2018年的存儲(chǔ)市場可謂跌宕起伏，上半年內(nèi)存、固態(tài)硬盤還是漲個(gè)不停，到了下半年價(jià)格終于開始松動(dòng)。內(nèi)存價(jià)格雖然還沒有降到2016年的低點(diǎn)，但是也沒那么離譜了，固態(tài)硬盤干脆來了個(gè)高臺(tái)跳水，大有取代機(jī)械硬盤的趨勢，機(jī)械硬盤還是波瀾不驚，不管其他硬件漲跌，始終保持幾年前的價(jià)格。

雖然去年的存儲(chǔ)市場十分不平靜，的那是大多都是價(jià)格方面的，在技術(shù)上并沒有什么創(chuàng)新，進(jìn)入2019年，存儲(chǔ)市場將迎來重大變化，下面我們就來看看有什么值得我們期待的產(chǎn)品和技術(shù)。

首先是內(nèi)存條大概率會(huì)繼續(xù)降價(jià)，業(yè)內(nèi)人士預(yù)測在今年，內(nèi)存價(jià)格將出現(xiàn)30%~35%的跌幅，為了阻止下跌勢頭，三星、美光等顆粒生產(chǎn)廠商都縮減了生產(chǎn)計(jì)劃，究竟能降多少還是個(gè)未知數(shù)。DDR4內(nèi)存利潤下降，DDR5內(nèi)存開始浮出水面，隨著英特爾和AMD在今年推出新平臺(tái)，DDR5內(nèi)存有可能變成現(xiàn)實(shí)。由于價(jià)格原因，DDR5內(nèi)存更可能出現(xiàn)在服務(wù)器平臺(tái)，它可以帶來更高的頻率，起步頻率達(dá)到4400MHz，最高可以達(dá)到6400MHz，比現(xiàn)在的DDR4內(nèi)存快一倍以上。另外DDR5內(nèi)存容量是16GB起步，這為大容量內(nèi)存條的普及鋪平了道路。

隨著3D NAND閃存降價(jià)，固態(tài)硬盤越來越便宜，1TB 固態(tài)硬盤的價(jià)格已經(jīng)降到千元以下，但是TLC顆粒還是制約了價(jià)格的進(jìn)一步下調(diào)，目前許多顆粒生產(chǎn)廠商開始把目光盯上了價(jià)格更便宜的QLC顆粒。QLC顆粒目前還是采用64層堆棧，今年的產(chǎn)品將大規(guī)模提升到96層堆棧，容量會(huì)進(jìn)一步提升。雖然這種顆粒的性能和使用壽命不如TLC顆粒，但是它是未來發(fā)展的趨勢，相信隨著技術(shù)的進(jìn)步，主控的完善，這些缺點(diǎn)將不再是問題，再加上便宜的價(jià)格，取代機(jī)械硬盤指日可待。

雖然固態(tài)硬盤的價(jià)格一再下降，但是對(duì)于有大容量存儲(chǔ)需求的用戶還是需要一款機(jī)械硬盤。今年，希捷采用HAMR熱磁輔助記錄技術(shù)的硬盤將上市，容量可以提升到18TB，未來容量還將有更大的提升，這也是機(jī)械硬盤跟固態(tài)硬盤相比唯一的優(yōu)勢了。

以上就是今年存儲(chǔ)市場將迎來的變化，有你期待的新產(chǎn)品嗎？