存儲原理 存儲原理示意圖:行選與列選信號將使存儲電容與外界間的傳輸電路導(dǎo)通,從而可進(jìn)行放電(讀?。┡c充電(寫入)。另外,圖中刷新放大器的設(shè)計(jì)并不固定,目前這一功能被并入讀出放大器(Sense Amplifier ,簡稱S-AMP); DLL 延遲鎖定回路(DLL)的任務(wù)是根據(jù)外部時(shí)鐘動態(tài)修正內(nèi)部時(shí)鐘的延遲來實(shí)現(xiàn)與外部時(shí)鐘的同步; DLL有時(shí)鐘頻率測量法(CFM,Clock Frequency Measurement)和時(shí)鐘比較法(CC,Clock Comparator); CFM是測量外部時(shí)鐘的頻率周期,然后以此周期為延遲值控制內(nèi)部時(shí)鐘,這樣內(nèi)外時(shí)鐘正好就相差一個(gè)時(shí)鐘周期,從而實(shí)現(xiàn)同步。DLL就這樣反復(fù)測量反復(fù)控制延遲值,使內(nèi)部時(shí)鐘與外部時(shí)鐘保持同步。 CC的方法則是比較內(nèi)外部時(shí)鐘的長短,如果內(nèi)部時(shí)鐘周期短了,就將所少的延遲加到下一個(gè)內(nèi)部時(shí)鐘周期,然后再與外部時(shí)鐘做比較,若是內(nèi)部時(shí)鐘周期長了,就將多出的延遲從下一個(gè)內(nèi)部時(shí)鐘刨除,如此往復(fù),最終使內(nèi)外時(shí)鐘同步。 CFM式DLL工作圖 CC式DLL工作圖 CFM與CC各有優(yōu)缺點(diǎn),CFM的校正速度快,僅用兩個(gè)時(shí)鐘周期,但容易受到噪音干擾,如果測量失誤,則內(nèi)部的延遲就永遠(yuǎn)錯(cuò)下去。CC的優(yōu)點(diǎn)則是更穩(wěn)定可靠,如果比較失敗,延遲受影響的只是一個(gè)數(shù)據(jù),不會涉及到后面的延遲修正,但它的修正時(shí)間要比CFM長。 CK#起到觸發(fā)時(shí)鐘校準(zhǔn)的作用,由于數(shù)據(jù)是在CK的上下沿觸發(fā),造成傳輸周期縮短了一半,因此必須要保證傳輸周期的穩(wěn)定以確保數(shù)據(jù)的正確傳輸,這就要求CK的上下沿間距要有精確的控制。但因?yàn)闇囟?、電阻性能的改變等原因,CK上下沿間距可能發(fā)生變化,此時(shí)預(yù)期相反的CK#就起到糾正的作用(CK上升快下降慢,CK#則是上升慢下降快)。 在寫入時(shí),以DQS的高/低電平期中部為數(shù)據(jù)周期分割點(diǎn),而不是上/下沿,但數(shù)據(jù)的接收觸發(fā)仍為DQS的上/下沿,DQS是雙向信號,讀內(nèi)存時(shí),由內(nèi)存產(chǎn)生DQS的沿和數(shù)據(jù)的沿對齊,寫入內(nèi)存時(shí),由外部產(chǎn)生,DQS的中間對應(yīng)數(shù)據(jù)的沿,即此時(shí)DQS的沿對應(yīng)數(shù)據(jù)最穩(wěn)定的中間時(shí)刻; 圖形解析 SDRAM在開機(jī)時(shí)的初始化過程 讀寫操作示意圖,讀取命令與列地址一塊發(fā)出(當(dāng)WE#為低電平是即為寫命令) 非突發(fā)連續(xù)讀取模式:不采用突發(fā)傳輸而是依次單獨(dú)尋址,此時(shí)可等效于BL=1,雖然可以讓數(shù)據(jù)是連續(xù)的傳輸,但每次都要發(fā)送列地址與命令信息,控制資源占用極大。 突發(fā)連續(xù)讀取模式:只要指定起始列地址與突發(fā)長度,尋址與數(shù)據(jù)的讀取自動進(jìn)行,而只要控制好兩段突發(fā)讀取命令的間隔周期(與BL相同)即可做到連續(xù)的突發(fā)傳輸。 讀取時(shí)預(yù)充電時(shí)序圖:圖中設(shè)定:CL=2、BL=4、tRP=2。自動預(yù)充電時(shí)的開始時(shí)間與此圖一樣,只是沒有了單獨(dú)的預(yù)充電命令,并在發(fā)出讀取命令時(shí),A10地址線要設(shè)為高電平(允許自動預(yù)充電)。可見控制好預(yù)充電啟動時(shí)間很重要,它可以在讀取操作結(jié)束后立刻進(jìn)入新行的尋址,保證運(yùn)行效率。 讀取時(shí)數(shù)據(jù)掩碼操作,DQM在兩個(gè)周期后生效,突發(fā)周期的第二筆數(shù)據(jù)被取消 寫入時(shí)數(shù)據(jù)掩碼操作,DQM立即生效,突發(fā)周期的第二筆數(shù)據(jù)被取消 |
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