雙向IGBT是業(yè)內(nèi)根據(jù)常規(guī)IGBT在各種運用中存在的一些不足，提出了一種五層四段結(jié)構(gòu)的新型雙向IGBT功率半導體器件，其核心是以平面柵型IGBT為基礎，通過對新器件采取對稱機構(gòu)和兩路輸入控制的方法，從而達到對新器件雙向控制的目的。雙向IGBT模塊是實現(xiàn)高頻矩陣變換器極為有效的方法。略不同于硬開關PWM變換器,矩陣變換器中的開關和傳導損耗取決于所選的調(diào)制策略。

           雙向IGBT可實現(xiàn)雙向?qū)ê碗p向阻斷，其正反向阻斷電壓可以做到同樣水平，更適合矩陣式變換器中?？梢怨?jié)省兩個二極管。其結(jié)構(gòu)示意圖如下圖所示。從雙向IGBT的靜態(tài)特性和動態(tài)特性，可以得出一個結(jié)論，即雙向IGBT的電學特性在兩個方向上都具有良好的對稱性。從下圖中可以看出，當Ice =2A時，器件的頂部和底部正向電壓分別為Vce=4.4V，Vce=4.2V。器件頂部和底部的正向電壓不匹配，不匹配率大約為4.6%。