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網(wǎng)絡(luò)轉(zhuǎn)載，如有問(wèn)題聯(lián)系刪除！謝謝！ 深度解析！關(guān)于Micro LED是時(shí)候了解下這些了....... 2019-07-02 · OLED industry 1 General Introduction Technology in Mini/Micro LED Production
Fig 1.1 General of Mini/Micro LED Technology (23) Micro LED 特指其尺寸在 3 – 10 μm 的自發(fā)光 LED。其現(xiàn)有主要潛在市場(chǎng)是高分辨率的家用消費(fèi)電子市場(chǎng)。 根據(jù)最終運(yùn)用場(chǎng)景的不同, Micro LED 可以直接在 Si、GaN 或者 Sapphire 等基底上制作高分辨率顯示屏供 VR 等產(chǎn)品使用, 也可以在襯底上制作完成后通過(guò)巨量轉(zhuǎn)移的方式將 Micro LED 芯片在更大尺寸且?guī)в羞壿嬰娐返幕迳线M(jìn)行組裝, 從而滿(mǎn)足手機(jī)和電視等大尺寸顯示屏運(yùn)用場(chǎng)景的需求。
Fig 1.2 Process Flow of Applying Micro LED for Large Size Display Use (11)
Fig 1.3 Example of processing method in micro LED (31) 和 AR/VR 等運(yùn)用場(chǎng)景中微小的屏幕尺寸相比, 手機(jī)、平板和電視上的屏幕尺寸較大。如果希望在這些場(chǎng)景中使用 Micro LED 甚至是 Mini LED, 則 LED 器件需要在基板上進(jìn)行分離, 并在較大的基底上進(jìn)行組裝: 在帶有驅(qū)動(dòng)電路的基板上僅進(jìn)行 LED 的組裝完成顯示屏幕的制作。常見(jiàn)的作法有將 LED 組裝到帶有 TFT 的基板上, 或分別將 LED 和驅(qū)動(dòng)芯片組在玻璃等基板上組裝等。該技術(shù)因?yàn)榇嬖谳^多的步驟, 其理論良率較低。 將 LED 和 CMOS 進(jìn)行整合使得每個(gè)單元有自己的驅(qū)動(dòng), 其后再在較大的基底上進(jìn)行組裝。該方式可以視為 Mini LED 做 Patch wall 技術(shù)的一種延伸。每個(gè)結(jié)構(gòu)單元上有自己的驅(qū)動(dòng), 理論上可以提高良率和減少后續(xù)修補(bǔ)工藝。
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b圖 Fig 1.4 Examples of processing method in micro LED (33)
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b圖 Fig 1.5 Examples of processing method in micro LED with integrated CMOS (33) 截至到 2019 年初, 在 Micro LED Display實(shí)現(xiàn)彩色分色上也主要兩種主要的器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)思路: 直接 RGB 分色 Micro LED 屏幕: 在該器件中, 分別采用 R、G 和 B 三種顏色的 Micro LED 來(lái)形成像素。 Micro LED 藍(lán)光 + 色轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu): 在該結(jié)構(gòu)中, 其主要思路是由藍(lán)色 Micro LED 發(fā)光激發(fā)對(duì)應(yīng)的 R 和 G 色轉(zhuǎn)換層來(lái)完成彩色的顯示。
Fig 1.6 Example of processing method in Micro LED + color conversion (31) 常規(guī)的 Display還是以玻璃基板+TFT 為基礎(chǔ)設(shè)計(jì)的。為了進(jìn)一步提高良率并減少轉(zhuǎn)移中的損耗, Yole 提出直接制作 Micro IC 形式來(lái)對(duì) Micro LED 顯示期間來(lái)進(jìn)行憑借。其具體思路是 (31) : 直接在硅片上制作多個(gè) IC 電路。 其后將 Micro LED Bonding 在電路上。 將帶有 Micro LED 的 IC 電路分成小片。 根據(jù)顯示屏幕需要組裝所需數(shù)量的 Micro IC 芯片。 該方法的優(yōu)點(diǎn)是其不需要 TFT 背板, 同時(shí)可以在 IC 代工廠里完成大部分的元件制作并有效的降低成本。 從屏幕生產(chǎn)的角度上來(lái)考慮, 工藝步數(shù)的減少可以有效的提高產(chǎn)品的良率。由此, 藍(lán)色 μLED + color conversion on CMOS 的方式存在較大的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。
Fig 1.6 Example of Micro IC from Celeprint (31)
Fig 1.6 Example of Micro LED with Micro IC from Yole (31) 2 Production in Details 2.1 Epitaxial Growth 因?yàn)?Micro LED 結(jié)構(gòu)中對(duì)功能層結(jié)晶態(tài)和結(jié)晶取向要求較高, Micro LED 需要在高度結(jié)晶的晶圓上進(jìn)行生長(zhǎng)。與 OLED 蒸鍍有一定的相似性, 隨著晶圓尺寸的增大, Micro LED 制作的數(shù)量和效率也會(huì)增大, 但是其成膜均勻性會(huì)收到一定的影響。 Micro LED 的主要生產(chǎn)材料是 GaN (紅色的 Micro LED 用 GaAs 而其他顏色則可以用 GaN。因?yàn)?GaAs 較難制作, 所以紅色 Micro LED 價(jià)格會(huì)比其他顏色更貴), 并采取側(cè)延生長(zhǎng)的方式在襯底上進(jìn)行制作 (1) : MOCVD (Metal-organic Chemical Vapor Deposition)(3) : MOCVD 是以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有機(jī)化合物和 V、Ⅵ族元素的氫化物等作為晶體生長(zhǎng)源材料, 以熱分解反應(yīng)方式在襯底上進(jìn)行氣相外延,生長(zhǎng)各種Ⅲ-V 族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半導(dǎo)體以及它們的多元固溶體的薄層單晶材料。通常 MOCVD 系統(tǒng)中的晶體生長(zhǎng)都是在常壓或低壓(10-100Torr)下通 H2 的冷壁石英(不銹鋼)反應(yīng)室中進(jìn)行,襯底溫度為 500 - 1200℃, 用直流加熱石墨基座(襯底基片在石墨基座上方), H2 通過(guò)溫度可控的液體源鼓泡攜帶金屬有機(jī)物到生長(zhǎng)區(qū)。與 MBE 相比, 其生長(zhǎng)速度快。
