電磁爐灶在使用時，每當(dāng)將電源插頭插入電源插座接通市電時，其高壓電路就立即通電。正是這種供電方式，容易造成接插電源插頭時常因接觸不良打火，而使橋整流塊或igbt管擊穿損壞。

    在電磁灶中，高壓電路主要是為igbt管供電，igbt管是工作在開關(guān)狀態(tài)，其負(fù)載主要是lc振蕩回路。而同樣工作于開關(guān)狀態(tài)的彩電中的行掃描管卻不存在這樣的問題，這是因為一方面在彩電中供給行輸出管的集電極高壓是由開關(guān)穩(wěn)壓電源提供，而開關(guān)穩(wěn)壓電源一般都由主電源開關(guān)或二次開機(jī)電路控制，因此，不存在電源插頭接插不良所造成加在行管上的高壓斷續(xù)現(xiàn)象。

    另一方面在彩電中，行輸出管的最大允許反峰電壓一般不超過1500vp—p，但造成它擊穿的原因常見是行逆程電容失效、變值使行逆程反峰升高或是開關(guān)控制信號激勵不足。為防止這一點，在一些高檔彩電中常設(shè)置有行反峰過高保護(hù)電路(或x射線保護(hù)電路)，一旦行逆程反峰超過限定值，保護(hù)電路就會立即動作，并執(zhí)行二次關(guān)機(jī)功能，切斷加到行輸出管集電極的高工作電壓，從而不僅有效地保護(hù)了行輸出管，也起到了保護(hù)整機(jī)電路的作用。

    而在電磁灶中，雖然igbt管的反向擊穿電壓一般在1200v以上，但是，一旦因電源插頭接觸不良打火或lc回路中的振蕩電容不良或失效，便會在igbt管的c極激起超高的反峰脈沖，此時，盡管通過取樣電路及l(fā)339n(四比較器)能夠自動調(diào)節(jié)pwm調(diào)寬脈沖的占與空比，卻因反應(yīng)不迅速而起不到保護(hù)作用，而使igbt管遭到擊穿損壞，進(jìn)而連帶整流橋乃至諧振電容一起損壞。其保護(hù)功能不能及時起作用的主要原因就是沒能像彩電那樣及時切斷高壓供電電源，這與電網(wǎng)事故或災(zāi)害的搶救時，首先切斷電源的第一基本原則也不相符。雖然在電磁灶中設(shè)置有10a／250v(或15a／250v)電源保險絲，但在電源保險絲燒斷時，igbt管或橋整流器早已擊穿損壞，這樣的保護(hù)是不完善的。

    對此，小編總結(jié)出以下幾點：

    1、對電磁灶目前保護(hù)措施加以改進(jìn)

    建議選用帶有大于10a開關(guān)的高質(zhì)量排插作為電磁灶專用排插，在使用時待電磁灶插頭插好后，再接通排插上的開關(guān)，使電磁灶接通電源。當(dāng)電磁灶用畢并關(guān)閉電磁灶上的電源開關(guān)后，再關(guān)閉排插上的開關(guān)，最后拔下電源插頭，以避免插頭帶電插拔損壞tgbt管。

    2、改變電磁灶內(nèi)供電方式

    (1)改變電磁灶低壓供電源的供電方式，即低壓電源不通過300v高壓提供。在彩電中，總是先有低壓，后產(chǎn)生高壓，這樣相對比較安全，保護(hù)電路動作也能及時有效。

    (2)建議在igbt管發(fā)射極串接一只快速熔斷限流電阻。

    3、造成igbt管損壞的其他原因

    由于lgbt管相橋整流器損壞率最高，且費用也最高，所以是電磁灶故障檢修的重中之重。但igbt管和橋整流器損壞的原因除電源插頭接觸不良打火外，還有其他幾個重要原因：

    (1)lc并聯(lián)回路中的振蕩電容(常見型號有0.33uf／1200v或0．27uf／1200v等)不良、失效或變值等。

    (2)pwm脈沖積分濾波電容不良、失效或變值(常見型號有10uf／25v、4．7uf/50v等)，使激勵方波占空比改變。

    (3)300v高壓濾波電容(常見型號有5uf／275v)漏電。

    因此，在igbt管和橋整流擊穿的故障維修中，注意檢查上述3個電容是否正常是很重要的，也是注意區(qū)別igbt管和橋整流器擊穿損壞原因的一個主要依據(jù)。若檢查時上述3個電容正常(必要時可更換有疑問的電容來判斷)，則一般是電源插頭接觸不良所致。