相信許多工程師對二極管壓降的認識，仍然停留在模電書上的那句話：硅二極管的正向壓降為0.6-0.7V，這句話很害人，它應該加上條件：正向測量電流。 更多的人則了解PN結的伏安特性，即PN結壓降與正向電流關系呈對數關系，如果說1mA時為0.6V, 10mA時為0.7V, 那么100mA， 1000mA 將可能對應0.82V及0.95V左右。 實際上，以上關系只在小電流下成立，當電流較大時則要考慮二極管電阻分量的壓降了，我們目前知道，二極管除了具有PN結，還具有半導體材料的體電阻，封裝綁定線的電阻及引腳的電阻，這些電阻分量在幾百mA至幾A的情況下，壓降是很明顯的，可以認為，在小電流時主要由伏安特性決定壓降，而大電流時則主要由體電阻決定壓降。 下面的附圖是MBR20100的V-I曲線，我們可以看出，在大電流條件下，二極管的壓降增加很快

         相信許多工程師對二極管壓降的認識，仍然停留在模電書上的那句話：硅二極管的正向壓降為0.6-0.7V，這句話很害人，它應該加上條件：正向測量電流。
         更多的人則了解PN結的伏安特性，即PN結壓降與正向電流關系呈對數關系，如果說1mA時為0.6V, 10mA時為0.7V, 那么100mA， 1000mA 將可能對應0.82V及0.95V左右。
         實際上，以上關系只在小電流下成立，當電流較大時則要考慮二極管電阻分量的壓降了，我們目前知道，二極管除了具有PN結，還具有半導體材料的體電阻，封裝綁定線的電阻及引腳的電阻，這些電阻分量在幾百mA至幾A的情況下，壓降是很明顯的，可以認為，在小電流時主要由伏安特性決定壓降，而大電流時則主要由體電阻決定壓降。

下面的附圖是MBR20100的V-I曲線，我們可以看出，在大電流條件下，二極管的壓降增加很快