Fig 2.1.1 Example of MOCVD (1) MBE (Molecular Beam Epitaxy) (4) : 分子束外延是一種新的晶體生長(zhǎng)技術(shù), 簡(jiǎn)記為 MBE。其方法是將半導(dǎo)體襯底放置在超高真空腔體中, 和將需要生長(zhǎng)的單晶物質(zhì)按元素的不同分別放在噴射爐中(也在腔體內(nèi))。由分別加熱到相應(yīng)溫度的各元素噴射出的分子流能在上述襯底上生長(zhǎng)出極薄的(可薄至單原子層水平)單晶體和幾種物質(zhì)交替的超晶格結(jié)構(gòu)。分子束外延主要研究的是不同結(jié)構(gòu)或不同材料的晶體和超晶格的生長(zhǎng)。該法生長(zhǎng)溫度低, 能?chē)?yán)格控制外延層的層厚組分和摻雜濃度, 但系統(tǒng)復(fù)雜, 生長(zhǎng)速度慢, 生長(zhǎng)面積也受到一定限制。采用 MBE 方式進(jìn)行生長(zhǎng)時(shí), 其生長(zhǎng)的基板需要為單晶結(jié)構(gòu)。
Fig 2.1.2 Example of MBE (1) 在生長(zhǎng) Micro LED 時(shí)需要用到單晶的襯底/晶圓。常用于 Micro LED 生長(zhǎng)的晶圓有 (1) : 藍(lán)寶石襯底 SiC 襯底 GaN 襯底 從價(jià)格而言, 藍(lán)寶石沉底最便宜, 而 GaN 襯底最貴。而從器件的性能而言, GaN 襯底制作出的器件其性能更加的優(yōu)異 (1) 。 與 OLED 相比, 其兩者驅(qū)動(dòng)電路結(jié)構(gòu)基本相同, 但是區(qū)別是 Micro LED 可以承受更高的驅(qū)動(dòng)電流(1000A/cm2 vs 10 A/cm2) (1) 。 2.2 Approaches of Making μLED: Monolithic & Chiplet Micro LED 顯示屏有幾種不同的制作形式: Monolithic: 直接在襯底上制作 Micro LED Display (單色或多色疊層的 Micro LED)。
Fig 2.2.1 Monolithic Approach on Micro LED (1) Chiplet: 在基片上制作 Micro LED 后再將 Micro LED 切為小片并在其他面板上進(jìn)行組裝。該方法是現(xiàn)在較為常見(jiàn)的一種 Micro LED 制作方案。
Fig 2.2.2 Example of Chiplet Approach on Micro LED (1) 通過(guò) Monolithic 方式制作的 Micro LED 顯示屏通常在基板上已經(jīng)通過(guò)半導(dǎo)體工藝制作了邏輯電路。和 Chiplet 方式制作的Micro LED 顯示屏相比, 其優(yōu)點(diǎn)是具有更高的分辨率且更適合用于智能手表、Hud 抬頭顯示器和 AR/VR 等運(yùn)用場(chǎng)景。但是晶圓的尺寸限制了 Monolithic Micro LED 在大尺寸顯示場(chǎng)景下的運(yùn)用。為了將 Micro LED 運(yùn)用到顯示面積更大的環(huán)境, 如手機(jī)、電視和幕墻中,一般則采用 Chiplet 的方式來(lái)進(jìn)行 Micro LED 的制作。 Table2.1 Comparison Between Monolithic Approach and Chiplet Approach (1)
2.3 Transfer in Chiplet Method
Fig 2.3.1 Examples of Mass Transfer Method on Micro LED (10) 采用 Chiplet 方案制作 Micro LED Display的難點(diǎn)是如何無(wú)損的對(duì)芯片進(jìn)行 De bonding/Release、Transfer、Bonding 和電極 Wire。 根據(jù)巨量轉(zhuǎn)移的方式不同, 其又可以進(jìn)一步細(xì)分為不同的方法和方案: Pick & Place: 單片 Micro 的抓取與放置。采用 Pick & Place 方案時(shí), 因?yàn)榧夹g(shù)限制(如真空管吸取的物理極限等), 精度>30 μm 且需要 Micro LED 芯片尺寸大于 80 μm (13) /200 μm (7) 。傳統(tǒng)的Pick & Place 更加適合運(yùn)用到 Mini LED 的制作中。但是順應(yīng)著該技術(shù)邏輯, 該技術(shù)進(jìn)一步分化為 Fine Pick & Place 技術(shù) (13) 。 截至到 2018 年年中, 現(xiàn)有主流的 Fine Pick & Place 技術(shù)主要有三種: 1、靜電力 Static Electricity (13) : 采用具有雙極結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)移頭, 在轉(zhuǎn)移過(guò)程中分別施于正負(fù)電壓: Pick: 當(dāng)從襯底上抓取 LED 時(shí), 對(duì)一硅電極通正電, 由此 LED 就會(huì)吸附在轉(zhuǎn)移頭上。 Place: Place 過(guò)程需要對(duì)另外一個(gè)硅電極通負(fù)電, 從而釋放 LED 芯片。 但目前現(xiàn)況轉(zhuǎn)移設(shè)備(Pick ＆ Place)的精密度是±34μm(Multi－chipper Transfer) (16) 。 2、范德華力 Van der Waals Force (13) : 該工藝使用彈性印模(Elastomer PDMS Transfer Stamp), 結(jié)合高精度運(yùn)動(dòng)控制的打印頭, 利用范德華力進(jìn)行 LED 芯片的抓取與放置。
Fig 2.3.2 Examples of Static Electricity Method (13)
Fig 2.3.3 Examples of Van der Waals Force Method (13) 圖片來(lái)源：X-Celeprint 3、磁力 Magnetic (13) : 在 Micro LED 制作中計(jì)入含有磁性(Morganatic)的 bonding 層, 從而通過(guò)電磁的吸附和釋放來(lái)實(shí)現(xiàn) LED 芯片的抓取和放置。
Fig 2.3.4 Example of Magnetic Micro LED (1) Selective Release (13) : 該技術(shù)中略過(guò)了 Pick 的環(huán)節(jié), 而直接在原有的襯底上將 LED 進(jìn)行轉(zhuǎn)移。其技術(shù)實(shí)現(xiàn)的路徑用的比較多的方法是 LLO 技術(shù)。 LLO 技術(shù)常用與柔性 AMOLED 顯示屏技術(shù)生產(chǎn)。其基本原理是通過(guò)激光從背面照射需要 Debonding 的器件, 從而使得該部分區(qū)域和襯底脫離。當(dāng)用 LLO 中的激光照射 GaN 基板上,照射處的 GaN 會(huì)分解為金屬 Ga 和 N2 (13) 。 Self-Assembly: 該技術(shù)中最為常見(jiàn)的是 Fluid Self Assembly技術(shù), 其主要機(jī)理是通過(guò)不會(huì)改變 Micro LED 結(jié)構(gòu)的液體中介來(lái)實(shí)現(xiàn)芯片的轉(zhuǎn)移。 Fluid Self Assembly: 在 Micro LED 制作中計(jì)入含有磁性(Morganatic)的 bonding 層, 而于此同時(shí)需要 Bonding 的基板上保留含有磁性的 Micro LED 孔洞。其后將切割后的 Micro LED和基板放置于溶液中, 并依托磁力的作用使 Micro LED 契合在對(duì)應(yīng)的基板圖案上。
