NAND芯片，或者說(shuō)閃存芯片的身影處處可見(jiàn)：從手機(jī)ROM到電腦的固態(tài)硬盤、從路由器到存儲(chǔ)卡，都在用它作為數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)載體。然而，這小小的芯片常年由美、日、韓企業(yè)把持，價(jià)格大起大落。終于，長(zhǎng)江存儲(chǔ)實(shí)現(xiàn)了64層堆疊NAND的國(guó)產(chǎn)化，三星終于不敢隨便漲價(jià)了。

? 每年進(jìn)口上千億美元，價(jià)格卻曾被４家國(guó)外企業(yè)把持

作為“世界工廠”，任何原料和器件漲價(jià)，都直接關(guān)系到我國(guó)企業(yè)的成本和利潤(rùn)，以及老百姓買東西的價(jià)格。一般來(lái)說(shuō)，如果一個(gè)元器件沒(méi)有國(guó)產(chǎn)，國(guó)外企業(yè)都會(huì)開(kāi)出昂貴的價(jià)格。由于價(jià)格話語(yǔ)權(quán)在它們手中，國(guó)內(nèi)企業(yè)只能被動(dòng)接受。

而NAND恰恰是波動(dòng)較大、價(jià)格較高的元件之一。我國(guó)每年進(jìn)口的2000多億美元芯片中，大約一半是NAND和DRAM芯片（也就是內(nèi)存芯片）。這兩種芯片的供應(yīng)，被美、韓、日的4家企業(yè)壟斷，其中又以三星為最大，其生產(chǎn)節(jié)奏完全決定了價(jià)格。

最近一輪NAND和DRAM漲價(jià)，是從2016年下半年開(kāi)始的。實(shí)際上，有業(yè)內(nèi)人士在2016年上半年還在預(yù)測(cè)價(jià)格將下跌40%，結(jié)果三星、SK海力士、鎂光、東芝集體在2016年年中關(guān)閉2D NAND生產(chǎn)線、向3D NAND轉(zhuǎn)移，造成供應(yīng)量突然嚴(yán)重不足。

除此以外，三星、鎂光等公司都曾出現(xiàn)意外停產(chǎn)，進(jìn)一步加劇了供應(yīng)短缺和恐慌程度，價(jià)格居高不下。結(jié)果，幾大廠商有扭虧為盈的，有凈利潤(rùn)翻倍的，甚至對(duì)其進(jìn)行反壟斷調(diào)查都沒(méi)效果。

? 復(fù)制京東方的成功：有了國(guó)產(chǎn)，三星終于不敢漲價(jià)了

內(nèi)存和固態(tài)硬盤價(jià)格翻了幾倍，價(jià)格堪比等重量的黃金，因此內(nèi)存條又被戲稱為“金條”。甚至于有網(wǎng)咖老板感嘆，自己開(kāi)網(wǎng)咖不掙錢，結(jié)果因?yàn)橘u掉內(nèi)存和固態(tài)硬盤而大賺一筆。當(dāng)時(shí)就有人斷言，這是國(guó)外幾家公司趁著國(guó)產(chǎn)芯片量產(chǎn)之前，趕緊賺一筆的節(jié)奏。

轉(zhuǎn)機(jī)出現(xiàn)在2018年6月，長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布32層堆疊NAND閃存芯片量產(chǎn)，第一批總計(jì)10776顆將供應(yīng)給U盤等存儲(chǔ)產(chǎn)品。雖然在技術(shù)上還比較落后，但是64層和128層堆疊產(chǎn)品已經(jīng)出現(xiàn)在技術(shù)路線圖上。隨后，NAND價(jià)格開(kāi)始了自由落體式的暴跌。

