常用逆變電源電路圖 雙端工作的方波逆變變壓器的鐵心面積乘積公式為 AeAc=Po(1+η)/(ηDKjfKeKcBm) (1) 式中:Ae(m2)為鐵心橫截面積; Ac(m2)為鐵心的窗口面積; Po為變壓器的輸出功率; η為轉(zhuǎn)換效率; δ為占空比; K是波形系數(shù); j(A/m2)為導(dǎo)線(xiàn)的平均電流密度; f為逆變頻率; Ke為鐵心截面的有效系數(shù); Kc為鐵心的窗口利用系數(shù); Bm為最大磁通量。 ![]() PWM控制電路芯片SG3524,是一種電壓型開(kāi)關(guān)電源集成控制器,具有輸出限流,開(kāi)關(guān)頻率可調(diào),誤差放大,脈寬調(diào)制比較器和關(guān)斷電路,其產(chǎn)生PWM方波所需的外圍線(xiàn)路很簡(jiǎn)單。當(dāng)腳11與腳14并聯(lián)使用時(shí),輸出脈沖的占空比為0~95%,脈沖頻率等于振蕩器頻率的1/2。當(dāng)腳10(關(guān)斷端)加高電平時(shí),可實(shí)現(xiàn)對(duì)輸出脈沖的封鎖,與外電路適當(dāng)連接,則可以實(shí)現(xiàn)欠壓、過(guò)流保護(hù)功能。利用 SG3524內(nèi)部自帶的運(yùn)算放大器調(diào)節(jié)其輸出的驅(qū)動(dòng)波形的占空比D,使D>50%,然后經(jīng)過(guò)CD4011反向后,得到對(duì)管的驅(qū)動(dòng)波形的D< 50%,這樣可以保證兩組開(kāi)關(guān)管驅(qū)動(dòng)時(shí),有共同的死區(qū)時(shí)間。 3 DC/AC變換 如圖3所示,DC/AC變換采用單相輸出,全橋逆變形式,為減小逆變電源的體積,降低成本,輸出使用工頻LC濾波。由4個(gè)IRF740構(gòu)成橋式逆變電路,IRF740最高耐壓400V,電流10A,功耗125W,利用半橋驅(qū)動(dòng)器IR2110 提供驅(qū)動(dòng)信號(hào),其輸入波形由SG3524提供,同理可調(diào)節(jié)該SG3524的輸出驅(qū)動(dòng)波形的D<50%,保證逆變的驅(qū)動(dòng)方波有共同的死區(qū)時(shí)間。 ![]() IR2110的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和工作原理框圖如圖4所示。圖中HIN和LIN為逆變橋中同一橋臂上下兩個(gè)功率MOS的驅(qū)動(dòng)脈沖信號(hào)輸入端。SD為保護(hù)信號(hào)輸入端,當(dāng)該腳接高電平時(shí),IR2110的輸出信號(hào)全被封鎖,其對(duì)應(yīng)的輸出端恒為低電平;而當(dāng)該腳接低電平時(shí),IR2110的輸出信號(hào)跟隨HIN和LIN而變化,在實(shí)際電路里,該端接用戶(hù)的保護(hù)電路的輸出。HO和LO是兩路驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸出端,驅(qū)動(dòng)同一橋臂的MOSFET。 IR2110的自舉電容選擇不好,容易造成芯片損壞或不能正常工作。VB和VS之間的電容為自舉電容。自舉電容電壓達(dá)到8.3V以上,才能夠正常工作,要么采用小容量電容,以提高充電電壓,要么直接在VB和VS之間提供10~20V的隔離電源,本電路采用了1μF的自舉電容。 ![]()
4 保護(hù)電路設(shè)計(jì)及調(diào)試過(guò)程中的一些問(wèn)題 保護(hù)電路分為欠壓保護(hù)和過(guò)流保護(hù)。 欠壓保護(hù)電路如圖5所示,它監(jiān)測(cè)蓄電池的電壓狀況,如果蓄電池電壓低于預(yù)設(shè)的10.8V,保護(hù)電路開(kāi)始工作,使控制器SG3524的腳10關(guān)斷端輸出高電平,停止驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸出。 圖5中運(yùn)算放大器的正向輸入端的電壓由R1和R3分壓得到,而反向輸入端的電壓由穩(wěn)壓管箝位在+7.5V,當(dāng)蓄電池的電壓下降超過(guò)預(yù)定值后,運(yùn)算放大器開(kāi)始工作,輸出跳轉(zhuǎn)為負(fù),LED燈亮,同時(shí)三級(jí)管V截止,向SG3524的SD端輸出高電平,封鎖IR2110的輸出驅(qū)動(dòng)信號(hào)。 ![]()
調(diào)試過(guò)程遇到的一個(gè)較為重要的問(wèn)題是關(guān)于IR2110的自舉電容的選擇。IR2110的上管驅(qū)動(dòng)是采用外部自舉電容上電,這就使得驅(qū)動(dòng)電源的路數(shù)大大減少,但同時(shí)也對(duì)VB和VC之間的自舉電容的選擇也有一定的要求。經(jīng)過(guò)試驗(yàn)后,最終采用1μF 的電解電容,可以有效地滿(mǎn)足自舉電壓的要求。 |
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