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      交錯并聯(lián)對稱半橋全波整流電路

       共同成長888 2020-03-15
                如圖所示,讓對稱半橋全波整流電路按照QSW方式工作,在所有負載范圍內(nèi)電感電流都從正到負變化,則可實現(xiàn)原邊開關(guān)管在開通之前,電感電流反映到原邊,流過即將開通的開關(guān)管的體二極管,實現(xiàn)ZVS。而且在負載突升時,輸出濾波電感的等效占空比可達到100%,整個周期都會有正壓加在輸出濾波電感上,來提升電流;負載突降時,濾波電感的等效占空比可以為0%,整個周期都會有負壓加在電感上,來降低電流。具有與單通道QSW電路相似的動態(tài)響應(yīng)特性。應(yīng)用交錯并聯(lián)技術(shù),把兩個對稱半橋全波整流電路并聯(lián)起來(如圖10所示),取穩(wěn)態(tài)占空比為0.5,可實現(xiàn)完全的輸出電流紋波互消作用,大大減小輸 出 濾 波 器 , 在 負 載 突 升 和 負 載 突 降 時 , 具 有 對 稱 的 快 速 動 態(tài) 響 應(yīng) 。

      圖9  對稱半橋全波整流電路及QSW工作波形

      圖10  交錯并聯(lián)對稱半橋全波整流電路

          圖11為對稱半橋倍流整流拓撲,兩個輸出濾波電感的電流相位相差180°,與雙通道交錯并聯(lián)拓撲存在相似的電感電流紋波互消作用,對應(yīng)D=0.5時,可以實現(xiàn)完全的電流紋波互消作用(輸出電流紋波為零)。在應(yīng)用于負載對動態(tài)響應(yīng)要求不高的場合時,可以把穩(wěn)態(tài)占空比選定為0.5,從而大大減小輸出濾波器的體積。但對于數(shù)據(jù)處理器這類對動態(tài)響應(yīng)有較高要求的負載時,不能把0.5這一滿占空比作為穩(wěn)態(tài)占空比。但當(dāng)D偏離0.5時,其紋波互消作用則會大大削弱,限制了輸出濾波器參數(shù)的取小,降低了功率級的能量傳輸速度。在這種情況下利用交錯并聯(lián)技術(shù),把兩個對稱半橋倍流整流拓撲進行交錯并聯(lián),如圖12所示,則可實現(xiàn)與四通道交錯并聯(lián)QSW電路相似的紋波互消作用(Dmax<0.5)此時,若把穩(wěn)態(tài)占空比定在0.25,則可實現(xiàn)穩(wěn)態(tài)時完全的紋波互消作用,輸出濾波電感也可以取得很小,從而在負載突升(D:0.25→0.5)和突降(D:0.25→0)時,具有對稱的快動態(tài)響應(yīng)。

      圖11  對稱半橋倍流整流拓撲

      圖12  交錯并聯(lián)對稱半橋倍流整流拓撲及其原理波形

          值得指出的是,這些交錯并聯(lián)結(jié)構(gòu)的拓撲特別適合于應(yīng)用磁集成技術(shù)??刹捎枚嗤ǖ离姼屑煞桨讣半姼泻妥儔浩鞯募煞桨竅7][8]。從而大大減小磁性元件所占的總體積,簡化電路布局、封裝設(shè)計,與分立磁性元件相比,具有顯著的優(yōu)越性。

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