很多小伙伴們對晶體管的掌握都是摸棱兩可。

很大的原因就是最初的分類就沒有記牢。

今天在這里我們就詳細(xì)作一下晶體管的分類。

學(xué)習(xí)電子的人阻容感，晶體管，開關(guān)，電源各種英語都需要清楚的掌握。

晶體管（Transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件。

包括二極管（兩端子器件）、三極管、場效應(yīng)管、晶閘管（三端子器件）等，有時(shí)特指雙極型器件。

二極管按照用途分為檢波二極管、整流二極管、穩(wěn)壓二極管、開關(guān)二極管、隔離二極管、肖特基二極管、發(fā)光二極管.

三極管也稱為雙極型晶體管。有時(shí)候大家說晶體管，習(xí)慣上會被默認(rèn)為三極管，但是不夠嚴(yán)謹(jǐn)。

場效應(yīng)管分為結(jié)型場效應(yīng)管(JFET) 和 絕緣柵場效應(yīng)管(MOS管)兩大類。電路上常用的場效應(yīng)管作為開關(guān)電源基本上都是用的MOS管。

與雙極型晶體管相比，場效應(yīng)管具有如下特點(diǎn)：

（1）場效應(yīng)管是電壓控制器件（雙極型晶體管是電流控制器件），它通過VGS(柵源電壓)來控制ID（漏極電流），所以場效應(yīng)管是壓控流器件；

（2）場效應(yīng)管的控制輸入端電流極小，因此它的輸入電阻（107～1012Ω）很大。

（3）它是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，因此它的溫度穩(wěn)定性較好；

（4）它組成的放大電路的電壓放大系數(shù)要小于三極管組成放大電路的電壓放大系數(shù)；

（5）場效應(yīng)管的抗輻射能力強(qiáng)；

（6）由于它不存在雜亂運(yùn)動的電子擴(kuò)散引起的散粒噪聲，所以噪聲低。

大家看到場效應(yīng)管分為了結(jié)型場效應(yīng)管和絕緣柵場效應(yīng)管（IGFET/MOSFET管），又有N溝道和P溝道，又有耗盡型和增強(qiáng)型。一想到分這么多種類，直接就崩潰了。

今天我們就簡單捋清楚，一下子就讓大家記住。

耗盡型和增強(qiáng)型的區(qū)別：

MOSFET既有增強(qiáng)型的、也有耗盡型的器件。

而結(jié)型場效應(yīng)晶體管（JFET）通常只有耗盡型場效應(yīng)晶體管。

耗盡型就是“常開”的一種FET ，即Vgs=0V 不需要有電壓，ID漏極電流即可導(dǎo)通。

增強(qiáng)型就是“常斷”的一種FET，即在0柵偏壓時(shí)是不導(dǎo)電的器件，也就是只有當(dāng)柵極電壓的大小大于其閾值電壓時(shí)才能出現(xiàn)導(dǎo)電溝道的場效應(yīng)晶體管。

所以耗盡型和增強(qiáng)型的兩個(gè)在圖形上很好區(qū)分，就是將曲線平移。x軸過0點(diǎn)，有正負(fù)值即為耗盡型。

否則為增強(qiáng)型。

P溝道和N溝道基本上可以理解為Vgs施加正負(fù)電壓。

其中P溝道為負(fù)壓Vgs<0V,N溝道為正壓Vgs>0V.。

P溝道施加負(fù)壓，N溝道施加正壓。（源極到柵極方向）

關(guān)于場效應(yīng)管的符號記憶：

1.是耗盡型還是增強(qiáng)型：

如果三個(gè)線段為一條直線就是耗盡型。

這個(gè)也很好記憶，耗盡型本身就是在0電壓的狀態(tài)下就是導(dǎo)通的，所以默認(rèn)就是一條直線為導(dǎo)通狀態(tài)。而增強(qiáng)型在0電壓下是不導(dǎo)通的，所以是三個(gè)線段。

2.源極和漏極的判斷：

兩頭相連在一起的即為S級源極。

原因是為了將源極和襯底相連，為了使得襯底與源極不會形成PN結(jié)正偏，保持源極為低電勢。（與襯底相同電勢）

1、防止有電流從襯底流向流向源極和導(dǎo)電溝道，這里是防止襯底與源極的PN結(jié)導(dǎo)通，導(dǎo)通了的話，就會有電流從襯底的低摻雜的P型硅片流向源極的高摻雜N+區(qū)。

2、將襯底與源極相連接，兩者的電位就相同了，沒有正向壓降，兩者間的PN結(jié)就不會導(dǎo)通，從而就不會有電流流過PN結(jié)。

3、也可以不連接襯底與源極，但是要保證襯—源之間電壓U（BS）使襯—源之間PN結(jié)反向偏置。這樣也不會有電流從襯底經(jīng)過PN結(jié)流向源極。

3.箭頭方向：

箭頭實(shí)際上襯底到溝道的PN結(jié)方向，看下面這個(gè)圖，襯底實(shí)際上是在兩個(gè)漏極和源極的底部。當(dāng)溝道形成后PN結(jié)的方向就是此箭頭的方向，也是此箭頭的意義。

從而就有了箭頭指向G極的是N溝道 ，箭頭背向G極的是P溝道。

4.寄生二極管的方向

這個(gè)方向正好和箭頭的方向是一致的。

實(shí)際上這個(gè)二極管是襯底和漏極寄生出的二極管。

一般在大功率MOS管上的工藝上自動寄生出的二極管效應(yīng)，并非是有意而為之，加上去的。

這個(gè)二極管的方向是襯底到漏極的PN結(jié)方向，由于襯底和S極相同電勢，即正常從S極到D極的PN結(jié)方向。

5.導(dǎo)通條件

P溝道，VGS<0,負(fù)壓導(dǎo)通。

N溝道，VGS>0,正壓導(dǎo)通