Fig 2.3.5 Example of Fluid Assembly (1) Roll Printing: R2R 技術(shù)。和其他技術(shù)相比, 其理論成本更低, 但是工藝難度和挑戰(zhàn)更大。
Fig 2.3.6 Example of Roll Printing Method by Rohinni (13) 在一些 Micro LED 轉(zhuǎn)移/轉(zhuǎn)印技術(shù)中, 需要用激光方式將 Micro LED 進(jìn)行 Lase Induced Forward Transfer(LIFT)。Coherent 指出通過(guò) LIFT 技術(shù), 其每個(gè)激光 Shot 可以轉(zhuǎn)移大概 10, 000 個(gè)芯片, 從而大幅度提高 Micro LED 轉(zhuǎn)移效率 (25) 。Coherent 其在 2018 年的思路是先將 Micro LED 通過(guò) LLO 的方式轉(zhuǎn)移到中間載體 Template 上, 其后再用 LIFT 將 Micro LED 轉(zhuǎn)移到最終的面板上。
Fig 2.3.7 Example of LLO & LIFT by Coherent 2018 (25)
Fig 2.3.7 Example of LIFT by Coherent 2018 (25) 于此同時(shí), QMAT 在 2018 年 iMiD 會(huì)議上也展出類(lèi)似技術(shù)并將其稱(chēng)為 Soft LLO (27) 。與 Coherent 思路不同的是 QMAT 直接在制作 Micro LED 時(shí)在中間加入 Transfer Release Layer, 然后采用脈沖LLO 將生長(zhǎng)有 Micro LED 的 Wafer 直接當(dāng)作 Template 來(lái)用 (27) 。
Fig 2.3.8 Example of Soft LLO by QMAT 2018 (27) 無(wú)論是哪種用法方式, 都需要一定的方式來(lái)將 Micro LED 從基板上脫離, 其后使其 Bonding 在目標(biāo)襯底上。根據(jù)脫離方式的不同, 可以將以上幾種巨量轉(zhuǎn)移方式進(jìn)行以下歸類(lèi) (34) : Mechanical Released Carrier (MRC): 用機(jī)械力進(jìn)行脫離。 Optical Released Carrier (ORC): 用激光的方式來(lái)進(jìn)行脫離。 OMRC (Optical – Mechanical Released Carrier): 激光和機(jī)械力混合脫離方式。 為了保證在最后襯底上 Bonding 后器件的良率, 一般可以考慮采取 Know Good Die(KGD)的方式(34) 在 Bonding 前進(jìn)行預(yù)先檢測(cè)。KGD 是一種預(yù)先檢測(cè)的方式, 在制作完 Micro LED 后直接對(duì)其器件進(jìn)行預(yù)點(diǎn)亮并進(jìn)行觀測(cè), 由此可以發(fā)現(xiàn)有缺陷的器件。在轉(zhuǎn)移過(guò)程中利用 KGD 檢查的結(jié)果可以跳過(guò)缺陷器件, 從而理論上提高了最終成品的良率。 2.4LED/Micro LED: Bonding
Fig 2.4.1 Example of LED Bonding (14)
Table 2.2 Example of LED Bonding (14) LED Bonding 的封裝技術(shù)隨著運(yùn)用場(chǎng)景和器件尺寸等的區(qū)別也各不相同。 Lamp: LED 芯片的直插引腳式(Lamp)最先研發(fā)成功并投放市場(chǎng)的 LED 產(chǎn)品, 技術(shù)成熟、品種繁多。通常支架的一端有“碗杯形”結(jié)構(gòu), 將 LED 芯片固定在“碗杯形”結(jié)構(gòu)內(nèi), 然后采用灌封封裝。灌封是先在 LED 模腔內(nèi)注入液態(tài)環(huán)氧樹(shù)脂, 然后插入壓焊好的引腳式 LED 支架并放到烘箱中讓環(huán)氧樹(shù)脂固化, 再?gòu)哪Ｇ恢忻撾x出 LED 即成型, 成為 LED 產(chǎn)品。直插式封裝技術(shù)的制造工藝簡(jiǎn)單、成本低, 有著較高的市場(chǎng)占有率。目前, 直插式引腳封裝的LED 通常是單色( 紅 色 、綠色、藍(lán)色)發(fā)光應(yīng)用于大屏幕點(diǎn)陣顯示、指示燈等領(lǐng)域。早期, 全彩的 LED 顯示屏是通過(guò)將紅色、綠色和藍(lán)色的 3 個(gè)或 4 個(gè) Lamp LED 器件做為一個(gè)像素點(diǎn)拼接成的。近年來(lái), RGB 三合一 Lamp LED 器件也在研發(fā)中, 以滿(mǎn)足高亮、高分辨、高效率拼接的要求。目前直插式 LED 主要應(yīng)用于戶(hù)外點(diǎn)間距在 P10 以上的大屏, 其亮度優(yōu)勢(shì)、可靠性?xún)?yōu)勢(shì)較明顯, 但由于戶(hù)外點(diǎn)間距也朝著高密方向發(fā)展, 直插受限于紅綠藍(lán) 3 顆器件單獨(dú)插裝, 很難高密化, 所以在戶(hù)外點(diǎn)間距 P10 以下逐漸被 SMD 器件替代 (14) 。
Fig 2.4.2 Example of Lamp Bonding (14) SMT/SMD: 表貼三合一(SMD)LED 于 2002 年興起, 并逐漸占據(jù) LED 顯示屏器件的市場(chǎng)份額, 使得市場(chǎng)從引腳式封裝轉(zhuǎn)向 SMD。表貼封裝是將單個(gè)或多個(gè) LED 芯片粘焊在帶有塑膠“杯形”外框的金屬支架上(支架外引腳分別連接 LED 芯片的 P、N 極), 再往塑膠外框內(nèi)灌封液態(tài)封裝膠, 然后高溫烘烤成型, 最后切割分離成單個(gè)表貼封裝器件。由于可以采用表面貼裝技術(shù)(SMT), 自動(dòng)化程度較高。與引腳式封裝技術(shù)相比, SMD LED 的亮度、一致性、可靠性、視角、外觀等方面表現(xiàn)都良好。SMD LED 體積更小, 重量更輕, 且適合回流焊接, 尤其適合戶(hù)內(nèi)、外全彩顯示屏的應(yīng)用。SMD LED 可分為支架式 TOP LED 和片式( Chip )LED 。前者常采用 PLCC(Plastic Leaded Chip Carrier)支架, 后者采用 PCB 線(xiàn)路板作為 LED 芯片的載體。PLCC 支架成本低, 但是在應(yīng)用中存在氣密性差、散熱不良、發(fā)光不均勻和發(fā)光效率下降等問(wèn)題。此外, 還有性能和光效更好的 PCT 及 EMC 材質(zhì)的支架, 但考慮到價(jià)格較貴, 暫未在 LED 顯示屏器件上廣泛應(yīng)用。SMD LED 器件封裝尺寸具有一定的局限性。當(dāng)封裝尺寸往 0808 更小尺寸封裝發(fā)展時(shí), 封裝的工藝難度急劇增大, 良率下降, 導(dǎo)致成本增加。這主要是受限于固晶、焊線(xiàn)、劃片(沖切)、焊線(xiàn)的設(shè)備精度等因素。另外, 在終端應(yīng)用的成本也會(huì)增加, 主要體現(xiàn)在貼裝設(shè)備的精度、貼裝效率等 (14) 。 SMT (9) : 表面貼裝電子元件技術(shù), 是 LCD 驅(qū)動(dòng)線(xiàn)路板的制造工藝之一。主要流程為印錫膏、貼元件、回流焊?？煽啃暂^高, 但體積大、成本高。
