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      小弟跪求如何根據(jù)輸出功率選擇H橋的MOS管電流級(jí)別!

       天俠論壇 2016-03-15

      首先計(jì)算管子上需要承受的電流,I = W / U,比如做1000W的逆變器,輸出交流220V ,那么平均電流大約在5A, 

      然后去選擇管子,MOSFET有項(xiàng)指標(biāo)叫Id,比如IRF840的管子Id為8A,IRFP460的管子的Id為20A,這樣表面看貌似1000W的逆變器采用IRF840也勉強(qiáng)可以勝任,IRFP460則綽綽有余,這時(shí)我們還要計(jì)算管子的耗散功率,就是發(fā)熱情況 

      所以要考慮管子的導(dǎo)通阻抗,比如IRF840的導(dǎo)通阻抗Rds(on)是0.85歐,那么在管子上產(chǎn)生的發(fā)熱功率是5*5*0.85 = 20W,而且還不考慮開關(guān)損耗帶來的發(fā)熱,那么肯定是要炸管的;如果采用IRFP460,導(dǎo)通阻抗Rds(on)是0.27歐,那么發(fā)熱功率是5*5*0.27 =6.75W,那么加個(gè)大一點(diǎn)的散熱片還是可以完成的 

      在MOSFET選型時(shí),Rds(on)是一個(gè)重要指標(biāo),需要考慮系統(tǒng)的散熱能力,選擇適合的管子,我見過很多人說管子明明可以承受多少多少電流,但最后還是燒管,其中很多都是沒有考慮管子的發(fā)熱情況 

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