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      ssd知識(shí)小科普

       求知_時(shí)光 2018-01-08


      隨著SSD價(jià)格逐漸下探,雖然今年有回升的趨勢(shì),但是SSD憑借其強(qiáng)大的優(yōu)勢(shì),已經(jīng)攻占下了大量的市場(chǎng)。而隨著山寨SSD也雨后春筍般的出現(xiàn),消費(fèi)者在選購(gòu)SSD的時(shí)候則出現(xiàn)了一個(gè)問題:我該怎么買?今天就讓我們來(lái)講一下SSD的核心零件之一——閃存。

      P1:SLC MLC TLC QLC都是什么?3D閃存又是什么?


      首先,SLC是Single-Level Cell的縮寫,即1bit/Cell,每個(gè)單元只能存放1bit,兩種狀態(tài),即0或者1,在NAND里面可靠性最高,速度最快,擦寫壽命在10W左右,成本遠(yuǎn)高于MLC,所以目前零售市場(chǎng)已經(jīng)基本看不到SLC的產(chǎn)品。


      而MLC以此類推,MLC = Multi-Level Cell,即2bit/cell,每個(gè)單元可以存放2bit,可以存儲(chǔ)00、01、10、11四種狀態(tài),速度和壽命在NAND中處于中等水平。壽命根據(jù)顆粒品質(zhì),大概在1500~10000次PE之間(為什么不是3000~1W?后面會(huì)說(shuō)明)


      TLC顧名思義,Triple,3bit/Cell,每個(gè)單元可以存儲(chǔ)8種狀態(tài)??煽啃裕俣群蛪勖急容^差。壽命大概500~1000次PE。而因?yàn)镸ulti有多重的意思,所以三星也把TLC閃存稱為3bit-MLC。其實(shí)只是用來(lái)誤導(dǎo)大眾的稱呼,并不能掩蓋TLC的本質(zhì),QLC以此類推。





      簡(jiǎn)單總結(jié),可靠性&速度與價(jià)格上 SLC>MLC>TLC>QLC。

                                 

       



      而3D閃存則是將原本以平面排列的NAND單元改為垂直排列,這樣可以在單位面積一樣的情況下獲得更大的存儲(chǔ)空間。目前已經(jīng)出現(xiàn)了64層堆疊的3D NAND flash。三星還準(zhǔn)備在以后推出100層甚至更高堆疊層數(shù)的3D FLASH。當(dāng)然,根據(jù)廠家的不同,各家堆疊的方式也不同。

      由于目前SLC已經(jīng)很難買到,所以在選購(gòu)SSD的時(shí)候,容量一致的情況下,我們首選是MLC的SSD,尤其是你要用作系統(tǒng)盤的話,那MLC的SSD即便貴一些也是第一選擇。而TLC目前已經(jīng)占據(jù)了市場(chǎng)的大部分,個(gè)人更推薦小容量MLC SSD做系統(tǒng)+大容量TLCSSD做存儲(chǔ)盤的搭配 。


      P2:正片,白片,黑片,ES片,降級(jí)片與拆機(jī)片。




      正片,原片的一種,合格的die。是廠家以正規(guī)渠道出售給各大廠家的顆粒。出廠檢驗(yàn)合格,擁有正規(guī)的封裝,以及原廠標(biāo)識(shí)。在NAND顆粒中質(zhì)量最好 。例如下圖就是正規(guī)封裝的intel NAND閃存。




      而白片,也是原片的一種 。則是在封裝之后的再次進(jìn)行檢測(cè)時(shí)檢測(cè)出瑕疵的顆粒。從而被淘汰掉。雖然正片中是不能有白片這種顆粒的,但是晶圓廠為了回收成本,往往會(huì)將這些還未打標(biāo)的白片流給下游廠商,而這些廠商再把這些顆粒打上自己的標(biāo)識(shí)進(jìn)行出售。比如下圖就是一個(gè)打了金士頓標(biāo)識(shí)的白片。




      黑片則比白片更加糟糕,因?yàn)樗B原片都不是,在第一次篩選中就被淘汰掉了,沒有原廠封裝。而正常情況下,這些黑片是要被處理掉的電子垃圾。不能進(jìn)入市場(chǎng)。但是這些黑片在利益的驅(qū)使下還是會(huì)以各種渠道流給下級(jí)廠商。而因?yàn)闆]有原廠封裝,所以一般都是下級(jí)廠商自己封裝,這就使得黑片看起來(lái)就十分粗糙。(如下圖)在SSD中,黑片顆粒的產(chǎn)品是絕對(duì)不能買的,哪怕它再便宜。




