乡下人产国偷v产偷v自拍,国产午夜片在线观看,婷婷成人亚洲综合国产麻豆,久久综合给合久久狠狠狠9

  • <output id="e9wm2"></output>
    <s id="e9wm2"><nobr id="e9wm2"><ins id="e9wm2"></ins></nobr></s>

    • 分享

      如何檢測判斷IGBT管的好壞

       青山碧水映藍(lán)天 2016-07-21
      igbt管的好壞可用指針萬用表的rxlk擋來檢測,或用數(shù)字萬用表的“二極管”擋來測量pn結(jié)正向壓降進(jìn)行判斷。檢測前先將igbt管三只引腳短路放電,避免影響檢測的準(zhǔn)確度;然后用指針萬用表的兩枝表筆正反測g、e兩極及g、c兩極的電阻,對于正常的igbt管(正常g、c兩極與g、c兩極間的正反向電阻均為無窮大;內(nèi)含阻尼二極管的igbt管正常時,e、c極間均有4kw正向電阻),上述所測值均為無窮大;最后用指針萬用表的紅筆接c極,黑筆接e極,若所測值在3.5kwl左右,則所測管為含阻尼二極管的igbt管,若所測值在50kw左右,則所測igbt管內(nèi)不含阻尼二極管。對于數(shù)字萬用表,正常情況下,igbt管的c、c極問正向壓降約為0.5v。

        綜上所述,內(nèi)含阻尼二極管的igbt管檢測示意圖如圖所示,表筆連接除圖中所示外,

        其他連接檢測的讀數(shù)均為無窮大。

        如果測得igbt管三個引腳間電阻均很小,則說明該管已擊穿損壞;若測得igbt管三個引腳間電阻均為無窮大,說明該管已開路損壞。實(shí)際維修中igbt管多為擊穿損壞。為使保護(hù)正常輸出,不使用的保護(hù)必須拉為高電平(對腳1),或是通過電容接地(對腳8)。

      萬用表如何判斷IGBT的好壞

      將萬用表撥在R×10KΩ擋,用黑表筆接IGBT 的漏極(D),紅表筆接IGBT 的源極(S),此時萬用表的指針指在無窮處。用手指同時觸及一下柵極(G)和漏極(D),這時IGBT 被觸發(fā)導(dǎo)通,萬用表的指針擺向阻值較小的方向,并能站住指示在某一位置。然后再用手指同時觸及一下源極(S)和柵極(G),這時IGBT 被阻斷,萬用表的指針回到無窮處。此時即可判斷IGBT 是好的。

      注意:若進(jìn)第二次測量時,應(yīng)短接一下源極(S)和柵極(G)。

      任何指針式萬用表皆可用于檢測IGBT。注意判斷IGBT 好壞時,一定要將萬用表撥在R×10KΩ擋,因R×1KΩ擋以下各檔萬用表內(nèi)部電池電壓太低,檢測好壞時不能使IGBT 導(dǎo)通,而無法判斷IGBT 的好壞。此方法同樣也可以用于檢測功率場效應(yīng)晶體管(P-MOSFET)的好壞。

      萬用表檢測IGBT管的C--E極:

      1、紅表筆接C極黑表筆接E極(指帶有阻尼管的),應(yīng)該有正向?qū)娮柚怠?

      2、反向測量C--E不通(無窮大的電阻值)。

      3、其它各管腳間應(yīng)該無窮大(不通)。

      4、 IGBT管型號尾部帶D的是有阻尼管的。

      IGBT管型號尾部不帶D的是無阻尼管的

      如何檢測IGBT

      判斷極性 :

      將萬用表撥在R×1KΩ擋,用萬用表測量時,將黑表筆固定接在某一電極上,另一表筆(紅表筆)分別接其它兩只管腳,若阻值均為無窮大,對調(diào)用紅表筆固定接在這一電極(原黑表筆接的那只管腳)上,另一表筆(黑表筆)分別接其它兩只管腳,若阻值均為無窮大,則固定不動的那只表筆接的那只管腳為柵極。其余兩極再用萬用表測量,若測得阻值為無窮大,調(diào)換表筆后測量阻值較小。在測量阻值較小的一次中,則判斷紅表筆接的為漏極(D);黑表筆接的為源極(S)。
      判斷好壞 :