這一次，意外停產(chǎn)也沒(méi)能拯救價(jià)格。今年6月15日，東芝-西數(shù)的工廠因斷電停產(chǎn)，部分生產(chǎn)線甚至一個(gè)多月后才逐步恢復(fù)運(yùn)作，據(jù)稱影響了全球10%的供應(yīng)。此外，還有日本對(duì)韓國(guó)原材料斷供等因素，但是市場(chǎng)根本沒(méi)有理會(huì)，價(jià)格依然在下跌。

這與顯示面板的成功有異曲同工之妙。在液晶面板國(guó)產(chǎn)之前，市場(chǎng)還由三星和LG等壟斷，65寸電視機(jī)價(jià)格分分鐘上萬(wàn)。而在國(guó)內(nèi)以京東方為代表的面板廠陸續(xù)實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化后，65寸電視的價(jià)格已經(jīng)跌破3000元。

? 中國(guó)人自己的技術(shù)體系開(kāi)始參與國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)

長(zhǎng)江存儲(chǔ)的國(guó)產(chǎn)芯片當(dāng)中，最引人矚目的是Xtacking技術(shù)的應(yīng)用。

最早的閃存芯片就像鋪地板，在晶圓平面上刻出一個(gè)一個(gè)存儲(chǔ)單元。但是受到面積的限制，容量走到了瓶頸，因此開(kāi)發(fā)出了新的技術(shù)：把存儲(chǔ)單元像堆箱子一樣堆疊起來(lái)，在芯片尺寸不變的情況下提高速度和容量，這也就是2D NAND向3D NAND轉(zhuǎn)變的實(shí)質(zhì)，而且層數(shù)越多難度越大。

但隨著芯片性能的提高，存儲(chǔ)單元的外圍電路越來(lái)越龐大。在3D NAND技術(shù)中，這些外圍電路只能并排放置在存儲(chǔ)單元旁邊。極端情況下，甚至能與存儲(chǔ)單元面積一樣大，讓人腦殼痛。

而國(guó)產(chǎn)芯片的Xtacking技術(shù)，就是把外圍電路也疊放在存儲(chǔ)單元上方。在Xtacking的加持之下，國(guó)產(chǎn)NAND芯片的I/O狂飆到3.0Gbps，是三星高端產(chǎn)品的２倍、市場(chǎng)主流產(chǎn)品的近３倍。

這種堆疊技術(shù)，是前所未有的。SK海力士同期推出的4D閃存，是為了降低成本，而把外圍電路放到了存儲(chǔ)單元的下面。除此以外，其他廠商還沒(méi)有類似的技術(shù)。換句話說(shuō)，中國(guó)自己的設(shè)計(jì)思路和技術(shù)體系開(kāi)始參與國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)。

? 明年將會(huì)是競(jìng)爭(zhēng)慘烈的一年

目前，長(zhǎng)江存儲(chǔ)已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了64層堆疊NAND芯片國(guó)產(chǎn)。實(shí)際上，按照幾大國(guó)際廠商的路線圖，今年本應(yīng)從64/72層堆疊轉(zhuǎn)向下一代的92/96層堆疊。但因?yàn)閮r(jià)格大跌、國(guó)產(chǎn)芯片量產(chǎn)等原因，大規(guī)模轉(zhuǎn)產(chǎn)出現(xiàn)停滯。

因此，國(guó)產(chǎn)NAND芯片的制作水平已經(jīng)追上了國(guó)際主流。而在明年各大廠商陸續(xù)導(dǎo)入128層堆疊的產(chǎn)品后，國(guó)產(chǎn)芯片也將首次在量產(chǎn)產(chǎn)品追上國(guó)際先進(jìn)水平。

接下來(lái)，國(guó)外廠商很可能用大幅降價(jià)與初出茅廬的國(guó)產(chǎn)芯片競(jìng)爭(zhēng)。畢竟，三星用過(guò)類似手段，將DRAM大佬——日本爾必達(dá)擠兌到在2012年破產(chǎn)。2020年，將會(huì)是競(jìng)爭(zhēng)慘烈的一年。