      ES片和ES的CPU類似,都是在產(chǎn)品早期用于測(cè)試的。而ES片一般是在新制程初期用來(lái)測(cè)試電氣性能,可靠性等方面的顆粒。在顆粒中可靠性,穩(wěn)定性等都很差。當(dāng)然這些ES也通過了一些渠道流入市場(chǎng),你會(huì)在顆粒上發(fā)現(xiàn)一個(gè)大大的ES標(biāo)識(shí)。一般你會(huì)在山寨SSD上看到這些顆粒。

       

      而降級(jí)片則是閃存廠家在測(cè)試中發(fā)現(xiàn)不合格的產(chǎn)品,無(wú)法通過測(cè)試時(shí),就會(huì)對(duì)顆粒進(jìn)行降級(jí)并重新量產(chǎn),比如512GB的顆粒降級(jí)成256GB。這些顆粒正常使用還是沒什么問題的,但是可靠性還是很差,尤其是有些沒通過老化測(cè)試的降級(jí)片。


      最后就是拆機(jī)片,顧名思義,就是從老產(chǎn)品以及其他數(shù)碼產(chǎn)品上拆下來(lái)的顆粒,這種顆粒的可靠性無(wú)法保證,雖然可能很好,但是也不排除很差,因?yàn)槟銦o(wú)法弄明白它在被拆之前到底剩下多少壽命。因?yàn)楝F(xiàn)在顆粒緊缺,山寨SSD廠商無(wú)法拿到正規(guī)顆粒的情況下,往往就會(huì)用拆機(jī)片來(lái)生產(chǎn)SSD。而這些拆機(jī)片也不乏手機(jī)的UFS閃存等。


      簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō),SSD產(chǎn)品中,最好的是正片顆粒的,白片的也可以買,但是后面幾種,碰都不要碰。



      P3:為什么制程越先進(jìn),顆粒壽命就越短




      這就要從閃存的存儲(chǔ)原理說(shuō)起。NAND型閃存的擦和寫均是基于隧道效應(yīng),電流穿過浮置柵極與硅基層之間的絕緣層,對(duì)浮置柵極進(jìn)行充電(寫數(shù)據(jù))或放電(擦除數(shù)據(jù))。(見下圖)而這個(gè)絕緣層會(huì)隨著擦寫而耗損。而隨著制程的提升,F(xiàn)G層容納的電子會(huì)變少,而絕緣層也會(huì)變的越來(lái)越薄,所以耗損能力也會(huì)相應(yīng)降低,這就是為什么新制程的顆粒壽命反而越來(lái)越短的原因。以intel為例,40nm的MLC閃存壽命大約為5000次,而25nm僅為3000次,到了19nm只剩下2000,而部分廠商的16nmMLC閃存則只有1500次的壽命。同樣這個(gè)原理也能解釋為什么壽命SLC>MLC>TLC。

      P4:3DX Point



      3DX Point是一種由英特爾和美光科技于2015年7月宣布的非易失性內(nèi)存(NVM)技術(shù)。英特爾為使用該技術(shù)的存儲(chǔ)設(shè)備冠名Optane,而美光稱為QuantX。

      由于目前公眾所知仍然非常有限,所以我也無(wú)法對(duì)3D XPoint做出結(jié)論,但是可以知道的是,雖然3D XPoint和3D NAND兩項(xiàng)技術(shù)名字都是3D打頭,并且兩項(xiàng)技術(shù)都是由美光科技和英特爾共同研發(fā),但實(shí)際上二者有著根本性的不同。由目前可以知道的信息可以推斷,3DXpoint是一種PCM(相變)存儲(chǔ)器。因?yàn)閮杉以赑CM上面的合作已經(jīng)很多年了。


      3D XPoint是自1989年NAND閃存推出至今的首款基于全新技術(shù)的非易失性存儲(chǔ)器,集NAND類似的容量和DRAM類似的性能于一身,可說(shuō)是開創(chuàng)了一種全新的存儲(chǔ)類別。


      大致工作原理就是通過縱橫的字線位線之間的電阻值作為01二進(jìn)制信息,綠色塊的電阻用來(lái)儲(chǔ)存信息,也就是memory cell,selector(灰色快)可以控制改變綠色塊電阻,選擇讀或?qū)?。然而intel并沒有公布3D XPoint 的核心問題,也就是Selector 和MemoryCell 的工作原理和制作材料,這應(yīng)該是這個(gè)新器件的核心問題。



      但是目前3DX point閃存的產(chǎn)品仍舊過于昂貴,比如intel的900P,所以這里僅僅是給各位一個(gè)介紹。

      P5:last


      關(guān)于閃存的小知識(shí)這里就介紹這么多,其實(shí)就目前的市場(chǎng),個(gè)人只推薦sandisk,intel,三星,東芝,海力士等廠商的SSD,國(guó)內(nèi)組裝廠的SSD,你哪怕去買OEM的工包SSD,都比買這些廠商的強(qiáng)的多。各位在購(gòu)買SSD的時(shí)候,千萬(wàn)不要圖便宜,畢竟一分錢一分貨。



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