位“5P”代表DDR2
·第5位“S”代表VDD電壓為1.8V、VDDQ電壓為1.8V
·第6、7位代表容量，本例中“12”代表512Mb，其它如“28”為128Mb、“56”為256Mb、“1G”為1Gb、“2G”為2Gb。該值除以8即為單顆容量，再乘以顆粒數(shù)便是整條內(nèi)存的容量
·第8、9位代表顆粒位寬，如果為“4”和“8”，則只占編號中的第8位，如本例所示；如果為“16”和“32”，則占第8、9位
·第10位代表邏輯Bank數(shù)。其中“1”為2Banks，“2”為4Banks，而“3”為8Banks
·第11位代表接口類型。比如“1”為SSTL_18，另外，“2”為SSTL_2
·第12、13位代表產(chǎn)品的規(guī)格，比如C4：速度為DDR2 5333 4-4-4，如果是S6則為DDR2 800 6-6-6、S5則為DDR2 800 5-5-5、Y6為DDR2 677 6-6-6、Y5為DDR2 677 5-5-5、Y4為DDR2 677 4-4-4、C5為DDR2 533 5-5-5、C3為DDR2 533 3-3-3，字母越靠后越好

　　海力士內(nèi)存顆粒的超頻性一向不錯(cuò)，比如C5、C3，特別是目前代號S6的DDR2-800內(nèi)存顆粒比較好超，一般都可以超到1000MHz的水準(zhǔn)，因此對于組建扣肉、AM2超頻平臺的朋友來說，是極不錯(cuò)的選擇

　　常采用的內(nèi)存模塊廠商：很多品牌的DDR2內(nèi)存都有采用海力士DDR2內(nèi)存顆粒，如創(chuàng)見、威剛、超勝等。
2、三星(Samsung)
http://www./image/upload/memory/200731012431048477802.jpg
·三星DDR2內(nèi)存顆粒的第一排編號通常由K4開頭，代表Memory DRAM的意思
·第三位“T”代表內(nèi)存為DDR2內(nèi)存
·第四、第五位代表容量，其中51代表512MB容量，如果為56則是256MB容量，1G為1GB容量，2G為2GB容量
·第六、第七位代表位寬，08：×8位寬，如果是04則位寬為×4、06為×4 Stack、07為×8 Stack、08為×8、16為×16
·第八位代表邏輯Bank，其中“3”的邏輯Bank數(shù)量為4Banks，如果是4則為8Banks
·第九位代表接口類型，一般為“Q”，表示接口類型工作電壓為SSTL 1.8V
·第十位代表顆粒版本，其中“B”代表的產(chǎn)品版本為3rd Generation，C為4th Generation，DEFGH依此類推、越新越好
·第十一位代表封裝類型，其中“G”代表封裝類型為FBGA，如果是S則為FBGA(Small)、Z為FBGA-LF、Y則為FGBA-LF(Small)
·第十二位代表功耗類型，其中“C”表示普通能耗，如果是L則為低能耗
·第十三、十四位代表內(nèi)存速度，其中D5：速度為DDR2 533 4-4-4，如果是D6則為DDR2 677 4-4-4，如果是E6則為DDR2 677 5-5-5，如果是F7則為DDR2 800 6-6-6?？傮w來說，三星DDR2內(nèi)存顆粒的超頻性能都不錯(cuò)，即便是D5、E6的DDR2顆粒，也可以超到700MHz、800MHz的水準(zhǔn)。

　　常采用三星內(nèi)存顆粒的內(nèi)存模塊廠商：三星、金士頓、創(chuàng)見、超勝、Apacer等廠商。
3、英飛凌(Infineon)
http://www./image/upload/memory/200731012431151577803.jpg
　　提起 Infineon(中文名：英飛凌)這家由德國西門子(Siemens)公司半導(dǎo)體部改組而來的世界頂級半導(dǎo)體芯片制造商，其生產(chǎn)的內(nèi)存顆粒一直被全世界的電腦玩家狂熱推崇，筆者也相信國內(nèi)不少的電腦玩家已經(jīng)是它的忠實(shí)FANS了。英飛凌DDR2內(nèi)存顆粒編號也象上面海力士、三星一樣有規(guī)可循，我們可以將其分成9部分來解讀內(nèi)存規(guī)格，下面我們以“HYB18T256800AF25”為例：

·HYB：就像現(xiàn)代的HY、三星的K4一樣是為英飛凌內(nèi)存顆粒的編號的前綴
·18：工作電壓為1.8V
·T：DDR2
·256：容量為256MB，如果是512則為256MB，1G則為1GB
·80：位寬為×8，如果是40位寬則為×4，如果是16位寬則為×16
·0：Standard product(標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品)
·A：封裝版本
·F：封裝形式為FBGA
·25：表示這是一款DDR2 800顆粒，如果是37則為DDR2 533(4-4-4)，如果是3則為DDR2 677(4-4-4)。在速度標(biāo)準(zhǔn)中，英飛凌的芯片還有一種3S的參數(shù)，代表DDR2-667(5-5-5)。

