|
免責(zé)聲明：超頻可能會讓硬件損壞，本教程僅供超頻參考，如看了本教程超頻設(shè)置而帶來的硬件損壞事件，本人不負責(zé)。 本教程以華碩M4A88TD-V EVO主板BIOS超頻設(shè)置.華碩870/890的BIOS設(shè)置大致相同(華碩7系列也可參考).  首先開機，顯示啟動畫面時(如上圖)，按DEL鍵.進入BIOS設(shè)置 進入BIOS后.直接把光標移到Ai Tweaker項  Ai Tweaker項說明(如上圖): CPU Level Up:自動超CPU倍頻的選項,如果是黑盒CPU.這里顯示可調(diào)節(jié).因為我的是非黑盒了.故這里顯示為灰色.一般這個設(shè)置為[AUTO]就可以 CPU OverClocking:打開超頻選項.這里我們選擇為手動[Maunal] CPU Ratio:CPU倍頻選項.黑盒CPU可以在不改外頻的情況下,調(diào)節(jié)此選項而達到超頻效果 CPU/HT Reference Clock (MHz):為CPU外頻 注:CPU主頻=CPU外頻XCPU倍頻 如:240外頻X15倍頻=3.6G主頻 PCIE Frequency:PCIE總線頻率. 這里一般不做更改.默認在[100] DRAM Frequency:內(nèi)存頻率(分頻)設(shè)定. 一共分為4個檔,分別為800(4.0X) / 1066(5.33X) / 1333(6.67X) / 1600(8.0X) 華碩主板提供了即時的內(nèi)存頻率顯示. 這里講下內(nèi)存分頻的計算方法:如上圖所顯,內(nèi)存我設(shè)置在1600這一檔(技嘉主板會顯示是6.67) 故240X6.67=1600 注:內(nèi)存頻率=CPU外頻X內(nèi)存分頻 如:240外頻X6.67內(nèi)存分頻=1600內(nèi)存頻率 CPU/NB Frequency:CPU內(nèi)存控制器頻率.此頻率對內(nèi)存性能提升很大,故在穩(wěn)定的前提下,盡量提高此頻率. 黑盒CPU此處不鎖.非黑盒此處提供最高X10倍頻 一般建議此頻率在2400以上以提高性能 注:CPU NB頻率=CPU外頻X CPU NB倍頻 如:240外頻X10(CPU NB倍頻)=2400 NB頻率 HT Link Speed:此選項為HT總線倍頻.對于獨立顯卡的用戶來講.此項設(shè)置高了,性能幾乎沒提升. 但是對于集顯用戶來講.此選項的提高可發(fā)揮集顯的最高性能. 建議頻率為2000-2400 HT頻率=CPU外頻X HT倍頻 如:240外頻X10 HT倍頻=2400 HT頻率 注:HT頻率必須小于或等于CPU NB頻率 下面獨顯用戶可忽略 GPU Booster:GPU自動超頻選項默認為打開 Enhanced iGPU SpeedStep:集成顯卡核心頻率自動超頻.設(shè)置為[Extreme]是超頻至[1000MHz],一般設(shè)置為[AUTO]即可. GFX Engine Clock Override:打開或關(guān)閉集顯超頻選項，打開后下面會出現(xiàn)集顯的核心頻率設(shè)定,默認為700MHz,手動輸入數(shù)字可超頻，關(guān)閉后可以在Windows中使用華碩的Turbo EVO附帶的GPU Boost軟件超頻 DRAM Timing configuration:內(nèi)存時序設(shè)置.稍后講解. DRAM Driving Configuration:內(nèi)存指令驅(qū)動設(shè)置. 這里面的選項.一般全設(shè)置為[AUTO]自動 下面講解電壓: CPU & NB Voltage Mode:為CPU和CPU NB電壓設(shè)定模式. 這里有[Offset]和[Maunal]兩個選項. "Offset"是在CPU默認電壓上增加或減少的一個設(shè)定電壓. 