Fig 2.4.3 Example of SMD Bonding (14) COB: 板上封裝(Chip on Board 是一種將多顆 LED 芯片直接安裝在散熱 PCB 基板上來(lái)直接導(dǎo)熱的結(jié)構(gòu)。COB 集成封裝不但能夠減少支架成本和簡(jiǎn)化 LED 屏制造工藝, 還可以降低芯片熱阻, 實(shí)現(xiàn)高密度封裝。選用 COB 封裝的 LED 顯示屏在一定程度上擴(kuò)展了器件的散熱面積, 從而讓產(chǎn)生的熱量更為容易擴(kuò)散到外界。成本上, 與傳統(tǒng)的封裝方式相比, COB LED 顯示模塊在實(shí)際應(yīng)用中能夠節(jié)省器件的封裝成本。在相同功能的顯示屏系統(tǒng)中, 采用 COB LED 的顯示屏模塊比傳統(tǒng)顯示屏板總體成本少 30%以上 (14) 。 COB (9) : 比 SMT 更小型化的封裝方式。將裸片 IC 先用接著劑固定在 PCB 板上, 再用金線(xiàn)或鋁線(xiàn)將 IC pad 與 PCB 金手指進(jìn)行接合(打線(xiàn)), 最后涂敷黑膠、烘烤固化進(jìn)行保護(hù)。
Fig 2.4.3 Example of LED COB Bonding (14)
Fig 2.4.4 Process Flow Comparison of SMT and COB Bonding on mini LED (22) 如果希望將 Micro LED 技術(shù)運(yùn)用在手機(jī)、平板或電視的運(yùn)用場(chǎng)景的話(huà), 那么其 Bonding 的形式則與上述方法存在一定的差異。 對(duì)于 VR 或者智能手表這些尺寸較小的顯示屏而言, 可以直接在晶圓上制作電路和顯示屏。 對(duì)于手機(jī)和電視等尺寸較大的運(yùn)用場(chǎng)景而言, 需要先制作有 TFT 的基板, 其后再將 Micro LED 從襯底轉(zhuǎn)移到基板上。轉(zhuǎn)移時(shí), 根據(jù)轉(zhuǎn)移方式的不同, 又可以進(jìn)一步劃分為: Wafer Bonding (9) : 在 Wafer 上制作完圖案化的 Micro LED 后, 其直接轉(zhuǎn)移到有邏輯電路的基板上完成顯示屏制作。因?yàn)?Wafer 尺寸等限制, 其更適合與運(yùn)用在智能手表和 VR 等運(yùn)用領(lǐng)域。 Chip Bonding (9) : 先將在 Wafer 上制作好的 Micro LED 進(jìn)行切割, 其后再通過(guò) SMT 或 COB 方式對(duì) Micro LED 芯片進(jìn)行 Bonding。該方式可以用在 Micro LED Wall 等大尺寸運(yùn)用場(chǎng)景上。因?yàn)?SMT 和 COB 在芯片尺寸上的限制, 用該方式制作的 Micro LED 在尺寸上更趨近于 Mini LED 的范疇, 且其并不能適用于手機(jī)和平板的運(yùn)用場(chǎng)景的需要。 Media/thin film Bonding: 用薄膜等方式進(jìn)行轉(zhuǎn)印和 Bonding。和 Chip Bonding 的方式不同, 在該模式下不需要破壞原有的晶圓基板, 而 Micro LED 可以通過(guò)激光等方式從生長(zhǎng)的晶圓上剝離。由此可見(jiàn), 由于晶圓可以再次利用, 所以該方式的生產(chǎn)成本和 Chip Bonding 相比理論上會(huì)更為低廉。 Table 2.3 Wafer/Chip/Media 等 Bonding 形式對(duì)比 (15)
(a): 理論上在采取 COB 等形式 Bonding 時(shí) , 其間距有一定限制。估現(xiàn)階段認(rèn)為其暫時(shí)較合適用于 Display Wall 的制作
Fig 2.4.5 Bonding in Short (1)(7) 轉(zhuǎn)印后, 再根據(jù) Micro LED 芯片和目標(biāo)基板 Bonding 中使用的材料不同, 其技術(shù)可以又可以具體分為: Metal Bonding(7) : 該 Bonding 方式可以適用于 Flip Chip 等 Micro LED 器件的 Bonding。該 Bonding 方式的缺點(diǎn)是如果在較高的溫度下 Bonding 則有可能對(duì) Micro LED 進(jìn)行損傷, 而如果在較低的溫度下 Bonding, 則因?yàn)椴捎么罅肯∮薪饘俚木壒? 其制作成本會(huì)較高。Metal Bonding 主要有 2 種制作方式: 錫膏焊接: 對(duì)于 Mini LED 可以采用焊接方式來(lái)進(jìn)行制作, 一般可以用焊錫方式來(lái)進(jìn)行焊接。 共晶: 共晶方式主要用在 Flip Chip 型 LED 上。當(dāng)采用該方式在進(jìn)行 Bonding 時(shí), 其金屬接觸部分采用 Sn 或 Au-Sn 合金制作。當(dāng)基板加熱到合適的共晶溫度時(shí), Au 或 Ag 元素滲透到Sn 或 Au-Sn 合金當(dāng)中如(Au 80 Sn 20 wt%層)。隨著合金成分比的改變, 其熔點(diǎn)也發(fā)生變化, 從而是的共晶層固化且把 LED 芯片固定在基板上。共晶溫度由芯片底表金屬材料的耐熱程度而決定。在采用共晶方式進(jìn)行 Bonding 時(shí), 其技術(shù)的關(guān)鍵是共晶材料的選擇和溫度的控制。根據(jù)共晶方式的不同, 其又可以繼續(xù)分為助焊劑共晶和直接共晶。在采用這種焊接/共晶方式進(jìn)行 Bonding 時(shí), LED 需要制作金屬的焊接層, 如 Cu/Ni/Au、Cu/Sn 和 Cu /Sn/Cu 等。
Fig 2.4.6 Example of Cu/Sn/Cu bonding layer in vertical LED chip
Fig 2.4.7 共晶示例 Adhesive Bonding (7) : 該方式比較常見(jiàn)的 Bonding 材料是 ACF。但是隨著 Micro LED 尺寸的逐步減小, ACF Bonding 方式則逐步呈現(xiàn)出一定的局限性。因?yàn)?ACF 結(jié)構(gòu)的限制, ACF Bonding無(wú)法有效應(yīng)對(duì)小尺寸的 Micro LED Bonding 需求。隨著技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展和新材料的開(kāi)發(fā), lep 技術(shù)也被逐漸開(kāi)發(fā)起來(lái)。lep 是一種類(lèi)似 ACF 的白色膠體, 主要用于 bonding 和減少光的損失。在 lep 內(nèi)部?jī)?nèi)部亦有類(lèi)似與 ACF 的導(dǎo)電粒子的存在。(***待求證: ACF for micro LED; LEP for mini LED***) Micro Tube Bonding. (7) : 該 Bonding 方式由 Leti 提出?？梢杂糜?10 μm 左右的器件 Bonding 使用。Micro Tube 作為 Bonding 的媒介, 可以同時(shí)提供電學(xué)和力學(xué) Bonding 的只用。同時(shí)該結(jié)構(gòu)既可以生長(zhǎng)在 Micro LED 上, 又可以生長(zhǎng)在 TFT 上以減少 TFT 端的制作難度 (30) 。
