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      內(nèi)存條

       昵稱38124300 2017-05-02

      發(fā)展過程
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      誕生

      起初,電腦所使用的內(nèi)存是一塊塊的IC,我們必須把它們焊接到主機板上才能正常使用,一旦某一塊內(nèi)存IC壞了,必須焊下來才能更換,這實在是太費勁了。后來,電腦設(shè)計人員發(fā)明了模塊化的條裝內(nèi)存,每一條上集成了多塊內(nèi)存IC,相應(yīng)地,在主板上設(shè)計了內(nèi)存插槽,這樣,內(nèi)存條就可隨意拆卸了,從此,內(nèi)存的維修和擴充都變得非常方便。

      發(fā)展

      內(nèi)存芯片的狀態(tài)一直沿用到286初期,鑒于它存在著無法拆卸更換的弊病,這對于計算機的發(fā)展造成了現(xiàn)實的阻礙。有鑒于此,內(nèi)存條便應(yīng)運而生了。將內(nèi)存芯片焊接到事先設(shè)計好的印刷線路板上,而電腦主板上也改用內(nèi)存插槽。這樣就把內(nèi)存難以安裝更換的問題徹底解決了。
      在80286主板發(fā)布之前,內(nèi)存并沒有被世人所重視,這個時候的內(nèi)存是直接固化在主板上,而且容量只有64 ~256KB,對于當(dāng)時PC所運行的工作程序來說,這種內(nèi)存的性能以及容量足以滿足當(dāng)時軟件程序的處理需要。不過隨著軟件程序和新一代80286硬件平臺的出現(xiàn),程序和硬件對內(nèi)存性能提出了更高要求,為了提高速度并擴大容量,內(nèi)存必須以獨立的封裝形式出現(xiàn),因而誕生了“內(nèi)存條”概念。
      在80286主板剛推出的時候,內(nèi)存條采用了SIMM(Single In-lineMemory Modules,單邊接觸內(nèi)存模組)接口,容量為30pin、256kb,必須是由8 片數(shù)據(jù)位和1 片校驗位組成1 個bank,正因如此,我們見到的30pin SIMM一般是四條一起使用。自1982年P(guān)C進入民用市場,搭配80286處理器的30pin SIMM 內(nèi)存是內(nèi)存領(lǐng)域的開山鼻祖。
      隨后,在1988 ~1990 年當(dāng)中,PC 技術(shù)迎來另一個發(fā)展高峰,也就是386和486時代,此時CPU 已經(jīng)向16bit 發(fā)展,所以30pin SIMM 內(nèi)存再也無法滿足需求,其較低的內(nèi)存帶寬已經(jīng)成為急待解決的瓶頸,所以此時72pin SIMM 內(nèi)存出現(xiàn)了,72pin SIMM支持32bit快速頁模式內(nèi)存,內(nèi)存帶寬得以大幅度提升。72pin SIMM內(nèi)存單條容量一般為512KB ~2MB,而且僅要求兩條同時使用,由于其與30pin SIMM 內(nèi)存無法兼容,因此這個時候PC業(yè)界毅然將30pin SIMM 內(nèi)存淘汰出局了。
      EDO DRAM(Extended Date Out RAM,外擴充數(shù)據(jù)模式存儲器)內(nèi)存,這是1991 年到1995 年之間盛行的內(nèi)存條,EDO-RAM同F(xiàn)P DRAM極其相似,它取消了擴展數(shù)據(jù)輸出內(nèi)存與傳輸內(nèi)存兩個存儲周期之間的時間間隔,在把數(shù)據(jù)發(fā)送給CPU的同時去訪問下一個頁面,故而速度要比普通DRAM快15~30%。工作電壓為一般為5V,帶寬32bit,速度在40ns以上,其主要應(yīng)用在當(dāng)時的486及早期的Pentium電腦上。
      IBM產(chǎn),CANDA制造的EDO內(nèi)存條

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