比如CPU默認電壓為1.250V 如果這里的Offset設(shè)置為+0.05V 那么正常情況下就會是1.250V+0.05V=1.3V  "Maunal"是指在手動設(shè)置的一個CPU電壓.這里不管CPU的默認電壓.如手動設(shè)置為1.3V.那么正常情況下就會是1.3V電壓  下面的CPU NB電壓設(shè)置跟CPU電壓同理.一般建議在1.35V以內(nèi). 一般情況下,2400的NB頻率不需要加壓.2500-2700可能需要1.25-1.3V的CPU NB電壓 2700-2900可能需要1.3V-1.35V電壓. 注:NB頻率視CPU體質(zhì)而異,所以NB頻率和CPU NB電壓只供參考. CPU VDDA Voltage: CPU PLL電壓.一般這里設(shè)置為默認2.5V就可以.此選項可提高外頻的極限.當(dāng)超高外頻時,可以加0.05V或0.1V. DRAM Voltage: 內(nèi)存電壓.一般設(shè)置在1.5V-1.65V 如果內(nèi)存PCB在6層的話.建議電壓控制在1.65V以內(nèi). 如果PCB是8層的話.建議電壓控制在1.7V以內(nèi). 注:內(nèi)存電壓并非超高超好.有些內(nèi)存條對電壓不敏感.內(nèi)存電壓高了反而不穩(wěn)定.使用力晶(PSC)顆粒的內(nèi)存比較明顯. HT Voltage: HT總線電壓.HT在2600以內(nèi)的情況下.都使用默認的1.2V就可以了.這個電壓我們一般不用去加. NB Voltage: 北橋電壓,默認為1.1V. 一般不用去加壓. NB 1.8V Voltage: 北橋PLL電壓,對提高外頻極限有幫助.但一般情況下.我們不加壓.默認為1.8V. SB Voltage: 南橋電壓,這個不用更改. SidePort Memory Voltage: 板載顯存電壓.默認為1.5V.如果需要超集顯.可以加壓以提升超顯存能力. CPU Load-Line Calibration: CPU防掉壓設(shè)定,開啟后CPU電壓更穩(wěn)定.強烈建議開啟. CPU/NB Load-Line Calibration:CPU-NB電壓防掉壓設(shè)定,同上.  下面只簡單解釋一下主要的幾個參數(shù)對超頻和性能的影響.其他參數(shù)一般設(shè)置為自動[AUTO]就可以了. DRAM CAS# Latency: 內(nèi)存的CL值,參數(shù)是5到10. 在內(nèi)存頻率為1333的情況下,只要內(nèi)存不是太差.一般都可以CL7或是8. 而內(nèi)存頻率為1600的情況下,一般都設(shè)置在CL8或是9.體質(zhì)好的內(nèi)存可以設(shè)置為CL7,甚至CL6.這個參數(shù)對內(nèi)存超頻和性能影響都比較大. 設(shè)置太低.則會點不亮.這個參數(shù)主要還是視內(nèi)存體質(zhì)而定. DRAM RAS# to CAS# Delay: 內(nèi)存的tRCD值.在AM3平臺想要上高頻,一般都需要放寬這個參數(shù). 內(nèi)存頻率1333時,一般設(shè)置為8或9. 1600頻率時,一般設(shè)置為9或10. 此參數(shù)對超頻性能影響最大,也對性能影響很大. 注:此參數(shù)的放寬對力晶顆粒特別明顯.如果你使用的內(nèi)存是力晶顆粒的.要超高頻時.盡量把這個時序放寬,以可以讓內(nèi)存運行更高頻率. DRAM RAS# PRE Time: 內(nèi)存的tRP值,一般設(shè)為和CL值相同. 此參數(shù)對超頻能力影響不大,但設(shè)置太低,也會引起內(nèi)存不穩(wěn)定. DRAM RAS# ACT Time: 內(nèi)存的tRAS值,對性能和穩(wěn)定性稍有影響. 一般是設(shè)置為CL的3倍數(shù).如CL值為8,那么就設(shè)置為24.