Fig 2.4.8 Example of Micro LED bonding with Micro Tubes (30) 3 Structure of Micro LED 3.1Bandgap, Color & PN Junctio Micro LED 中發(fā)光顏色和半波寬等系數(shù)和發(fā)光區(qū)域能帶間隙有關(guān)。波長(zhǎng)和能帶間隙的關(guān)系可以下列公式得出: :
其中 h 為普朗克常量; c 為光速。 對(duì)于常見(jiàn)顏色來(lái)說(shuō), 其波長(zhǎng)和能量如下表所示 (19) 。
Table 3.1.1 Example of Wavelength & Energy & Color of RGB (19) 對(duì)于無(wú)機(jī)材料而言, 能帶間隙取決于材料組成和晶體結(jié)構(gòu), 對(duì)于常見(jiàn)的 LED 材料而言, 其半導(dǎo)體能帶、材料和能帶的關(guān)系如下圖所示 (20) 。
Table 3.1.2 Example of Wavelength & Bandgap & Color in Common LED Device (20) 在采取側(cè)延生長(zhǎng)方式制作 Micro LED 期間時(shí), 為了避免原子形成晶苞之間 Grain Dislocation 等缺陷的存在, 其參雜的材料和生長(zhǎng)基板間需要: 相同的晶體結(jié)構(gòu)。 晶體晶格類(lèi)似(Lattice Parameter)。 而無(wú)機(jī)材料的能帶間隙又和材料的成分組成和晶體結(jié)構(gòu)相聯(lián)系。所以在 Micro LED 生長(zhǎng)時(shí), 需要通過(guò)對(duì)材料成分的調(diào)整來(lái)達(dá)到合適晶體結(jié)構(gòu)和能帶間隙 (1) 。
Fig 3.1.1 Example of Bandgap & Material Composition & Lattice Parameter (21) 可見(jiàn)對(duì)于紅綠藍(lán)的 LED, 其生長(zhǎng)襯底可以分別選擇為 GaAs、GaP 和 SiC 襯底來(lái)進(jìn)行制作, 而白光的 LED 可以用 GaN 晶圓來(lái)進(jìn)行制作。GaAs、GaP 和 SiC (3C SiC 為 Zinc Blende, 而 4H 和 6HSiC 為 Hexagonal 結(jié)構(gòu)) 為 Zincblende 晶體結(jié)構(gòu), 而 GaN 為 Wurtzite 晶體結(jié)構(gòu)(一般為 GaN on Si 晶圓)。無(wú)論是在哪種襯底上進(jìn)行生長(zhǎng), 為了保證器件的有序和完整, 其生長(zhǎng)方向都需要盡可能地沿著材料的緊密排列方向進(jìn)行(Close Packing Direction)。 Table 3.1.3 Common Wafers in Semiconductor Industry (24)
除去半導(dǎo)體的能帶間隙數(shù)值意外, 在制作半導(dǎo)體器件時(shí)還需要注意的是其半導(dǎo)體能帶間隙類(lèi)型。 對(duì)于 Direct Band Gap 的材料而言, 其空穴和電子相結(jié)合的過(guò)程中產(chǎn)生是光子(Photon)。 對(duì)于 Indirect Band Gap 型材料, 因?yàn)槿?VB 和 CB 能帶最低和最高點(diǎn)不在統(tǒng)一方向, 所以空穴和電子在結(jié)合是產(chǎn)生聲子(Phonon)。聲子的產(chǎn)生伴隨著熱。所以該類(lèi)型期間的內(nèi)部量子效率偏低、發(fā)光有一定遲滯, 且伴隨著熱量的產(chǎn)生。 那么理論上對(duì)于常見(jiàn)的幾個(gè) LED 襯底而言, 可見(jiàn) GaP、AlGaP 和 SiC 等材料的為 Indirect Band Gap 材料。而 GaN 和 GaAs 為 Direct Band Gap 材料。Band Gap 的結(jié)構(gòu)也會(huì)隨著參雜的程度的改變而產(chǎn)生變化。例如 GaAs 向 AlAs 過(guò)度中其晶體能帶間隙就逐漸從 Direct Band Gap 向 Indirect Band Gap 進(jìn)行變化。 p-n 結(jié)是 LED 發(fā)光的核心結(jié)構(gòu)。與 OLED 等其他自放光器件類(lèi)似, 在 LED 中電子(e)和空穴(h)在 p-n 結(jié)中結(jié)合后發(fā)出光子發(fā)光。因?yàn)殡娮?e)和空穴(h)的濃度和傳輸速度存在一定的差異, 為了保證在 Micro LED 在工作時(shí)空穴或電子不會(huì)躍過(guò) p-n 結(jié)而在非發(fā)光區(qū)域進(jìn)行結(jié)合, 在實(shí)際器件中會(huì)加入 Hetero-Junction 結(jié)構(gòu)對(duì)載流子的流動(dòng)進(jìn)行限制, 從而使得其載流子只能在固定能級(jí)的 Hetero-Junction 內(nèi)進(jìn)行結(jié)合并發(fā)出特定波長(zhǎng)的光 (1) 。
Fig 3.1.2 Heterojunction in Micro LED (1)
Fig 3.1.3 Examples of Typical Structure of Micro LED on Sapphire Wafer (1) 3.1.1 Case Study: More on GaN substrate 如前文所示, GaN 可以作為生產(chǎn) Micro LED 的基板。一般的 GaN 基板需要在別的襯底上生長(zhǎng)而來(lái), 并根據(jù)生長(zhǎng)襯底的不同可以進(jìn)一步分為 GaN on Si 和 GaN on Sapphire。 GaN on Si 價(jià)格較為昂貴且襯底結(jié)構(gòu)較為復(fù)雜。其主要原因是因?yàn)?(29) : GaN 和 Si 的晶格常數(shù)有 17%的差異, 這些差異容易導(dǎo)致 GaN 表面產(chǎn)生缺陷。 GaN 和 Si 熱膨脹系數(shù)差異較大(CTE 有 57%的差異)。 以上的影響因素再加上制作工藝的影響導(dǎo)致了 GaN on Si 的制作工藝復(fù)雜和良率較低等問(wèn)題, 并堆高了售價(jià)。 在工業(yè)上對(duì)該方案的解決思路是通過(guò)加入不同的 buffer 層來(lái)減少 GaN 和 Si 之間的晶格差異以及 CTE 差異 (29) 。
