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      嫦娥四號(hào)進(jìn)入環(huán)月軌道

       小男孩叫閆旗 2018-12-14

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      嫦娥四號(hào)進(jìn)入環(huán)月軌道

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      據(jù)國(guó)防科工局、國(guó)家航天局消息,12月12日16時(shí)45分,嫦娥四號(hào)探測(cè)器成功實(shí)施近月制動(dòng),順利完成“太空剎車(chē)”,被月球捕獲,進(jìn)入了近月點(diǎn)約100公里的環(huán)月軌道。16時(shí)39分,在航天飛行控制中心,科技人員發(fā)出指令,嫦娥四號(hào)探測(cè)器在距月面129公里處成功實(shí)施7500牛發(fā)動(dòng)機(jī)點(diǎn)火,約5分鐘后,發(fā)動(dòng)機(jī)正常關(guān)機(jī)。根據(jù)實(shí)時(shí)遙測(cè)數(shù)據(jù)監(jiān)視判斷,嫦娥四號(hào)探測(cè)器順利進(jìn)入環(huán)月軌道,近月制動(dòng)獲得圓滿成功。近月制動(dòng)的效率主要取決于反推發(fā)動(dòng)機(jī)的推力。嫦娥一號(hào)實(shí)施我國(guó)首次探月任務(wù)時(shí),由于發(fā)動(dòng)機(jī)推力較小,近月制動(dòng)分3次才完成。而此后的“嫦娥姐妹”配備了推力更大的減速發(fā)動(dòng)機(jī),均為“一腳剎車(chē),準(zhǔn)確入彎”。

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      人類(lèi)首次在太空3D打印出生物器官

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      俄醫(yī)療企業(yè)Invitro稱(chēng),俄羅斯宇航員利用國(guó)際空間站上的3D生物打印機(jī),設(shè)法在零重力下打印出了實(shí)驗(yàn)鼠的甲狀腺。該公司表示,未來(lái)甚至有望打印出人體器官,以促進(jìn)醫(yī)學(xué)研究的發(fā)展??臻g站上的俄羅斯宇航員科諾年科于莫斯科時(shí)間4日17時(shí)(北京時(shí)間4日22時(shí))開(kāi)始了人類(lèi)歷史上首次在太空中打印生物器官的工作。相關(guān)實(shí)驗(yàn)結(jié)果將于12月晚些時(shí)候返回地球,并于2019年2月公布。俄羅斯也成為世界上首個(gè)在太空打印出生物器官的國(guó)家。

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      小行星貝努上發(fā)現(xiàn)水痕跡

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      美國(guó)航天局今日稱(chēng)美國(guó)“奧西里斯-REx”探測(cè)器在貝努小行星上發(fā)現(xiàn)了水痕跡,這些水分被“鎖”在貝努小行星的粘土中。初步分析顯示,貝努小行星存在含氫氧基的分子,其中氫氧基由氫原子和氧原子相連組成。整個(gè)小行星的含水粘土材料中都存在氫氧基團(tuán),這意味著貝努的巖體曾在某個(gè)時(shí)間點(diǎn)上與水發(fā)生過(guò)反應(yīng)。研究人員說(shuō),貝努曾經(jīng)的母體——一個(gè)體積更大的小行星——曾在某個(gè)時(shí)間存在液態(tài)水。

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      新模型讓全球汞排放“有據(jù)可查”

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      作為一種對(duì)人體有害的重金屬,地球上的汞是如何循環(huán)分布的?天津大學(xué)地科院孫若愚副教授與哈佛大學(xué)、法國(guó)科學(xué)院圖盧茲地球環(huán)境研究所、南京大學(xué)等團(tuán)隊(duì)合作,歷時(shí)5年,建成了全球第一個(gè)動(dòng)態(tài)、全耦合、可拓展的全球汞同位素箱體模型,該模型首次加入了穩(wěn)定汞同位素多維分餾模塊,有助于更加精確地觀測(cè)記錄全球汞排放和循環(huán)數(shù)據(jù),從而幫助實(shí)現(xiàn)降低汞排放。當(dāng)今世界汞排放約為工業(yè)革命前的3至5倍。地表環(huán)境中的汞負(fù)荷顯著增加,并進(jìn)一步加劇了劇毒甲基汞在生物體特別是食用魚(yú)類(lèi)體內(nèi)的累積,危害人類(lèi)健康。全球汞循環(huán)模型綜合研究汞排放、遷移、轉(zhuǎn)化與沉降,能夠從理論上快速反演環(huán)境體中汞的歷史變化趨勢(shì),并預(yù)測(cè)未來(lái)汞排放所產(chǎn)生的環(huán)境影響。

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      美研制出迄今最小三維晶體管

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      日前,美國(guó)研究人員研制出一種新的三維晶體管,尺寸不到當(dāng)今最小商業(yè)晶體管的一半。他們?yōu)榇碎_(kāi)發(fā)了一種新穎的微加工技術(shù),可以逐個(gè)原子地修改半導(dǎo)體材料。他們對(duì)最新發(fā)明的化學(xué)蝕刻技術(shù)(熱原子級(jí)蝕刻)進(jìn)行了改進(jìn),以便在原子水平上對(duì)半導(dǎo)體材料進(jìn)行精確修改,利用這種技術(shù)制造出的CMOS三維晶體管可窄至2.5納米,且效率高于商用晶體管。

      -END-

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