但如果不穩(wěn)定,也可以設(shè)置為27. DRAM Row Cycle Time: 內(nèi)存的tRC值,對性能和穩(wěn)定性稍有影響,不可以收太緊. 一般可設(shè)置在24-33. DRAM REF Cycle Time: 內(nèi)存tRFC值.設(shè)太高會影響性能,太低會影響穩(wěn)定性甚至開不了機. 一般建議設(shè)置為110ns.如果想超高內(nèi)存頻率,可以設(shè)置為160ns. DRAM Command Rate: 內(nèi)存CR值.設(shè)為1T的性能比較高. 因每條內(nèi)存體質(zhì)不一樣,下面給出幾個參數(shù)僅大家參考: 7-7-7-21-27-1T 110NS 7-8-6-21-27-1T 110NS 7-8-7-24-27-1T 110NS 7-9-7-24-27-1T 110NS 7-10-7-27-33-1T 110NS 8-8-8-24-27-1T 110NS 8-9-8-24-33-1T 110NS 9-9-9-27-33-1T 110NS 9-10-9-27-33-1T 110NS 以上內(nèi)存電壓控制在1.55V-1.7V  下面介紹開核選項.對于不能開核或是原生四核或六核的,可以跳過此步. Secure Virtual Machine Mode: 虛擬技術(shù)支持.如果不用虛擬機的朋友.可以關(guān)閉[Disabled]此選項. Cool 'n' Quiet: AMD冷又靜(節(jié)能)技術(shù).非常好的選項,可以在平時低負載的時候,CPU自動降頻以達到省電效果.建議打開[Enabled]. 注:但是對于小部分(有些開核U會有這種情況)CPU打開此選項.會有不穩(wěn)定.或是死機的情況.那么沒辦法.只好關(guān)閉了. C1E Support: 也是節(jié)能的.建議也打開. 注:但是對于小部分(有些開核U會有這種情況)CPU打開此選項.會有不穩(wěn)定.或是死機的情況.那么沒辦法.只好關(guān)閉了. ASUS Core Unlocker: 華碩的獨家開核選項,可以開核并穩(wěn)定的CPU,肯定就要打開[Enabled]此選項. 注:不能開核或是開核不穩(wěn)定的CPU,建議關(guān)閉此選項.否則會開不了機或是不穩(wěn)定. CPU Core Activation: CPU核心數(shù)控制設(shè)定.此選項可自由的關(guān)閉除第一核心之外的所有核心. 對于有些開核不穩(wěn)定,但又能開出三級緩存(L3)的朋友有福了.可以讓華碩自動檢查出哪個核心是有缺陷的.然后屏閉掉有缺陷的核心. 雖然不能四核或六核用.但至少可以用到三級緩存(L3) 注:開四核的朋友,建議手動把5th Core和6th Core設(shè)置為關(guān)閉[Off]. 下面介紹集成顯卡設(shè)置:(獨顯用戶請?zhí)^) Internal Graphics Mode: 集成顯卡模式.此選項有四個設(shè)置. 分別為:關(guān)閉[Disabled] 在使用獨立顯卡的時候就必需關(guān)閉. UMA(只使用主板集成顯卡) SIDEPORT(只使用主板板載顯存) UMA+SIDEPORT(主板集成顯卡+板載顯存) 在使用集顯當(dāng)中.此項性能最強 建議選UMA+SIDEPORT(主板集成顯卡+板載顯存) UMA Frame Buffer Size:集成顯卡顯存容量.一般設(shè)置為[128MB]就可以了.實測這個容量大了對游戲也沒什么幫助. SIDEPORT Clock Speed:板載顯存頻率.默認為[DDR3-1333MHz](代表著板載的是DDR3的顯存). 此項對集顯性能影響比較大.但不建議設(shè)置高.設(shè)置高了會花屏或死機. UMA-SP Interleave Mode: 共享顯存-板載顯存交錯方式.一般設(shè)置為[Fine]. Interleave Size: 交錯容量.