很多時(shí)候，記憶決定了我們是什么人，讓我們不忘往事，學(xué)習(xí)并記住新技能，以及為我們的人生做規(guī)劃。像計(jì)算機(jī)常常扮演人的延伸這一角色，內(nèi)存也起到同樣的作用。

說(shuō)到內(nèi)存，我們都知道它是與CPU進(jìn)行溝通的橋梁，在暫時(shí)存放CPU運(yùn)算數(shù)據(jù)、與硬盤(pán)等外部存儲(chǔ)器進(jìn)行數(shù)據(jù)交換等方面發(fā)揮著不可或缺的作用。所以，內(nèi)存的性能對(duì)一臺(tái)計(jì)算機(jī)的影響非常大。

我們?cè)谶x購(gòu)內(nèi)存時(shí)，一般會(huì)重點(diǎn)關(guān)注內(nèi)存頻率的大小，因?yàn)轭l率越高，內(nèi)存性能越好。這也是為什么很多商家選擇把頻率標(biāo)注在最顯眼地方的原因。不過(guò)除了頻率，內(nèi)存還有一個(gè)重要的指標(biāo)值得我們關(guān)注，那就是時(shí)序。內(nèi)存時(shí)序應(yīng)該如何解讀？是越大越好還是越小越好呢？

內(nèi)存時(shí)序由四個(gè)數(shù)字組成，表示內(nèi)存工作的速度或者延遲，和內(nèi)存頻率一樣，同樣代表了一款內(nèi)存性能的高低。我們以影馳名人堂DDR4-3600內(nèi)存時(shí)序?yàn)槔?，從左到由的?shù)字分別對(duì)應(yīng)的參數(shù)名詞為CAS（CL）,TRCD,TRP,TPAS。

我們可以把內(nèi)存存儲(chǔ)的地方想象成格盤(pán)，每個(gè)方格都存儲(chǔ)著不同的數(shù)據(jù)。CPU需要什么數(shù)據(jù)，就會(huì)向內(nèi)存發(fā)出指令，告訴它所需要數(shù)據(jù)的具體坐標(biāo)。比如說(shuō)需要的數(shù)據(jù)坐標(biāo)為C1。那么內(nèi)存就要先確定數(shù)據(jù)在哪一行。所以時(shí)序的第二個(gè)參數(shù)TRCD，就是指內(nèi)存控制器接收到行的指令后，需要等待多長(zhǎng)時(shí)間才能訪問(wèn)這一行。

在確定了行數(shù)之后，內(nèi)存需要進(jìn)一步確定數(shù)據(jù)所在第幾列，這一過(guò)程所花費(fèi)的時(shí)間就是第一個(gè)參數(shù)CAS。

第三個(gè)參數(shù)TRP，是指如果已經(jīng)確定了一行，還需要再確定另外一行需要等待的時(shí)間。而最后一個(gè)參數(shù)TPAS，可以簡(jiǎn)單理解成內(nèi)存寫(xiě)入或者讀取數(shù)據(jù)的時(shí)間，一般而言，TPAS大于或者等于CAS+TRCD+TRP的總和。

所以，在保證穩(wěn)定性的前提下，內(nèi)存時(shí)序越低越好。它與頻率一起，共同構(gòu)成了內(nèi)存性能的主要考核標(biāo)準(zhǔn)。

在這種情況下，保持高頻率在低延時(shí)狀態(tài)下穩(wěn)定運(yùn)行，成為了高端內(nèi)存需要具備的表現(xiàn)。在這背后，一個(gè)高性能的DRAM顆粒是必要的支撐。

對(duì)比全球主要DRAM顆粒類(lèi)型，性能參次不齊?，F(xiàn)代的MFR和AFR IC峰值頻率一般維持在3200-3333MHz（20%左右良率），60%良率集中在3000MHz；如果想超頻跑到3600-4000MHz，需要加壓到2V左右，時(shí)序中第一時(shí)間可以達(dá)到12，但是后兩個(gè)時(shí)序（tRCD和tRP）則必須在16-18之間。

鎂光最新20nm制程的IC量產(chǎn)頻率峰值可以達(dá)到3333-3466MHz（20%左右良率），3000MHz的良率在50%左右，極限超頻上暫時(shí)沒(méi)有驚艷之處；

而三星的B-DIE IC以高頻穩(wěn)定的特點(diǎn)，聲名在外。在極限超頻時(shí)CAS（CL）、TRCD、TRP三個(gè)時(shí)序完全同步，能夠保持時(shí)序C12-12-12運(yùn)行在3866-4300MHz（或更高）完成各類(lèi)世界記錄的Benchmark。 

綜合來(lái)看，DRAM顆粒孰好孰壞，大家心中現(xiàn)在已然有數(shù)。三星B-DIE憑借低延時(shí)、高頻率、高穩(wěn)定的特點(diǎn)深受超頻玩家欽慕，成為高端市場(chǎng)的嬌寵，例如影馳的名人堂系列內(nèi)存，就采用了三星的B-DIE IC。