導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間的物質(zhì)稱為半導(dǎo)體。純凈的半導(dǎo)體稱為本征半導(dǎo)體,其導(dǎo)電能力很弱,但是在本征半導(dǎo)體中摻入微量的其他元素就會使半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能發(fā)生顯著變化,且根據(jù)摻入雜質(zhì)的不同,分為N型和P型兩類。

>> 地線干擾抑制>> 工業(yè)現(xiàn)場信號隔離與放大   >> 電磁閥、比例閥門線性驅(qū)動器

>> 電磁開關(guān)線性控制器>> 電流信號放大或電壓信號驅(qū)動能力加強(qiáng)  >> 電磁驅(qū)動線圈或大功率負(fù)載>> 精度、線性度誤差等級： 0.2、0.5級>> 信號輸入/信號輸出 3000VDC隔離

>> 輔助電源與輸出信號不隔離>> 4-20mA/0-5V/0-10V等標(biāo)準(zhǔn)信號輸入>> 輔助電源：24V直流單電源供電>> 0-3A/0-5A等電流信號輸出>> 0~1V(max 5A)/0~10V/0-24V(max 5A) 等電壓信號輸出>> 工業(yè)級溫度范圍: - 45 ~ + 85 ℃>> 螺絲固定安裝，插拔式接線端子>> 尺寸：120 x 105 x 29mm

電壓

代碼

電流

代碼

0-5V

V1

0-1mA

A1

0-10V

V2

0-10mA

A2

0-75mV

V3

0-20ma

A3

0-2.5V

V4

4-20mA

A4

用戶自定義

Vz

用戶自定義

Az

供電電源

Power

代碼

24VDC

P1

輸出信號

電流

代碼

電壓

代碼

0-20mA

A3

0~5V

V1

4-20mA

A4

0-10V

V2

用戶自定義

Az

1-5V

V6

用戶自定義

Vz

隔離

信號輸入與信號輸出之間隔離，輔助電源與輸出信號不隔離

隔離耐壓

50Hz，1分鐘,漏電流1mA

3000

VDC

耐沖擊電壓

3.5KV， 1.2/50us(峰值)

工作溫度

-45

+85

℃

工作濕度

無凝露

10

90

%

存儲溫度

-45

+85

℃

存儲濕度

10

95

℃

1

IN+

模擬信號輸入正端

2

IN-

模擬信號輸入負(fù)端

3

PW+

電源正端

4

5

GND

電源負(fù)端

6

7

OUT+

模擬信號輸出正端

8

9

OUT-

模擬信號輸出負(fù)端

10

在硅(或鍺)的晶體中摻入五價元素(如磷、砷、銻等)后,雜質(zhì)原子取代了晶格中某些硅原子的位置。這種雜質(zhì)半導(dǎo)體中,電子的濃度比同一溫度下本征半導(dǎo)體中電子的濃度大許多倍,這就大大加強(qiáng)了半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力,把這種雜質(zhì)半導(dǎo)體稱為N型半導(dǎo)體。在N型半導(dǎo)體中,電子的濃度遠(yuǎn)大于空穴的濃度,所以將電子稱為多數(shù)載流子(簡稱多子),將空穴稱為少數(shù)載流子(簡稱少子)。

在硅(或鍺)的晶體中摻入微量的三價元素(如硼、鋁、銦等)后,雜質(zhì)原子的3個價電子與周圍的硅原子形成共價鍵時,出現(xiàn)一個空穴。這種雜質(zhì)半導(dǎo)體中空穴是多子,電子是少子,稱為P型半導(dǎo)體。