一般設(shè)置為[128MB]. Interleave Ratio (SP:UMA): 交錯比例.一般設(shè)置為[1:3]即可. 這里提醒一下這個功能. Express Gate: 華碩的內(nèi)嵌式操作系統(tǒng).建議關(guān)閉.以不影響開機速度. ASUS O.C. Profile: 超頻設(shè)置備份.此選項可以備份/載入你在BIOS的設(shè)置. 此選項在刷新BIOS不會清除.一共可以存8個BIOS設(shè)置備份. <FONT 好了.超頻的選項講完了.下來也該來實戰(zhàn)的超頻了. 下面以大眾型的CPU為主.一般都是超到3.4G-3.6G為主.本人設(shè)置的是超3.6G的實戰(zhàn)參考. 測試配置如下: CPU:AMD X3 445開核X4 B45 主板:華碩M4A88TD-V EVO 內(nèi)存:芝奇1600 2X2G BTD+承啟 1333 2X2G 一共8G 顯卡:主板集成 硬盤:西數(shù)500G單碟藍盤X2組RAID0 電源:AQTIS 1000W 因為每個CPU/內(nèi)存的體質(zhì)不一樣.所以下面的超頻設(shè)置僅供參考. 首先要做的是把惡心的華碩開機畫面關(guān)閉掉.(個人不喜歡) 關(guān)閉的BIOS選項如下圖:把Full Screen Logo設(shè)置為:關(guān)閉[Disabled]  下面超頻正式開始: CPU主頻為3600MHz(3.6G) CPU外頻為240 CPU倍頻為15 內(nèi)存頻率為1600=240X6.67 CPU NB頻率為2400=240外頻X10 CPU NB倍頻 HT頻率為2400=240外頻X10 HT倍頻 電壓選項.因每個CPU體質(zhì)不同.只能僅參考. CPU核心電壓設(shè)置為:1.25V(CPU核心電壓,這里僅參考.因CPU體質(zhì)不同,這里有些CPU也許超3.6G需要用到1.3V-1.35V) CPU NB電壓設(shè)置為:1.15V (因為我的NB頻率只運行在2400,所以這里不需要加壓) CPU VDDA電壓設(shè)置為:2.5V(這里不需要超高外頻,故設(shè)置為默認2.5V) 內(nèi)存電壓設(shè)置為:1.65V(其實這內(nèi)存頻率和這時序,我設(shè)置為1.5V都可以.這里僅大家參考) 其他的全部設(shè)置默認即可 另外最重要的兩個選項: CPU Load-Line Calibration: CPU電壓防掉壓設(shè)定,一定要打開,否則CPU電壓會掉. (比如一個CPU本身可以1.3V超到3.6G的,但如果不打開此選項.那么在烤機的時候可能會掉到1.25V,這樣就導(dǎo)致電壓不足而藍屏或重啟了) CPU/NB Load-Line Calibration:CPU-NB電壓防掉壓設(shè)定,同上. 內(nèi)存時序僅供參考 我這里設(shè)置為:9-9-9-27-33-1T 110ns(在上面已經(jīng)介紹過) 設(shè)置得也差不多了.按F10保存.按Y確定.電腦自動重啟. 如果超頻失敗的話.會出現(xiàn)如下圖: 圖一是開啟華碩開機LOGO的超頻失敗圖: 下圖是關(guān)閉華碩開機LOGO超頻失敗的圖: 如果超頻失敗了.沒關(guān)系.看看是否CPU主頻太高或NB頻率.或是內(nèi)存頻率太高,或是時序設(shè)置太緊了. 適當(dāng)?shù)慕狄唤稻涂梢粤? 如果超頻成功進入系統(tǒng)后.就用Prime95跑大量來測試穩(wěn)定性. 一般是跑半個小時或一小時不出錯.算是"基本穩(wěn)定" 注:烤機測試軟件只能當(dāng)作穩(wěn)定性的參考,但不能代表完全穩(wěn)定. 日常應(yīng)用和游戲穩(wěn)定.才是硬道理. 最終超頻3.6G并烤機過Prime95大量35分鐘不出錯.算基本穩(wěn)定了 本教程暫時告一段落,如有不懂的地方.歡迎回帖提問.謝謝 |
|
|
