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      利用ADS和HFSS仿真微帶天線(xiàn)案例

       漢無(wú)為 2018-05-16


      01

      矩形微帶天線(xiàn)設(shè)計(jì)原理

      在工程上,微帶天線(xiàn)采用傳輸模法設(shè)計(jì),在PCB板上實(shí)現(xiàn),如圖1(a)所示:L是微帶天線(xiàn)長(zhǎng)邊,電場(chǎng)正弦變化;W是其寬邊,天線(xiàn)的輻射槽便是寬邊的邊沿;ΔL是由邊沿電容引起的邊沿延伸。圖1(b)給出其等效電路圖,可看成源阻抗通過(guò)長(zhǎng)為L(zhǎng)+2ΔL的傳輸線(xiàn)與負(fù)載阻抗ZL相連,其中ZS=ZL是輻射槽的阻抗;Zin是從輸入端口位置的輻射槽向里看的輸入阻抗,即不包含第一個(gè)輻射槽阻抗在內(nèi)的輸入阻抗。

      由具有任意負(fù)載阻抗的一段傳輸線(xiàn)的輸入阻抗公式可得(微波工程51頁(yè)):

      其中,Z0為寬度W的微帶線(xiàn)的特性阻抗,β為傳播常數(shù)。諧振時(shí),

      把(2)帶入(1)式得到:Zs=Zin=ZL。這也表明半波長(zhǎng)線(xiàn)不改變負(fù)載阻抗。ΔL、εe由以下兩個(gè)式子確定。

      其中,W為微帶天線(xiàn)的寬邊;h為介質(zhì)板的厚度;εr為相對(duì)介電常數(shù)。W值不是很關(guān)鍵,通常按照下面的式子確定:

      02

      矩形微帶天線(xiàn)ADS仿真設(shè)計(jì)。

      要求:PCB基片εr=3.5,厚度h=1mm,導(dǎo)體厚度T=0.035mm,工作頻率3GHz,輸入阻抗50Ω。


      2.1 幾何參數(shù)計(jì)算


      根據(jù)式(2)-(5)計(jì)算天線(xiàn)幾何參數(shù)。

      2.2 饋線(xiàn)設(shè)計(jì)、ADS LineCalc工具使用

      (1)啟動(dòng)LineCalc,如圖2所示。

      (2)Substrate Parameters 欄中,設(shè)置PCB參數(shù);Component Parameters 欄中,設(shè)置頻率;Electrical 欄中設(shè)置阻抗和電長(zhǎng)度。具體設(shè)置如下:

      相對(duì)介電常數(shù)Er: 3.5

      介質(zhì)厚度H: 1mm

      導(dǎo)體厚度T:0.035mm

      工作頻率Freq:3GHz

      特征阻抗Z0=50Ω

      電長(zhǎng)度E_Eff:180°

      其他為默認(rèn)值。

      (3)設(shè)置完成后,將Physical 欄中W和L的單位改成mm,然后點(diǎn)擊Synthesize 欄下的“向上箭頭”按鈕,在Physical 欄中得到饋線(xiàn)的寬度為2.219360mm,長(zhǎng)度為30.162200mm。然而實(shí)際設(shè)計(jì)中,由于需要匹配設(shè)計(jì),考慮到長(zhǎng)度影響天線(xiàn)的輻射特性,選取饋線(xiàn)長(zhǎng)度為5mm。


      2.3 版圖仿真。

      (1)ADS中創(chuàng)建一個(gè)工程,命名為antenna_wrk。

      (2)單擊

      命名為layout1。

      (3)單擊:Options→Preferences...→Units/Scale,設(shè)置Length:mm。

      圖3 Layout 仿真界面

      (5)單擊“EM按鈕”,可看到版圖的所有設(shè)計(jì),新建Substrate如圖4所示。

      圖4 EM和新建Substrate

      (6)點(diǎn)擊open 進(jìn)行Substrate設(shè)置,如圖5所示。

      圖5. 進(jìn)行Substrate 設(shè)置

      (7)如圖6進(jìn)行掃頻設(shè)置。

      圖6 掃頻設(shè)置

      (8)單擊Simulate或者“EM”按鈕,開(kāi)始仿真,添加S11圓圖,結(jié)果如圖7所示。在3GHz處,輸入阻抗為Z0*(0.337-j0.812)=16.85-j40.6。

