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這段時(shí)間OCZ算是倒了大霉了，先是退出內(nèi)存市場然后收購Indilinx，看來一心要撲向SSD行業(yè)了，但是卻被浴室放了個(gè)重磅炸彈揭露了它使用“白片”的真相，大家可以去看看相關(guān)文章：http://www./html/2011/storagetech_0313/215.html，OCZ今后日子會非常難過。 NAND和DRAM比較類似，都是存儲媒介。但是NAND由于涉及到數(shù)據(jù)安全，所以容錯率比DRAM要低非常多，但是DRAM速度更快，要想分別達(dá)標(biāo)，NAND和DRAM的檢測機(jī)制應(yīng)該各不相同，至于哪個(gè)嚴(yán)格，不好說。當(dāng)然，它們由于性質(zhì)不同，因此也并不是一條生產(chǎn)線。接下來我想和大家談?wù)凞RAM顆粒簡單的檢測等級區(qū)分，以及廠家采購流程等。當(dāng)然，我只是個(gè)外行，晶圓是如何檢測的我不知道，猜想是在一定的溫度和濕度標(biāo)準(zhǔn)下進(jìn)行滿負(fù)荷測試然后檢測它的耐久度變化。這里有一篇文章，不過應(yīng)該不是正規(guī)的測試方法，大家只管參考看看：http://www.evaluationengineering ... -fallout-drams.html。 我也沒任何數(shù)據(jù)來證明，所以以下內(nèi)容只是為了讓大家知道內(nèi)存顆粒的一些內(nèi)幕，純屬YY。歡迎“業(yè)內(nèi)人士”前來反駁，如果說得有道理，那么我們一起學(xué)習(xí)，如果是來瞎說的，那么后果就跟記憶內(nèi)存二道販子劉某一樣。 一個(gè)晶圓上的顆粒可能有好有壞，所以DRAM生產(chǎn)出來的第一步應(yīng)該是切割晶圓，然后檢測，封裝，銷售。 DRAM在檢測后總共要被分為三大類，我們把它分為三個(gè)等級，分別為eTT、uTT與Fail out。然后大家還要搞清楚，DRAM生產(chǎn)廠商與內(nèi)存制造商是兩回事，DRAM生產(chǎn)廠商是芯片級廠商，當(dāng)然他們也會出原廠內(nèi)存；而內(nèi)存制造商與主板制造商類似，他們采購芯片級廠商的顆粒，再采購PCB，然后自己焊接封裝制造內(nèi)存。并且由于內(nèi)存制造工藝相對比較簡單，因此就出現(xiàn)了五花八門的內(nèi)存制造商。簡單的說，內(nèi)存制造商是DRAM生產(chǎn)廠商的下游廠家。 首先說一下eTT/uTT。這兩個(gè)名字我相信關(guān)注內(nèi)存顆粒的大家都多少有點(diǎn)印象，它分別是Effectively Tested/Untested的縮寫，意思就是經(jīng)過有效檢測/未檢測的。DRAM芯片級廠商會在出廠前對一部分顆粒進(jìn)行一道檢測工序，合格后就mark上自己的標(biāo)，通常標(biāo)簽上會注明廠商Logo、標(biāo)稱的規(guī)格（ns、或者頻率及時(shí)序的代號）等，然后再賣出去或者做原廠條，這就是eTT的顆粒。而另一部分顆粒由于下游內(nèi)存制造商對成本控制的要求，并且DRAM廠商為增大出貨量、降低成本、加快產(chǎn)銷周期，他們就會把一部分顆粒在未經(jīng)測試的情況下直接封裝后賣給內(nèi)存制造商，這時(shí)候他們是不會打標(biāo)的，而測試、打標(biāo)的環(huán)節(jié)就留給了內(nèi)存制造商去做。一般國產(chǎn)內(nèi)存品牌與那些臺系小廠，為了節(jié)約成本，都會這么干。接下來大家也該知道我要說什么了，那就是：一些內(nèi)存制造商未必會對uTT顆粒進(jìn)行測試，或者測試的嚴(yán)格程度不如DRAM生產(chǎn)廠商，因此可靠性就會打折扣。 那么，這樣的uTT顆粒對用戶有多大影響呢？下面我們時(shí)光倒流一下回到2005年，當(dāng)年有個(gè)顆粒叫做華邦UTT，那些顆粒與更早期的華邦（Winbond）BH-5顆粒特性非常相似，都能在2.5v運(yùn)行在DDR400 2-2-2-5，或者在3.2V左右運(yùn)行在DDR550 2-2-2-5。那么下面我們先來看華邦的BH-5顆粒： 我們看到早期出現(xiàn)的華邦BH-5顆粒上都有華邦自己的標(biāo)識,下標(biāo)的W942508BH-5中最后三位就是我們俗稱的BH-5了。