根據(jù)市場(chǎng)研究公司MarketsandMarkets近期發(fā)布的一份報(bào)告，氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體器件市場(chǎng)預(yù)計(jì)將從2016年165億美元上漲到2023年224.7億美元，2017年到2023年的復(fù)合年增長(zhǎng)率（CAGR）達(dá)到4.6%。

驅(qū)動(dòng)GaN半導(dǎo)體器件產(chǎn)業(yè)增長(zhǎng)的主要因素包括：GaN在消費(fèi)類電子和汽車領(lǐng)域的巨大潛在應(yīng)用，GaN材料寬禁帶特性所激勵(lì)的創(chuàng)新應(yīng)用，GaN在射頻功率電子領(lǐng)域的成功，以及GaN射頻半導(dǎo)體器件在軍事、國(guó)防和宇航應(yīng)用的增加。

但是，碳化硅在高壓功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的優(yōu)先使用將成為GaN整體市場(chǎng)發(fā)展的潛在阻礙，將在未來(lái)幾年內(nèi)限制市場(chǎng)增長(zhǎng)。

光電器件在2016年占據(jù)最大市場(chǎng)份額，歸功于其在消費(fèi)類電子、工業(yè)和汽車領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用。GaN LED廣泛用于筆記本和平板顯示、手機(jī)顯示、投影、電視和監(jiān)控、標(biāo)志和大型顯示屏等。在車前燈或信號(hào)燈、車內(nèi)燈、霧燈等汽車內(nèi)部或外部照明中所用GaN LED貢獻(xiàn)了最大的市場(chǎng)份額。

基于GaN的功率器件對(duì)市場(chǎng)的驅(qū)動(dòng)力預(yù)計(jì)將在2017-2023年顯著增長(zhǎng)，原因在于其卓越的特性，包括與硅功率器件相比所具有的最小功耗、高速開關(guān)的小型化、高擊穿電壓等。

大的潛在市場(chǎng)包括配電系統(tǒng)、工業(yè)系統(tǒng)、重電氣系統(tǒng)、渦輪、重型機(jī)械、先進(jìn)工業(yè)控制系統(tǒng)、電機(jī)計(jì)算系統(tǒng)等，以及新的功率應(yīng)用，如高壓直流（HVDC）、智能電網(wǎng)功率系統(tǒng)、風(fēng)力渦輪、風(fēng)力功率系統(tǒng)、太陽(yáng)能功率系統(tǒng)、電動(dòng)和混動(dòng)汽車等，都將是更快速增長(zhǎng)的主要原因。

亞太地區(qū)在2016年占據(jù)最大市場(chǎng)份額，預(yù)期在2017-2023年仍將占據(jù)GaN半導(dǎo)體器件市場(chǎng)的最大份額。這主要源于在消費(fèi)類、工業(yè)和汽車等多種產(chǎn)業(yè)中對(duì)LED需求的增長(zhǎng)。此外，電動(dòng)汽車充電和電動(dòng)汽車制造市場(chǎng)，以及不斷增加的可再生能源生產(chǎn)也正驅(qū)動(dòng)亞太市場(chǎng)份額的增長(zhǎng)。

在該領(lǐng)域的全球知名企業(yè)包括：

美國(guó)：Cree、Qorvo、MACOM、Microsemi、Analog Devices、Efficient Power Conversion、Integra Technologies、Transphorm、Navitas Semiconductor、Texas Instruments、Northrop Grumman Corporation

加拿大：GaN Systems

德國(guó)：英飛凌

英國(guó)：Dialog Semiconductor

法國(guó)：Exagan

荷蘭：Ampleon

以色列：VisIC Technologies

日本：三菱、Nichia、Panasonic、Sumitomo Electric

韓國(guó)：三星、

臺(tái)灣：Epistar