推挽式直流變換器電路圖

如圖所示，S1和S2是IGBT，它們交替導通，每個開關導通比為50%，S1，S2導通分別由PWM2，PWM3控制，PWM2，PWM3是ARM給出的控制信號。S1，S2的作用是在高頻變壓器T的初級產生對稱的交變方波，當S2導通(S1截止)時，T的磁芯中磁通上升，當S1導通(S2截止)時，T的磁芯磁通下降。在次級產生一個變電壓，經D1，D2整流后，便得到直流的輸出電壓U02，在理想狀態(tài)下，

    分別為變壓器的初級和次級繞線的匝數。因為與01相連的初級繞組上的電壓反射到初級繞組的另一半上，所以S1或S2在不導通時，兩端的電壓為2U01所以IGBT耐壓要大于2U01，即IGBT的耐壓大于400 V。

　　在高頻上，變壓器通常采用導磁較高的鐵氧體磁芯或鈹莫合金鐵芯等磁性材料，其目的是為了獲得大的勵磁電感，減小磁路中的功率損耗，使之能以最小的損耗和失真?zhèn)鬏斁哂袑掝l帶的脈沖能量。本文采用PQ型鐵氧體磁芯，內芯為圓柱，繞線方便同時也便于繞成蜂房式線圈以減小分布電容，且沒有棱角，高壓時不易打火擊穿，次級邊的匝數不超過2000圈，初、次級的匝數比為1：12。