其中的-5就代表5ns，也就是DDR400的規(guī)格。因此這就是標(biāo)準(zhǔn)的eTT顆粒。然而在2003年后半年開始，BH-5進(jìn)入EOL階段，市場上的BH-5顆粒也逐漸減少。 但是在05年，我們又看到了另一種很生猛野蠻的顆粒，與BH-5特性非常相似，但是它們被各種打磨，真實(shí)身份讓人摸不著頭腦，看看下面這些： 勤茂： OCZ： 海盜船： 芝奇： 威剛： 從最后一張圖，我們可以看看紅圈里邊的兩個(gè)凹點(diǎn)，上邊那些顆粒都有這個(gè)共同點(diǎn)，后來細(xì)心觀察的玩家們對比了BH-5顆粒在相同的位置也有兩個(gè)點(diǎn)，因此大家斷定它就是BH-5的uTT顆粒。它的封裝依然是華邦做的，但是測試和打標(biāo)就是各廠商自己做的了。 那么，這些uTT顆粒表現(xiàn)如何呢？我們可以去翻一些老帖子，結(jié)果發(fā)現(xiàn)華邦uTT和BH-5的表現(xiàn)非常接近，基本沒有很明確的哪個(gè)好哪個(gè)差的說法。但是有點(diǎn)不一樣的是，華邦uTT顆粒的價(jià)格比BH-5便宜非常多，但是兼容性問題似乎比BH-5也多一些。因此可以認(rèn)為uTT的品控還是可以，體質(zhì)上差異不太大，但是兼容性屬于致命錯誤，類似AMD開核的情況，開不了核的比開核踩雷的幾率大很多。因此，我們是不是可以認(rèn)為相同的顆粒，體質(zhì)差異不應(yīng)該太大？ 當(dāng)然，BH-5和CH-5不屬于相同顆粒（不同的Die revision），X打頭和T打頭、后邊A3G-x不同的結(jié)尾的PSC也是一樣。而爾必達(dá)的BDSE/BDBG可以認(rèn)為是相同顆粒，但與BBSE就屬于不同顆粒，因?yàn)楦鶕?jù)爾必達(dá)提供的OPN含義，后兩位SE/BG屬于封裝方式的定義，那么對DRAM芯片本身影響應(yīng)該不大。以下是爾必達(dá)的OPN解釋，摘自爾必達(dá)Part Number Decoder官方PDF文檔，下載地址：http://www./pdfs/ECT-TS-2013.pdf 說完了eTT/uTT，下面再說說Fail Out（淘汰的）顆粒。這些Fail Out的顆粒也是經(jīng)過廠商的測試，但是很不幸地它們是檢測不過關(guān)的產(chǎn)品。這些顆粒并不一定在檢測時(shí)就出了問題，但是它們達(dá)不到合格的內(nèi)存的高速讀寫可靠性的長期要求（簡單的可以認(rèn)為是壽命評估不達(dá)標(biāo)）。那么它們拿來干嘛呢？我們可以看到在硬盤、光驅(qū)以及其它的單片機(jī)上都有DRAM顆粒的身影，它們被作為緩存或者低速隨機(jī)存儲器使用，因此讀寫頻速度、繁程度就比內(nèi)存低許多，且容錯率允許高一些。并且這部分產(chǎn)品對DRAM的需求也不少，因此它們在這種低強(qiáng)度的工作下，壽命可大大提升。當(dāng)然也有一部分是在檢測中縮缸了（Downgraded）的顆粒，那些顆粒可能不能正常發(fā)揮顆粒的特性，超頻性能不太好，但是在降頻后還是可以穩(wěn)定運(yùn)行的。那么，有些廠商為了把這部分顆粒處理掉，他們就搞了所謂的“子品牌”，把這些顆粒打上它們的標(biāo)簽銷售。典型的有Spectek作為鎂光的副廠品牌，Elixir作為南亞的副品牌，與uTT顆粒不一樣，這些顆粒才是我們應(yīng)該遠(yuǎn)離的地雷顆粒。 根據(jù)未證實(shí)權(quán)威性的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)所說的，F(xiàn)all Out顆粒的故障率在2-3%，uTT顆粒則要求小于0.5%，而eTT顆粒要小于0.3%。當(dāng)然這不能直接參考返修率，畢竟內(nèi)存出故障未必全是顆粒的事。 那么根據(jù)上邊說的，我們買eTT/uTT其實(shí)都是OK的，但是別買Fall Out的就好。不過，對于超頻玩家來說，顆粒只是一方面，另外PCB也是很重要的，PCB不好，再好的顆粒也發(fā)揮不出來。 參考資料： http://www./index.php/solutions/ate/innovative-testing-rescues-fallout-drams.html http://www./article.php?aid=218 |
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