本文主要介紹最先進的CMOS圖像傳感器技術(shù)以及未來的發(fā)展。 圖像傳感器的定義和用途 圖像傳感器是一種將光學(xué)圖像轉(zhuǎn)換成電子信號的電子設(shè)備。轉(zhuǎn)換的方法因圖像傳感器的類型而異 · “模擬”CCD執(zhí)行光子到電子的轉(zhuǎn)換。 · “數(shù)字”CMOS圖像傳感器(CIS)執(zhí)行光子到電壓的轉(zhuǎn)換 圖像傳感器用于數(shù)碼相機和成像設(shè)備,將相機或成像設(shè)備接收到的光線轉(zhuǎn)換為數(shù)字圖像。 CIS vs. CCD 今天,有兩種不同的技術(shù)用于數(shù)字圖像采集(圖1): · 電荷耦合器件(CCD)是線性傳感器,其輸出與接收到的光子數(shù)量直接相關(guān)。 · 互補金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS,或CMOS圖像傳感器CIS)是一種較新的并行讀出技術(shù)。 這兩種類型的成像設(shè)備都將光轉(zhuǎn)化為電子(或電荷),隨后即可處理成電子信號。CCD的設(shè)計目的是將電荷逐個像素地移動,直到它們到達專用讀出區(qū)域放大器。CMOS圖像傳感器直接在像素上進行放大。更高級的CIS技術(shù)提供了一個并行讀出架構(gòu),其中每個像素都可以單獨尋址,或者作為一個組并行地讀出(參見圖1)。 CMOS傳感器的制造成本遠低于CCD傳感器。由于新型圖像傳感器的價格下降,數(shù)碼相機已經(jīng)變得非常便宜和普及。 在表1中,我們展示了CCD和CMOS架構(gòu)的主要區(qū)別。 每個都有獨特的優(yōu)點和缺點,在不同的應(yīng)用中各顯其能(用綠色表示)。 表1:CCD與CMOS架構(gòu)比較(來源:e2V) 圖2:CIS中的關(guān)鍵組件(來源:IBM,F(xiàn)SI) 圖3:::FSI vs. BSI BSI技術(shù)涉及到將圖像傳感器倒置,并將彩色濾光片和微透鏡應(yīng)用于像素的背面,以便傳感器可以通過背面收集光線。 BSI具有深光電二極管和短光路,從而具有更高的量子效率(1)(QE)和較低的串?dāng)_(2)(見圖4)。 圖4:串?dāng)_ (1)QE =轉(zhuǎn)換成為電子的光子的百分比 (2)電子串?dāng)_=相鄰像素之間的電荷(電子或空穴,取決于像素類型)的擴散。它由于底層的電子機制(擴散和漂移)而在硅材料中發(fā)生 BSI流程 使用BSI架構(gòu)制作CMOS圖像傳感器需要許多工藝步驟。兩種不同的BSI工藝流程Si-Bulk(圖5)和SOI(圖6)如下所示: 圖5:BSI Si-Bulk簡化流程 圖6:BSI SOI工藝流程(來源:Yole) CIS的全局快門(GS)與滾動快門(RS) “滾動快門”(RS)是一個技術(shù)術(shù)語,指的是圖像傳感器掃描圖像的方式。如果傳感器采用RS,則表示從傳感器的一側(cè)(通常是頂部)到另一側(cè)依次逐行掃描圖像。通常,CMOS圖像傳感器在RS模式下工作,其中曝光和快門操作逐行(或逐列)執(zhí)行。 “全局快門”(GS)也是一個技術(shù)術(shù)語,指的是可以同時掃描圖像的整個區(qū)域的傳感器。在GS傳感器中,使用所有像素同時捕獲圖像。GS架構(gòu)包括一個存儲器結(jié)構(gòu)和附加的MOS晶體管,以提供額外的功能。今天,大多數(shù)CIS成像器采用GS模式來避免失真和偽像,如寄生光敏感度(見圖7)。使用GS功能的CMOS圖像傳感器用于各種領(lǐng)域,包括廣播、汽車、無人機和監(jiān)控應(yīng)用。 圖7:滾動(左)與全局(右)快門模式 索尼在2012年推出了全球首款用于消費電子產(chǎn)品的堆疊芯片CIS相機系統(tǒng),2013年初,平板電腦中使用了8 MP ISX014堆疊芯片。第一代芯片采用了上一代TSV,將索尼制造的90nm CIS裸片的pad與65nm ISP的pad連接起來(來源:Chipworks)。 |
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