      將萬用表撥在R×10KΩ擋,用黑表筆接IGBT 的漏極(D),紅表筆接IGBT 的源極(S),此時萬用表的指針指在無窮處。用手指同時觸及一下柵極(G)和漏極(D),這時IGBT 被觸發(fā)導(dǎo)通,萬用表的指針擺向阻值較小的方向,并能站住指示在某一位置。然后再用手指同時觸及一下源極(S)和柵極(G),這時IGBT 被阻斷,萬用表的指針回到無窮處。此時即可判斷IGBT 是好的。
      注意:若進(jìn)第二次測量時,應(yīng)短接一下源極(S)和柵極(G)。
      任何指針式萬用表皆可用于檢測IGBT。注意判斷IGBT 好壞時,一定要將萬用表撥在R×10KΩ擋,因R×1KΩ擋以下各檔萬用表內(nèi)部電池電壓太低,檢測好壞時不能使IGBT 導(dǎo)通,而無法判斷IGBT 的好壞。此方法同樣也可以用于檢測功率場效應(yīng)晶體管(P-MOSFET)的好壞。


      功率場效應(yīng)管直流參數(shù)分選儀
      主要用于中小電子產(chǎn)品企業(yè)對場效應(yīng)管或IGBT的批量測量,篩選。
      一、簡介:
      1、采用高精度AD,滿足測量精度,而高速微處理器和電子開關(guān),使測量工作迅速、高效、寧靜。采用國際先進(jìn)脈沖測量法,可以提供10A~最大75A以上的測試電流,而不會使被測管子發(fā)熱。有自動均流功能,確保被測管安全。
        2、有自檢功能、測量判斷功能以及故障報警指示功能,當(dāng)不是Vmos管時或錯插等,測量不能繼續(xù)。在測量前后,測量插座柵源之間是短路狀態(tài),以確保被測量管插入或拔出管座時的安全。
        3、有20A~150A容量選擇,即便是選錯電流檔用最大電流測量小容量管子,也不會損害被測管。
        4、可設(shè)定的有:開啟電壓Ut、跨導(dǎo)Gfs、通態(tài)電阻Ron以及極間電容Cir的下限和上限。對于超限的測量,蜂鳴器會報警,并且哪個參數(shù)超限,會閃爍提示,用戶可以不大理會符合標(biāo)準(zhǔn)的參數(shù)具體數(shù)據(jù),只在報警時注意閃爍的參數(shù),這樣極大的方便了工業(yè)批量測量。
      5、操作簡單,只按測試按鈕,就可以得到4項(xiàng)主要參數(shù)。
      二、主要指標(biāo):
        1、測量VMOS管可同時顯示:
          通態(tài)電阻Ron 1~999mΩ (超過999 mΩ時,自動轉(zhuǎn)為9.99Ω擋)
          跨導(dǎo)Gfs 0~99.9S
          開啟電壓Ut 1~7.5V
          極間電容Cir 0.1~9.9 (np)
        2、如果您需要,通過輔助功能鍵,還可以得到:
          a、Cir 1% nP精度;
          b、Ut 1%V 精度;
          c、測量Ron時的: Ids(max A),Vds(min V);
      d、以及測量Ggs時:Ids(A),Vds(V),Vgs(V);
      3、10位LED顯示。
        4、采用工業(yè)開關(guān)電源,可以在160V~230V 正常工作。

      發(fā)布時間:  來源:gongkongmro  作者:匿名

        本站是提供個人知識管理的網(wǎng)絡(luò)存儲空間,所有內(nèi)容均由用戶發(fā)布,不代表本站觀點(diǎn)。請注意甄別內(nèi)容中的聯(lián)系方式、誘導(dǎo)購買等信息,謹(jǐn)防詐騙。如發(fā)現(xiàn)有害或侵權(quán)內(nèi)容,請點(diǎn)擊一鍵舉報。
        轉(zhuǎn)藏 分享 獻(xiàn)花(0

        0條評論

        發(fā)表

        請遵守用戶 評論公約

        類似文章 更多