技術(shù)趨勢是指,閃存NAND技術(shù)的3D架構(gòu)使閃存突破摩爾定律,單位成本變得更低,從而使得單位能耗也變得更低,對數(shù)據(jù)中心節(jié)能大有裨益。“相對于2D NAND,3D NAND突破了摩爾定律的限制,且擁有更先進的制程工藝,3D NAND是摩爾定律與后摩爾定律的分水嶺標(biāo)志性技術(shù),其突破了摩爾定律的限制,思路已不再局限在工藝納米數(shù),而是3D的層數(shù),就像蓋房子,在原有的面積上蓋得層數(shù)越高,容量也就越大,單位成本也就越低?!遍W迪全球技術(shù)開發(fā)部副總裁陳健表示。 由此可見,閃存技術(shù)將掀起新一輪的數(shù)據(jù)革命,云不再是飄忽的,將變得接地氣,容易親近。 |
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