三菱電機(jī)培訓(xùn)課程：

第1講：功率半導(dǎo)體器件的基本功能和用途
第2講：功率半導(dǎo)體器件的基本分類(lèi)和應(yīng)用
第3講：半導(dǎo)體-導(dǎo)體-絕緣體
第4講：半導(dǎo)體材料的禁帶寬度
第5講：半導(dǎo)體中的晶體結(jié)構(gòu)
第6講：半導(dǎo)體中的電子與空穴
第7講：從本征半導(dǎo)體到雜質(zhì)半導(dǎo)體
第8講：半導(dǎo)體中的載流子運(yùn)動(dòng)
第9講：PN結(jié)的基本結(jié)構(gòu)及形成方法
第10講：平衡條件下的PN結(jié)
第11講：偏置條件下的PN結(jié)
第12講：PN結(jié)的擊穿與穿通
第13講：PN結(jié)的電容效應(yīng)
第14講：PN結(jié)器件的電路特性
第15講：PIN二極管基本結(jié)構(gòu)和正偏置行為
第16講：PIN二極管的恢復(fù)特性.
第17講：雙極晶體管的基本結(jié)構(gòu)
第18講：雙極晶體管的工作原理
第19講：晶閘管的基本結(jié)構(gòu)
第20講：晶閘管的基本工作原理
第21講：GTO的基本結(jié)構(gòu)和基本工作原理
第22講：談?wù)勑ぬ鼗鶆?shì)壘（Schottky Barrier）
第23講：肖特基二極管的基本結(jié)構(gòu)與工作原理
第24講：結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管
第25講：結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的基本工作原理
第26講：MOS結(jié)構(gòu)
第27講：MOSFET的基本結(jié)構(gòu)與工作原理
第28講：功率MOSFET
第29講：IGBT的基本結(jié)構(gòu)
第30講：IGBT的基本開(kāi)關(guān)原理
第31講：HVIGBT的概述

三菱電機(jī)【論文】：

• 針對(duì)廣泛應(yīng)用領(lǐng)域的 SiC 功率模塊

• 針對(duì)大功率應(yīng)用的高性能第2代 1700V4H-SiCMOSFET

• 優(yōu)化元胞設(shè)計(jì)和采用再氧化工藝的高性能 4H-SiC MOSFETs

• 一種可提供系統(tǒng)最佳整體性能的先進(jìn)硅基 IGBT 芯片
  

• 新一代大功率 IGBT 模塊

• 通過(guò)門(mén)極驅(qū)動(dòng)器電壓敏感參數(shù)實(shí)現(xiàn)功率模塊通態(tài)電壓的估計(jì)

• 提高中壓變頻器魯棒性和可靠性的 X 系列 RFC 二極管
  

• 利用零溫度系數(shù)導(dǎo)通電壓對(duì)導(dǎo)線(xiàn)鍵合 IGBT 功率模塊在線(xiàn)狀況監(jiān)測(cè)

• 集成 SiC SBD 的 6.5kV 全 SiC MOSFET 功率模塊

• 集成 RC-IGBT、自舉二極管及限流電阻的全新壓注模表面貼裝型IPM

• 高壓 IGBT 模塊在濕度影響下的壽命預(yù)估模型研究

• 高壓 IGBT 模塊抗潮濕和凝露的魯棒性設(shè)計(jì)
  

• SLIMDIP 系列智能功率模塊在變頻洗衣機(jī)應(yīng)用介紹

• SiCMOSFETSPICE 模型的對(duì)比研究

• LV100 封裝 HVIGBT 在并聯(lián)應(yīng)用中的表現(xiàn)

• 超小只的 GaN 功率放大器在 5G 基站

• 新型器件嵌入式集成技術(shù)
  

• 三菱電機(jī) SiCMOSFET 仿真技術(shù)

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