我們?cè)谟^察晶體振蕩電路時(shí)，通常會(huì)看到這么幾個(gè)電子元器件，晶振和晶振兩旁的電容。電容一端接地，一端接晶振。還有就是兩個(gè)電阻，一個(gè)是跨接在晶振兩端，一個(gè)接在晶振的輸出端，同芯片相連。旁接的電容我們都知道叫匹配電容，它們的大小可以改變振蕩電路的頻率，通過(guò)試驗(yàn)就可以觀察的到。而兩個(gè)分別串并得電阻各自起到什么作用，其值選多大，則很少聽(tīng)人介紹過(guò)。下面就針對(duì)這個(gè)問(wèn)題晶科鑫的工程師幫您進(jìn)行解答。

舉例，一個(gè)振蕩電路在其輸出端串接了一個(gè)22K的電阻，在其輸出端和輸入端之間接了一個(gè)10M的電阻。

電路并聯(lián)電阻是由于連接晶振的芯片端內(nèi)部是一個(gè)線性運(yùn)算放大器，將輸入進(jìn)行反向180度輸出，晶振處的負(fù)載電容電阻組成的網(wǎng)絡(luò)提供另外180度的相移，整個(gè)環(huán)路的相移360度，滿足振蕩的相位條件，同時(shí)還要求閉環(huán)增益大于等于1，晶體才正常工作。Xin和Xout的內(nèi)部一般是一個(gè)施密特反相器，反相器是不能驅(qū)動(dòng)晶體震蕩的。因此，在反相器的兩端并聯(lián)一個(gè)電阻，由電阻完成將輸出的信號(hào)反向。電阻的作用是將電路內(nèi)部的反向器加一個(gè)反饋回路，形成放大器，當(dāng)晶體并在其中會(huì)使反饋回路的交流等效按照晶體頻率諧振，由于晶體的Q值非常高，因此電阻在很大的范圍變化都不會(huì)影響輸出頻率，但會(huì)影響脈寬比的。

電路串聯(lián)電阻常用來(lái)預(yù)防晶振被過(guò)分驅(qū)動(dòng)。晶振過(guò)分驅(qū)動(dòng)的后果是將逐漸損耗減少晶振的接觸電鍍，這將引起頻率的上升，并導(dǎo)致晶振的早期失效，又可以講drive level調(diào)整用。用來(lái)調(diào)整drive level和發(fā)振余裕度。

結(jié)論為，晶振輸入輸出連接的電阻作用是產(chǎn)生負(fù)反饋，保證放大器工作在高增益的線性區(qū)，一般在M歐級(jí)，KHz晶振電路，并聯(lián)電阻通常為10M歐，MHz晶振，并聯(lián)電容通常為1M歐左右。輸出端串聯(lián)電阻與負(fù)載電容組成網(wǎng)絡(luò)，提供180度相移，同時(shí)起到限流的作用，防止反向器輸出對(duì)晶振過(guò)驅(qū)動(dòng)，損壞晶振。其值的大小通常為幾百K 歐姆較多，具體大小需要通過(guò)調(diào)試，根據(jù)過(guò)驅(qū)程度去選定串接多大電阻。

當(dāng)然不是每個(gè)振蕩電路都看到了上述介紹的各種電子元器件，上述介紹的是教科般的理論電路，在實(shí)際電路中，可能根據(jù)電路的實(shí)際需要可以省去某些元器件，或芯片內(nèi)置上述元器件，所以需要根據(jù)實(shí)際應(yīng)用來(lái)分析和了解各器件的功能和作用的。