      圖7. 初步仿真結(jié)果


      2.4 匹配優(yōu)化設(shè)計(jì)

      (1)根據(jù)電路知識(shí),天線(xiàn)在3GHz處等效為一個(gè)電阻和一個(gè)電容的串聯(lián),電阻R=16.85Ω,電容C=1.3pF。匹配原理是:在天線(xiàn)信號(hào)輸入端串聯(lián)一根50Ω的傳輸線(xiàn),在并聯(lián)一根50Ω的傳輸線(xiàn)。

      (2)新建原理圖cell_1。在Tlines-Microstrip、Lumped-Components、Simulation-S_param中添加所需控件。如圖8所示(圖中都為設(shè)置好的控件,并非初始狀態(tài))。

      圖8. 天線(xiàn)優(yōu)化匹配電路圖

      (3)TL1和TL2的L為優(yōu)化設(shè)計(jì)的變量,優(yōu)化設(shè)置方式如圖9所示。

      圖9. 優(yōu)化變量設(shè)置

      (4)目標(biāo)Goal和Optim設(shè)置設(shè)置如圖10所示。

      圖10. Goal和Optim設(shè)置界面圖

      (5)單擊優(yōu)化按鈕,得到優(yōu)化界面如圖11。TL1.L=10.9049mm,TL2.L=10.2208mm達(dá)到優(yōu)化目標(biāo)。

      圖11 優(yōu)化界面

      (6)達(dá)到優(yōu)化目標(biāo)后,ADS2016自動(dòng)彈出數(shù)據(jù)顯示窗口,添加S11,如圖12所示

      圖12 優(yōu)化仿真曲線(xiàn)


      2.5版圖再次仿真

      (1)將優(yōu)化后的TL1和TL2添加到版圖中去,如圖13所示。

      圖13. 優(yōu)化匹配后的layout圖

      (2)仿真結(jié)束后得到結(jié)果如圖14所示。從結(jié)果看,出現(xiàn)了0.05GHz的頻率偏移。

      圖14. 優(yōu)化仿真后的結(jié)果

      3. HFSS仿真設(shè)計(jì)

      (1)打開(kāi)HFSS,在HFSS里添加設(shè)計(jì)變量如下圖15所以。W為貼片天線(xiàn)的寬度,l為貼片天線(xiàn)的長(zhǎng)度,w50為50歐姆線(xiàn)寬,l1為串聯(lián)微帶線(xiàn)的長(zhǎng)度,l2為并聯(lián)微帶線(xiàn)的長(zhǎng)度,lfeed為饋線(xiàn)的長(zhǎng)度。

      圖15. HFSS設(shè)計(jì)變量圖表

      (2)在模型窗口畫(huà)好模型,設(shè)計(jì)仿真頻率2-4GHz,最后得到仿真結(jié)果如圖16所示。從結(jié)果來(lái)看仍有有0.02GHZ的頻率偏移,為了達(dá)到與設(shè)計(jì)的一致,我們進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì)。

      圖16 HFFS 模型以及仿真結(jié)果

      (3)由于貼片天線(xiàn)的寬度W對(duì)結(jié)果沒(méi)有影響,只需要對(duì)l、l1、l2三個(gè)量進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì)。如圖17所示。由于頻率我們想要頻率向左移,因此只需要優(yōu)化長(zhǎng)度往變大的方向,l1和l2的值也僅僅需要在一個(gè)很小值的范圍浮動(dòng)。

      圖17 優(yōu)化變量設(shè)計(jì)

      (4)優(yōu)化目標(biāo)設(shè)計(jì)如圖18所示,最后優(yōu)化結(jié)果及仿真結(jié)果如圖19、20所示,從結(jié)果來(lái)看已經(jīng)達(dá)到我們的設(shè)計(jì)目標(biāo)。

      圖18. 優(yōu)化設(shè)計(jì)目標(biāo)

      圖19. 優(yōu)化結(jié)果

      圖20. 最終仿真結(jié)果


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