Fig 3.1.4 Examples of GaN on Si (29) 3.2 Chip Structure: Vertical, Flip Chip & Nanowire 根據(jù) Micro LED 結(jié)構(gòu)的不同, Micro LED 可以再進(jìn)一步細(xì)分為: Vertical (5) : Vertical 結(jié)構(gòu)中存在的問(wèn)題是其電極因?yàn)椴辉谝粋€(gè)表面上, 所以在手機(jī)等運(yùn)用場(chǎng)景中其 Bonding 較為困難。 Face Up Chip (12) : Face Up 芯片為 LED 正裝芯片是最早出現(xiàn)的芯片結(jié)構(gòu), 也是小功率芯片中普遍使用的芯片結(jié)構(gòu)。該結(jié)構(gòu), 電極在上方, 從上至下材料為: P-GaN, 發(fā)光層, N-GaN, 襯底。所以, 相對(duì)倒裝來(lái)說(shuō)就是正裝。隨著 Micro LED 芯片運(yùn)用場(chǎng)對(duì) Bonding 區(qū)域區(qū)間的要求越來(lái)越小且由于芯片尺寸也逐步減少, 留給正裝芯片的引線(xiàn)布線(xiàn)空間可能不足。 Flip Chip (5) (12) : 該類(lèi)型芯片是為了避免正裝芯片中因電極擠占發(fā)光面積從而影響發(fā)光效率, 而對(duì)正裝芯片進(jìn)行倒置。從而使得使發(fā)光層激發(fā)出的光直接從電極的另一面發(fā)出(襯底最終被剝?nèi)? 芯片材料是透明的), 同時(shí), 針對(duì)倒裝設(shè)計(jì)出方便 LED 封裝廠焊線(xiàn)的結(jié)構(gòu), 從而, 整個(gè)芯片稱(chēng)為倒裝芯片(Flip Chip), 該結(jié)構(gòu)在大功率芯片較多用到。覆晶固晶機(jī)(Flip Chip Bonder)的精密度是±1.5μm(每次移轉(zhuǎn)為單一芯片) (16) 。 Nanowire 3D 結(jié)構(gòu) (1) (5) (7) 。Nanowire 3D 結(jié)構(gòu)一般在制作工藝如下: 先采用 Sapphire 基板并優(yōu)先的生長(zhǎng) n-GaN。 制作 Mask 進(jìn)行覆蓋且使得 n-GaN 只能沿著某一個(gè)特定方向進(jìn)行生長(zhǎng)。 當(dāng) n-GaN 成長(zhǎng)滿(mǎn)足需求時(shí), 再進(jìn)行 p-GaN 的制作以在表面形成 p-n 結(jié)。為了避免載流子的溢出, 可以在 p-n 結(jié)中加入 InGaN 激活層。 Vertical 和 Flip Chip 制作工藝相對(duì)而言較為簡(jiǎn)單, 但是隨著 Micro LED 尺寸的下降(< 3 μm) 其會(huì)發(fā)生 light Decay和 edge leakage (7) 。于此同時(shí), Nanowire 3D 結(jié)構(gòu)雖然制作工藝較為復(fù)雜, 但是其 在尺寸縮小的情況下發(fā)光面積依然較大, 所以其光效會(huì)更優(yōu) (7) 。 除去以上結(jié)構(gòu)外, 還有 Face up chip 結(jié)構(gòu)。該結(jié)構(gòu)和 Flip Chip 結(jié)構(gòu)相比, 其需要 Wire Bonding。因?yàn)?Bonding 需要區(qū)域較大, 其芯片尺寸一般大于 200 μm(屬于 Mini LED 范疇) (9) 。
Fig 3.2.1 Face Up Flip Chip, Vertical and Nanowire Structure Mini/Micro LED (2)(9)
Fig 3.2.2 Comparison between Face Up Chip & Flip Chip (9)
Fig 3.2.3 Examples of bonding in Face Up Chip and Vertical Micro LED (1) 如果 Micro LED 芯片其擁有襯底且出光在襯底反方向時(shí), 為了增加出光度, 需要在襯底底部制作反射圖案。以用 Sapphire 襯底制作 Face Up Chip Micro LED 為例, 為了增加其在特定方向上的出光。一般需要在玻璃襯底上制作圖案以增加出光率(PPS: Pattern Sapphire Substrate)。其后通過(guò)多次外延生長(zhǎng)、成膜和光刻的方式形成芯片圖案。
Fig 3.2.4 PSS on substrate (1)
Fig 3.2.5 Processing Flow of Face Up Chip (5) 傳統(tǒng)的 LED 顯示屏在芯片切割完畢后, 直接對(duì)整顆 LED 燈珠進(jìn)行封裝, 驅(qū)動(dòng)電路與芯片正負(fù)極連接, 驅(qū)動(dòng)封裝好的燈珠; 而 Micro LED 在光刻步驟后, 并不會(huì)直接封裝, 這是由于封裝材料會(huì)增大燈珠體積, 無(wú)法實(shí)現(xiàn)燈珠間的微距。需要將 LED 裸芯片顆粒直接從藍(lán)寶石基板轉(zhuǎn)移到硅基板上, 將燈珠電極直接與基板相連。 3.3 Micro LED with color conversion 如果單獨(dú)制作 RGB 三色的 Micro LED 并進(jìn)行巨量轉(zhuǎn)移, 其制程復(fù)雜且良率較低。為了得到更好的良率和轉(zhuǎn)移效率, 不少公司開(kāi)始嘗試用藍(lán)色 Micro LED + Color conversion 的方式來(lái)進(jìn)行制作MIceo LED 顯示器。其基本思路是用藍(lán)光的 Micro LED 進(jìn)行發(fā)光, 其后通過(guò)色轉(zhuǎn)換層進(jìn)行轉(zhuǎn)換從而實(shí)現(xiàn)分色效果。色轉(zhuǎn)換層可以是普通的 CF, 也可以是量子點(diǎn)。 當(dāng)采用量子點(diǎn)制作時(shí), 有各種不同的思路和制作方法。最為常規(guī)的做法是同光刻的形式來(lái)分別制作 RG 兩色的 QD 層并放置于藍(lán)色 Micro LED 上方。如果采用該方式來(lái)進(jìn)行制作, 其制程復(fù)雜且材料浪費(fèi)較大。個(gè)人認(rèn)為進(jìn)入消費(fèi)者市場(chǎng)存在一定的難度。 另外一種思路是用藍(lán)光激發(fā)混合發(fā)光層+常規(guī) CF 的方式來(lái)進(jìn)行發(fā)光, 該方式從理論上說(shuō)更為可行。但是發(fā)光所穿過(guò)功能層較多, 則屏幕亮度等參數(shù)會(huì)受到一定影響。 4 Limitations and Defects Micro LED 和別的顯示技術(shù)相比在現(xiàn)階段還是存在不少問(wèn)題, 比如在弱電流下的發(fā)光效率等。截至到 2018 年, 常見(jiàn)的 Micro LED Display 制作中存在的挑戰(zhàn)有: (6) Efficiency下降很大, 尤其 Red。 Transfer 問(wèn)題: Chip 太小、太薄?，F(xiàn)在 tool 無(wú)法 handle。 巨量轉(zhuǎn)移: 量太多, 現(xiàn)在速度不合適。 Yield: Chip * transfer: 99.999% * 99.999% ~ 20 PPM Repair: Redundancy修復(fù)時(shí)間過(guò)長(zhǎng)。 均勻性、大尺寸 wafer 6” → 8”。 Defect 4.1 Side-wall Effect (10) 當(dāng) Micro LED 尺寸下降到一定的范圍后(特別是 10 μm 以下), 其更容易從 LED 邊緣漏出, 從而形成 Side wall Effect/Edge Leakage。Side wall Effect 會(huì)導(dǎo)致 Micro LED EQE 的下降。隨著邊緣出光的比重提高, 需要對(duì) Micro LED 邊緣進(jìn)行一定的處理 (10) 。一種處理方式是僅對(duì)器件中部進(jìn)行電流注入而在邊緣保持 3μm 左右的緩沖區(qū)域 (17) , 從而避免 Sidewall 現(xiàn)象的產(chǎn)生。
