電力晶體管按英文Giant Transistor——GTR，是一種耐高電壓、大電流的雙極結(jié)型晶體管（Bipolar Junction Transistor—BJT），所以有時(shí)也稱為Power BJT；但其驅(qū)動(dòng)電路復(fù)雜，驅(qū)動(dòng)功率大；GTR和普通雙極結(jié)型晶體管的工作原理是一樣的。

GTR是一種電流控制的雙極雙結(jié)大功率、高反壓電力電子器件，具有自關(guān)斷能力，產(chǎn)生于上個(gè)世紀(jì)70年代，其額定值已達(dá)1800V/800A/2kHz、1400v/600A/5kHz、600V/3A/100kHz。它既具備晶體管飽和壓降低、開關(guān)時(shí)間短和安全工作區(qū)寬等固有特性，又增大了功率容量，因此，由它所組成的電路靈活、成熟、開關(guān)損耗小、開關(guān)時(shí)間短，在電源、電機(jī)控制、通用逆變器等中等容量、中等頻率的電路中應(yīng)用廣泛。GTR的缺點(diǎn)是驅(qū)動(dòng)電流較大、耐浪涌電流能力差、易受二次擊穿而損壞。在開關(guān)電源和UPS內(nèi)，GTR正逐步被功率MOSFET和IGBT所代替。它的符號(hào)如圖1,和普通的NPN晶體管一樣。

電力晶體管的結(jié)構(gòu)

電力晶體管（Giant Transistor）簡稱GTR又稱BJT（Bipolar Junction Transistor），GTR和BJT這兩個(gè)名稱是等效的，結(jié)構(gòu)和工作原理都和小功率晶體管非常相似。GTR由三層半導(dǎo)體、兩個(gè)PN結(jié)組成。和小功率三極管一樣，有PNP和NPN兩種類型，GTR通常多用NPN結(jié)構(gòu)。

電力晶體管工作原理

在電力電子技術(shù)中，GTR主要工作在開關(guān)狀態(tài)。GTR通常工作在正偏（Ib>0）時(shí)大電流導(dǎo)通；反偏（Ib<>

電力晶體管特點(diǎn)

l 輸出電壓

可以采用脈寬調(diào)制方式，故輸出電壓為幅值等于直流電壓的強(qiáng)脈沖序列。

2 載波頻率

由于電力晶體管的開通和關(guān)斷時(shí)間較長，故允許的載波頻率較低，大部分變頻器的上限載波頻率約為1.2～1.5kHz左右。

3 電流波形

因?yàn)檩d波頻率較低，故電流的高次諧波成分較大。這些高次諧波電流將在硅鋼片中形成渦流，并使硅鋼片相互間因產(chǎn)生電磁力而振動(dòng)，并產(chǎn)生噪音。又因?yàn)檩d波頻率處于人耳對(duì)聲音較為敏感的區(qū)域，故電動(dòng)機(jī)的電磁噪音較強(qiáng)。

4 輸出轉(zhuǎn)矩

因?yàn)殡娏髦懈叽沃C波的成分較大，故在50Hz時(shí)，電動(dòng)機(jī)軸上的輸出轉(zhuǎn)矩與工頻運(yùn)行時(shí)相比，略有減小。

電力晶體管的基本特性

（1）靜態(tài)特性

共發(fā)射極接法時(shí)可分為三個(gè)工作區(qū)：

① 截止區(qū)。在截止區(qū)內(nèi)，iB≤0，uBE≤0，uBC<>

② 放大區(qū)。iB >0，uBE>0，uBC<0，ic>

③ 飽和區(qū)。iB >Ics/β，uBE>0，uBC>0，iCS是集電極飽和電流，其值由外電路決定。

結(jié)論：兩個(gè)PN結(jié)都為正向偏置是飽和的特征。飽和時(shí)，集電極、發(fā)射極間的管壓降uCE很小，相當(dāng)于開關(guān)接通，這時(shí)盡管電流很大，但損耗并不大。GTR剛進(jìn)入飽和時(shí)為臨界飽和，如iB繼續(xù)增加，則為過飽和，用作開關(guān)時(shí)，應(yīng)工作在深度飽和狀態(tài)，這有利于降低uCE和減小導(dǎo)通時(shí)的損耗。

（2）動(dòng)態(tài)特性

圖4-9 GTR開關(guān)特性

GTR在關(guān)斷時(shí)漏電流很小，導(dǎo)通時(shí)飽和壓降很小。因此，GTR在導(dǎo)通和關(guān)斷狀態(tài)下?lián)p耗都很小，但在關(guān)斷和導(dǎo)通的轉(zhuǎn)換過程中，電流和電壓都較大，所以開關(guān)過程中損耗也較大。當(dāng)開關(guān)頻率較高時(shí)，開關(guān)損耗是總損耗的主要部分。因此，縮短開通和關(guān)斷時(shí)間對(duì)降低損耗、提高效率和提高運(yùn)行可靠性很有意義。