　　英飛凌DDR2顆粒在品質(zhì)上都屬于上乘貨色，超頻性也不錯(cuò)，目前采用英飛凌顆粒的廠商有Infineon、金士頓、宇瞻等內(nèi)存模塊廠商。

4、爾必達(dá)(ELPIDA)
http://www./image/upload/memory/200731012431253177804.jpg
　　在DDR時(shí)代，ELPIDA這個(gè)品牌對于廣大國內(nèi)用戶來說還很陌生，這家專業(yè)內(nèi)存模組制造商其實(shí)是由原來NEC和日立分別出資50%股份建造的合資公司，也是日本最大的臺式PC和筆記本內(nèi)存模組/顆粒生產(chǎn)商。不過隨著DDR2內(nèi)存上市，很多產(chǎn)品上都能見到爾必達(dá)顆粒。下面我們就以介紹“E2508AB-GE-E”為例來介紹爾必達(dá)內(nèi)存顆粒編號的含義：

·爾必達(dá)DRR2內(nèi)存顆粒的編號的第1位“E”代表DDR2
·第2、3位代表容量/邏輯Bank數(shù)。本例中“25”為256Mb/4Banks，而“51”為512Mb/4Banks、“11”為1Gb/8Banks
·第4、5位代表位寬。本例中"08"代表x8，其它如“04”代表x4、“16”代表x16
·第6位代表接口類型?！癆”代表SSTL_1.8
·第7位是產(chǎn)品代數(shù)，“B”為第二代，字母順序越靠后越好
·第9、10位代表運(yùn)行速度，本例中“GE”為5-5-5@DDR2 800
·第12位代表材料?！癊”為無鉛

　　爾必達(dá)顆粒的品質(zhì)也非常好，且超頻性也不錯(cuò)，是部分懂行內(nèi)存發(fā)燒友的至愛。比如KingMAX、GEIL、威剛不少超頻內(nèi)存就是采用此類DDR2顆粒，一般都可以從DDR2-677超到DDR2-800的規(guī)格。采用英飛凌顆粒的廠商有KingMAX、GEIL、威剛、PQI(勁永)等內(nèi)存模塊廠商。
5、美光(Micron)

　　美光的DDR2內(nèi)存芯片編號比較特別，封裝上的編號并不是正規(guī)的編號，從編號上一般只能識別出這是顆粒的生產(chǎn)日期和產(chǎn)地編號，但是在芯片上也找不到美光所公布的正規(guī)編號。對于這種情況，用戶只需將顆粒表面的第二行編號(又稱為FBGA碼)輸入到相關(guān)頁面上(http://www./support/fbga/decoder.aspx)查詢規(guī)格。

　　值得一提的是，雖然從編號識美光內(nèi)存顆粒的規(guī)格還有一定的障礙，但仍有幾款內(nèi)存顆粒的超頻性能特別優(yōu)異，它們就是被玩家稱為“fatboy d9”的D9內(nèi)存顆粒。D9內(nèi)存顆粒最早的編號全稱為“FBGA D9”，由于五位編號會以“D9”為起始，所以也被稱為“D9”顆粒。
http://www./image/upload/memory/200731012431310977805.jpg
　　“Fatboy”D9昵稱的由來是其110納米制造工藝導(dǎo)致的芯片體積，然而先進(jìn)工藝=更好性能的慣例此次被打破，這種樣子夸張的內(nèi)存芯片對工作電壓的提高有極好的正面反饋，2.4V以上工作電壓的“Fatboy”D9芯片DDR2 400/533內(nèi)存模組有很多可以把內(nèi)存時(shí)序調(diào)節(jié)到3-2-2(DDR2 SDRAM支持的最快時(shí)序)并且工作在DDR2-800以上的頻率上，如果是4-3-2設(shè)定，這些怪物突破DDR2-1000頻率也不是難事。

　　要知道這樣的成績是在04、05年生產(chǎn)的DDR2-400/533內(nèi)存芯片上實(shí)現(xiàn)的，其他廠商的DDR2 SDRAM內(nèi)存芯片的超頻能力根本無法望其項(xiàng)背。此前Crucial、CORSAIR、mushkin、Patriot、OCZ、GEIL等多家DDR2 533超頻內(nèi)存大多數(shù)就是采用此類內(nèi)存顆粒。但也不是所有的D9都好超，像綠色PCB上的就是普通顆粒，超頻能力并不理想。
http://www./image/upload/memory/200731012431520377806.jpg
　　除了“FBGA D9”顆粒之外，美光還推出了D9GKX、D9GHM、D9DCN等新的D9顆粒。其中該系列內(nèi)存精選口碑出眾的鎂光D9GMH顆粒，在MT將DDR2內(nèi)存顆粒制程由110納米轉(zhuǎn)向90納米后，F(xiàn)ATBODYD9就很少見到了，取而代之的就是現(xiàn)在很多內(nèi)存廠商封裝記憶體時(shí)優(yōu)先選用的小D9顆粒。這些編號為D9GMH、D9GCT、D9GKX等的新一代內(nèi)存芯片在保持接近“Fatboy”D9低時(shí)序能力和對電壓敏感的前提下，把4-4-4時(shí)序下的頻率上限提高到了DDR2-1100附近！而極限運(yùn)行頻率更達(dá)到約1200MHz！能實(shí)現(xiàn)如此超頻目標(biāo)的芯片本身規(guī)格仍舊是DDR2-533/667。

　　另外，還有易勝(Elixir)、南亞等內(nèi)存顆粒，在性能上屬于中規(guī)中距，因此在這里就不再一一介紹了。如遇到顆粒表面覆蓋了散熱片或者顆粒表面已被內(nèi)存廠商重新標(biāo)注的情況，顯然無法再用前面所講的方法識別內(nèi)存顆粒的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格。雖然用CPU-Z可以查到內(nèi)存的相關(guān)信息，但并不能保證完全準(zhǔn)確，因此我們建議大家最好是向廠商咨詢。