Fig 4.1.1 Example of Side-wall Effect (10)
Fig 4.1.2 Influence of Side wall Effect (10) 4.2 Micro LED Repair Solution 在發(fā)現(xiàn)有缺陷的 Micro LED 芯片后, 需要將該芯片 De-bonding、然后清理干凈 Bonding 區(qū)域、重新選取合格芯片再重新 Bonding。PL 方式可以對(duì)尺寸較大的 Micro LED 芯片的劃痕、缺角和裂縫的缺陷進(jìn)行識(shí)別。但是當(dāng) Micro LED 芯片尺寸下降到 50 μm 以下時(shí), PL 方式則很難發(fā)現(xiàn)各種缺陷。在此種情況下, Toray 采取 EL 的方式進(jìn)行識(shí)別。 在 EL 模式下, 每個(gè) Micro LED 芯片會(huì)有一個(gè) Primary 電路和一個(gè) Redundancy電路。在一般情況下 Redundant 電路并不會(huì)被開(kāi)啟。當(dāng) Micro LED 芯片在 Primary 電路下點(diǎn)亮并被發(fā)現(xiàn)存在缺陷時(shí), 其會(huì)將信號(hào)傳遞給 IC 芯片, 從而 Redundant 電路被開(kāi)啟。
Fig 4.2.1 Example of EL (7) 為了更有效的減少修復(fù)的時(shí)間, Yole 在 2018 年提出一種新的解決方案。該方案的基本原理是在 Micro LED 進(jìn)行 Bonding 時(shí), 其對(duì)于單個(gè)功能區(qū)域一次性 Bonding 2 個(gè) Micro LED 芯片。比如對(duì)于單一像素內(nèi)的 R、G 和 B 三子像素內(nèi)做 2 個(gè) R Micro LED、2 個(gè) G Micro LED 和 2 個(gè) B Micro LED, 且在實(shí)際使用中每個(gè)子像素內(nèi)只點(diǎn)亮 1 個(gè) Micro LED 芯片。這么做的優(yōu)點(diǎn)是在后續(xù)檢測(cè)中如果發(fā)現(xiàn)單一像素內(nèi)存在故障或損壞的 Micro LED, 可以通過(guò)斷開(kāi)其鏈接電極的方式來(lái)進(jìn)行修復(fù)以達(dá)到減少修復(fù)時(shí)間的目的。(如果轉(zhuǎn)移良率很高且不存在壞點(diǎn), 該方法還存在可以在采用 PWM 調(diào)灰度時(shí)減少眼部壓力的可能性。) 但是該方式也存在其缺點(diǎn): 轉(zhuǎn)移時(shí)間變長(zhǎng)。雖然修復(fù)的時(shí)間變短, 但是為了實(shí)現(xiàn)統(tǒng)一分辨率屏幕的制作, 其需要轉(zhuǎn)移 2×于子像素?cái)?shù)目的 Micro LED 芯片。由此其前端制作成本會(huì)較高, 同時(shí)其制作時(shí)間也較長(zhǎng)。 Yole 現(xiàn)階段展示的技術(shù)用于 Vertical Micro LED 結(jié)構(gòu), 至于去是否能夠用于 Flip 型 Micro LED 還需要進(jìn)一步探討。
Fig 4.2.2 Example of Yole’s Approach to reduce Redundant (26) 4.3 Weak Current Micro LED 與 OLED 類(lèi)似, 都是電流驅(qū)動(dòng)型的器件。除去以上列出的挑戰(zhàn)外, Micro LED 在 TV 市場(chǎng)的運(yùn)用還存在 Weak Current 驅(qū)動(dòng)的障礙。若考慮到子像素的數(shù)量的話(huà), 一個(gè) FHD 的顯示屏上 存在上百萬(wàn)顆子像素點(diǎn)。如果這幾百萬(wàn)的子像素點(diǎn)在常規(guī)操作電流下進(jìn)行點(diǎn)亮(10 μA~ 100 μA), 則面板的亮度會(huì)過(guò)高。但是如果通過(guò)采取降低操作電流的方式來(lái)控制亮度, 那么則存在操作電流亮度過(guò)低的問(wèn)題 (17)。 根據(jù) Mikro Mesa 董事長(zhǎng)陳立宜的假設(shè) (17), 一個(gè) 55” FHD 的 Micro LED 電視如果其最大功耗是 18 W, 則其亮度介于 600 ~ 1500 nit(與 外部量子效率和 內(nèi)部量子效率有關(guān))。如果該器件的電壓 = 3, 則其每個(gè)子像素的驅(qū)動(dòng)電流為:
依托上述計(jì)算結(jié)果來(lái)模擬 Micro LED 芯片大小后, 則有(假設(shè) Total Current 為 6 A): 可見(jiàn), 如果 Micro LED 芯片尺寸超過(guò) 50 μm × 50 μm 時(shí), 用在大尺寸電視場(chǎng)景中其亮度為了保持 1000nit 以下, 其去操作電流會(huì)遠(yuǎn)小于 1A/cm 2 。 (17) 對(duì)于一般的 LED 來(lái)說(shuō), 當(dāng)電流密度在 1 ~ 100 A/cm 2 是其有較高的量子效率。如果驅(qū)動(dòng)電流過(guò)低, 則期間容易收到 Surface State 表面態(tài)、Deep Level 和 Defects 等影響造成器件可靠度下降和顯示效果降低等問(wèn)題 (17) 。從下圖來(lái)看, LED 的理想操作電流在 5 ~ 100 A/cm 2 之間(Micro LED 有很高的動(dòng)態(tài)發(fā)光范圍優(yōu)點(diǎn))。
Fig 4.3.1 Current Density v.s. η IQE (18)
Fig 4.3.2 Micro LED I-V 曲線(xiàn) (17)
Fig 4.3.3 Micro LED I-V 理想驅(qū)動(dòng)電流區(qū)域 (17) 其中一種解決方案是僅僅對(duì) Micro LED 中間部分進(jìn)行高密度電流注入并將發(fā)光區(qū)域限制到 3 μm × 3 μm。通過(guò)這種注入方式可以在提高電流密度的同時(shí), 控制器件的發(fā)光亮度。因?yàn)槠浒l(fā)光區(qū)域和邊緣有大于 3 μm 的間隙, 所以 Sidewall 漏光問(wèn)題也能得到較好的解決。
First Approach
