世界第五大NAND閃存制造商SK海力士近日宣布，128層堆疊1太比特3D TLC閃存研發(fā)工作完成，將于下半年開始出貨。在SK海力士的宣傳中，多次出現的4D閃存到底是什么？新閃存的技術參數到底透露了哪些領先優(yōu)勢？

4D閃存是個什么鬼？

就像NVMe固態(tài)硬盤的M.3接口一樣，4D也屬于個別廠商自己提出的叫法，并沒有形成廣泛共識。從原理來說，SK海力士的4D閃存是將閃存當中的外圍功能電路放置于存儲單元之下，實現更緊湊的布局和更低的生產成本。

'4D閃存'中的技術并不是SK海力士首創(chuàng)，美光從64層堆疊3D閃存開始就已經應用了類似的CuA技術，我國長江存儲的Xstacking在原理上也是與之相通的。目前閃存供過于求，持續(xù)降低制造成本是每家閃存制造企業(yè)都必須面臨的現實需求。

SK海力士的新閃存先進在哪兒？

目前除長江存儲之外的世界各大閃存原廠都已經實現了96層3D閃存的量產，相關產品已經進入到固態(tài)硬盤應用，如三星970Evo Plus、東芝TR200（SBFM15.X固件）、金士頓KC2000等。但128層堆疊目前還停留在遠期方案當中，在96層3D QLC和128層3D TLC之間，廠商或許還要經過一系列的權衡。

海力士的128層堆疊的3D TLC可實現1Tb的單Die容量，同時它還應用了四平面技術，可以大幅提高閃存的寫入速度，尤其是SLC緩存以外的順序寫入性能。1.2V工作電壓和1400MT/s的IO總線速度可以降低數據在閃存?zhèn)鬏斶^程中的延遲，提高性能表現。

大規(guī)模應用還需等待：

盡管SK海力士此番宣布了下半年量產128層3D TLC的消息，但這并不意味著我們很快就能在固態(tài)硬盤中等到它。按照SK海力士的計劃，128層3D TLC閃存將首先應用于U盤和存儲卡這些對耐久性和可靠度要求較低的用途，計劃到2020年上半年引入到手機/平板等移動設備的UFS3.1閃存產品中。2020年更晚些時候，它才會進入2TB級客戶端SSD以及16TB以上容量的數據中心級固態(tài)硬盤。

在更遠的未來，SK海力士已經在準備176層堆疊技術，但目前還沒有具體的時間表。短期內我們可以期待的是96層堆疊技術的廣泛應用以及QLC的逐漸成熟。