材料牛注：

我們常說，石墨烯是萬金油，但你想過石墨烯這么快就有了競爭者了嗎？目前曼切斯特的國家石墨烯研究所制備出了一種新材料：硒化銦，它具有非常高的電子遷移率，在光電子領(lǐng)域有望成為“長江后浪”，將石墨烯“拍死在沙灘上”。

你相信嗎？在石墨烯研究領(lǐng)域，有一個(gè)研究機(jī)構(gòu)竟然比曼徹斯特大學(xué)還要杰出，那就是新成立的國家石墨烯研究所（NGI）。目前，曼徹斯特花費(fèi)7100萬美元資助該研究所，為其對石墨烯的研究提供經(jīng)費(fèi)。

我們都知道，Andre Geim和Konstantin Novoselov在曼徹斯特成為首位合成石墨烯的研究者，并因此獲得了2010年諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)。

但在曼徹斯特開發(fā)的一種基于硒化銦（InSe）的新材料目前已經(jīng)取代了一部分基于石墨烯的聚光燈，它滿足了我們對于未來超快電子的需求。

Geim在新聞發(fā)布會上表示，“超薄InSe作為硅和石墨烯中間的夾層，它不僅像石墨烯一樣允許縮放到納米尺寸，還和硅一樣是一種非常好的半導(dǎo)體。

半導(dǎo)體位點(diǎn)一直是石墨烯的難點(diǎn)。由于石墨烯缺乏自然帶隙，所以我們設(shè)計(jì)材料時(shí)必須引入半導(dǎo)體位點(diǎn)，這將使得材料在電子遷移率方面性能有所下降。而曼徹斯特的研究人員開發(fā)的硒化銦具有一個(gè)固有的帶隙，因此不會影響材料的高電子遷移率。

根據(jù)發(fā)表在Nature Nanotechnology的論文所述，研究人員發(fā)現(xiàn)硒化銦的室溫電子遷移率為200 cm²/vs，其電子遷移率大大高于硅，甚至高于層狀二硫化物。

此外，隨著材料的厚度從體層減少到雙層，其帶隙增加量超過了0.5eV。這是多么令人印象深刻的性能啊！但是，如果無法找到防止環(huán)境條件（如氧氣和水分）破壞材料的方法，所有這些性能都是徒勞的。而曼切斯特的研究人員已經(jīng)通過開發(fā)在氬氣氣氛中合成材料這一方法完美的解決了這個(gè)問題。

石墨烯在過去十年來一直被研究用來制備新材料，雖然不確定硒化銦能否完全取代石墨烯，但是研究人員認(rèn)為，硒化銦可能會在相當(dāng)短的時(shí)間內(nèi)實(shí)現(xiàn)商業(yè)化。

該論文的作者兼國家石墨烯研究所（NGI）主任Vladimir Falko教授說道：“我們將不斷尋找新的層狀材料，嘗試將材料原子層分離為高質(zhì)量二維晶體，并將其應(yīng)用于光電子領(lǐng)域?！?/p>

原文鏈接：Indium Selenide Takes on the Mantle of the New Wonder Material.