Second Approach Fig 4.3.4 Example of Current Injection Zone Design from Mikro Mesa (17) 4.4 Heating Issue (Under C) 可能導(dǎo)致 LED 過(guò)熱的問(wèn)題的原因?yàn)? 內(nèi)部量子效率問(wèn)題: 內(nèi)部量子效率不高的原因之一是電子和空穴復(fù)合時(shí)不能 100%的產(chǎn)生光子(通過(guò)聲子產(chǎn)生熱)。 外部量子效率問(wèn)題: 內(nèi)部產(chǎn)生的光子無(wú)法全部射出到芯片外部, 從而在內(nèi)部進(jìn)行轉(zhuǎn)化從而產(chǎn)生熱。(主要原因之一)。 隨著溫度的升高, LED 的壽命會(huì)下降。 聲明：轉(zhuǎn)載請(qǐng)向作者申請(qǐng)授權(quán)，未經(jīng)許可擅自使用者，將追究其法律責(zé)任。 Reference 1. Ioannis John Kymissis, Fundamental of Micro LED Displays, SID 2018 (2018) 2. 張嘉弘, 從背光到自發(fā)光: Micro LED 的未來(lái)展望, Cinno Research 3. MOCVD, 百度百科 4. MBE(分子束外延), 百度百科 5. 天風(fēng)證券, Micro LED 點(diǎn)亮新一代顯示技術(shù), Wechat 6. Epistar, Innovative LED Technologies for Applications of Next-generation Display (2017) 7. ITRI, Micro LED 技術(shù)、應(yīng)用與未來(lái)發(fā)展趨勢(shì) (2017) 8. TrendForce, LEDinside, Micro LED Next Generation Display Technology Report 1Q 18 (2018) 9. 終極顯示技術(shù) Micro LED, CTimes (2018) 10. LED 的微縮化之路, Snow Intelligence (2018) 11. Francois J. Henley, Materials, Process and Production Equipment Considerations to Achieve High-Yield MicroLED Mass-Production, QMAT (2018) 12. LED 倒裝芯片知識(shí) 360 度解析, 中華顯示網(wǎng), 13. BOE 知識(shí)酷, 三星、LG 發(fā)力 Micro LED, 它難點(diǎn)在哪？又有哪些陣營(yíng)在研究呢？, WeChat, 14. BOE 知識(shí)酷, 從直插到 Micro LED 顯示器件封裝發(fā)展趨勢(shì), WeChat 15. LEDinside of TrendForce Corp, Micro LED 歷史、現(xiàn)況、原理製程及企業(yè)戰(zhàn)力分析, 16. MicroDisplay, Micro-LED 顯示技術(shù)市場(chǎng)空間測(cè)算及最新布局進(jìn)展, WeChat 17. 陳立宜, CEO from Mikro Mesa, MicroLED Display Industrial Prospective, International Micro LED Display Conference (2017) 18. Aurélien David and Michael J. Grundmann, Philips Lumileds Lighting Company, Influence of polarization fields on carrier lifetime and recombination rates in InGaN-based light-emitting diodes, Apply Physics Letters, 97, 033501 19. Kimberly Edwards, Chem 2LA, Chem 2L Majors & Honors General Chemistry Lab, http: //faculty.sites.uci.edu/chem2l/files/2011/04/RDGsemiconductor.pdf (2011) 20. Light Emitting Diode, AEROCHAPTER 21. Christian-Albrechts-University zu Kiel, 5.1.4 Wavelength Engineering 22. HC SemiTek, Mini LED 的 COB 封裝形式, 行家 Point ·Mini LED 研究及商業(yè)化研討會(huì)(2018) 23. Kulicke & Soffa | Technology, Technology Involved, 行家 Point ·Mini LED 研究及商業(yè)化研討會(huì)(2018) 24. Semiconductor Wafer, Inc 25. Coherent, 激光讓未來(lái)更具柔性, DIC 2018 (2018) 26. Dr. Zine Bouhamri, Yole Development, Micro LED is not ready yet but is progressing on all fronts, iMiD 2018 (2018) 27. Dong S. Lee, QMAT Inc, Engineered EPI-Ready Substrate Enabling Novel Test and Mass-Transfer for Micro LED Display Mass-Production, iMiD 2018 (2018) 28. Xinbo Zou; XuZhang and others, Vertical LEDs on Rigid and Flexible Substrates Using GaN-on-Si Epilayers and Au-Free Bonding, IEEE Transactions on Electron Devices, Vol 63, Issue 4, Pp 1587 (2016) 29. Plessey, GaN on Silicon Platform for Micro LEDs, 2nd International Micro LED Summit (2018) 30. Leti, Challenges for High-Performance GaN MicroLED Displays, 2nd International Micro LED Summit (2018) 31. Eric Virey, Yole Developpement, Status of the Micro Led industry, SID 2019 (2019) 32. Fangwang Gou & etc, University of Central Florida & AUO, High Efficiency Color-Converted Micro-LED Displays, SID 2019 (2019) 33. F. Templier, Grenoble Université Alpes, A New Approach for Fabricating High-Performance MicroLED Displays, SID 2019 (2019) 34. Francois J. Henley, Tesoro Scientific, Inc, Evaluating In-Process Test Compatibility of Proposed Mass-Transfer Technologies to Achieve Efficient, High-Yield MicroLED Mass-Production, SID 2019 (2019) ▼ |
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