電力晶體管的主要參數(shù)

（1）最高工作電壓

（2）集電極最大允許電流ICM

（3）集電極最大允許耗散功率PCM

（4）最高工作結(jié)溫TJM

二次擊穿和安全工作區(qū)

（1）二次擊穿

二次擊穿是影響GTR安全可靠工作的一個(gè)重要因素。當(dāng)GTR的集電極電壓升高至擊穿電壓時(shí)，集電極電流迅速增大，這種首先出現(xiàn)的擊穿是雪崩擊穿，被稱為一次擊穿。出現(xiàn)一次擊穿后，只要Ic不超過與最大運(yùn)行耗散功率相對(duì)應(yīng)的限度，GTR一般不會(huì)損壞，工作特性也不會(huì)有什么變化。但是實(shí)際應(yīng)用中常常發(fā)現(xiàn)一次擊穿發(fā)生時(shí)如不有效地限制電流，Ic增大到某個(gè)臨界點(diǎn)時(shí)會(huì)突然急劇上升，同時(shí)伴隨著電壓的突然下降，這種現(xiàn)象稱為二次擊穿。防止二次擊穿的辦法是：①應(yīng)使實(shí)際使用的工作電壓比反向擊穿電壓低得多。②必須有電壓電流緩沖保護(hù)措施。

（2）安全工作區(qū)

以直流極限參數(shù)ICM、PCM、UCEM構(gòu)成的工作區(qū)為一次擊穿工作區(qū)，以USB （二次擊穿電壓）與ISB （二次擊穿電流）組成的PSB （二次擊穿功率）是一個(gè)不等功率曲線。為了防止二次擊穿，要選用足夠大功率的GTR，實(shí)際使用的最高電壓通常比GTR的極限電壓低很多。

圖4-10 GTR安全工作區(qū)

圖4-11 GTR基極驅(qū)動(dòng)電流波形

驅(qū)動(dòng)與保護(hù)

1.GTR基極驅(qū)動(dòng)電路

（1）對(duì)基極驅(qū)動(dòng)電路的要求

①實(shí)現(xiàn)主電路與控制電路間的電隔離。

②導(dǎo)通時(shí)，基極正向驅(qū)動(dòng)電流應(yīng)有足夠陡的前沿，并有一定幅度的強(qiáng)制電流，以加速開通過程，減小開通損耗。

③GTR導(dǎo)通期，基極電流都應(yīng)使GTR處在臨界飽和狀態(tài)，這樣既可降低導(dǎo)通飽和壓降，又可縮短關(guān)斷時(shí)間。

④在使GTR關(guān)斷時(shí)，應(yīng)向基極提供足夠大的反向基極電流，以加快關(guān)斷速度，減小關(guān)斷損耗。

⑤應(yīng)有較強(qiáng)的抗干擾能力，并有一定的保護(hù)功能。

（2）基極驅(qū)動(dòng)電路

圖4-12 實(shí)用的GTR驅(qū)動(dòng)電路

2.集成化驅(qū)動(dòng)

集成化驅(qū)動(dòng)電路克服了一般電路元件多、電路復(fù)雜、穩(wěn)定性差和使用不便的缺點(diǎn)，還增加了保護(hù)功能。

3.GTR的保護(hù)電路

開關(guān)頻率較高，采用快熔保護(hù)是無效的。一般采用緩沖電路。主要有RC緩沖電路、充放電型R、C、VD緩沖電路和阻止放電型R、C、VD緩沖電路三種形式，如圖4-13所示。

圖4-13 GTR的緩沖電路

圖4-13a所示RC緩沖電路只適用于小容量的GTR（電流10 A以下）。圖4-13b所示充放電型R、C、VD緩沖電路用于大容量的GTR。圖4-13c所示阻止放電型R、C、VD緩沖電路，較常用于大容量GTR和高頻開關(guān)電路，其最大優(yōu)點(diǎn)是緩沖產(chǎn)生的損耗小。

電力晶體管電路分析

圖6-21所示為三相橋式PWM逆變電路，功率開關(guān)器件為GTR，負(fù)載為電感性。從電路結(jié)構(gòu)上看，三相橋式PWM變頻電路只能選用雙極性控制方式，其工作原理如下：

三相調(diào)制信號(hào)urU、urV和urW為相位依次相差120°的正弦波，而三相載波信號(hào)是公用一個(gè)正負(fù)方向變化的三角形波uc，如圖6-23所示。U、V和W相自關(guān)斷開關(guān)器件的控制方法相同，現(xiàn)以U相為例：在urU>uc的各區(qū)間，給上橋臂電力晶體管V1以導(dǎo)通驅(qū)動(dòng)信號(hào)，而給下橋臂V4以關(guān)斷信號(hào)，于是U相輸出電壓相對(duì)直流電源Ud中性點(diǎn)N‘為uUN' =Ud/2。在urU