一、手機(jī)無線充電器和十年前相比,手機(jī)在我們生活時間中的占比已經(jīng)翻了不止一倍。據(jù)外媒發(fā)布的《2020全球移動市場報告》所述,2020年全球智能手機(jī)用戶或到達(dá)35億,而來自中國的用戶至少占其中的四分之一。 工作、通訊、購物、娛樂等用處都得以在手機(jī)上實現(xiàn),視頻、游戲類APP成為用戶云端時間的頭號殺手,全球用戶的平均每日使用智能手機(jī)時間超過5.4H。手機(jī)在功能日益強(qiáng)大的同時,也面對著續(xù)航時間的限制與考驗。無線充電設(shè)備以其便攜性及適配度佳,而備受市場青睞。
二、手機(jī)無線充電系統(tǒng)參數(shù)及電路原理圖2019年,You Qin Hua設(shè)計了一種基于磁共振的手機(jī)無線充電器,并提出了提高無線充電傳輸效率的有效方法。
【手機(jī)無線充電系統(tǒng)總體設(shè)計參數(shù)】 整體電路硬件主要設(shè)計參數(shù)
【發(fā)射部分電路原理圖】 本系統(tǒng)發(fā)射電路主要包括PWM信號電路、高頻逆變電路、MOS 管驅(qū)動控制電路及諧振電感電容。
【PWM信號電路原理圖】 電路由低功耗、高性能的微控制處理器STC89C51和低功耗、運(yùn)行快的74HC14 CMOS組成。STC89C51產(chǎn)生矩形波,而74HC14則能防止驅(qū)動電路中的MOS管同時導(dǎo)通。
【全橋逆變電路】 全橋高頻逆變電壓能夠輸出2倍的電壓,傳輸功率較大,傳輸效率高,所以相較于半橋逆變,全橋逆變更適用于此系統(tǒng)。 全橋逆變中開關(guān)管的選擇:
本系統(tǒng)選用了大功率、大電流、高耐壓的NMOS管IRF540N,VDS=100V,ID=45A,內(nèi)阻小,關(guān)斷延時時間短,是優(yōu)質(zhì)的高頻MOSFET。
可選用的VBsemi微碧半導(dǎo)體的場效應(yīng)管型號: ①IRF540N ②IRF540NSTRPBF ③VBE1104N ④VBM1104N ⑤VBZM20N10
【可用的VBsemi微碧公司MOSFET產(chǎn)品參數(shù)】
【IR2110 MOS驅(qū)動芯片電路】
【接收回路原理圖】
當(dāng)發(fā)射回路和接收回路的品質(zhì)因數(shù)一樣時,系統(tǒng)的傳輸效率將會最佳。系統(tǒng)無線電能傳輸效率主要和諧振頻率、互感系數(shù)、線圈內(nèi)阻、負(fù)載電阻有關(guān)。
三、參考文獻(xiàn)[1]游慶華. 基于磁共振技術(shù)的手機(jī)無線充電器設(shè)計[D].華僑大學(xué),2019. [2]盧燕陵. 小功率無線電能傳輸系統(tǒng)中的補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)研究與設(shè)計[D].電子科技大學(xué),2018. [3]郭上華,張波,黃潤鴻,劉紅偉.諧振式無線電能傳輸軟開關(guān)高頻逆變器設(shè)計[J].電力電子技術(shù),2015,49(10):78-79. [4]張劍韜,朱春波,雷陽,宋凱,逯仁貴,魏國,陳清泉.無線電能傳輸感性系統(tǒng)特性分析[J].電工技術(shù)學(xué)報,2015,30(S1):303-307.
四、微碧半導(dǎo)體MOS管封裝及應(yīng)用微碧半導(dǎo)體企業(yè)主要產(chǎn)品的封裝有:SOP-8 、TO-220(F)、TO-263、TO-247、TO-252、TO-251、SOT-23、SOT-223、SOT-89、QFN等系列封裝產(chǎn)線。
【微碧部分MOS管產(chǎn)品封裝】 廣泛應(yīng)用于3C數(shù)碼、安防設(shè)備、測量儀器、廣電教育、家用電器、軍工/航天、可穿戴設(shè)備、汽車電子、網(wǎng)絡(luò)通信、物聯(lián)網(wǎng)IoT、新能源、醫(yī)療電子、照明電子、智能家居、電腦主板顯卡、MID\UMPC 、GPS、藍(lán)牙耳機(jī)、PDVD、車載DVD、汽車音箱、液晶顯示器、移動電源、手機(jī)電池(鋰電池保護(hù)板)、LED電源等產(chǎn)品。微碧半導(dǎo)體有限公司以飽滿的激情,拼搏務(wù)實的干勁,不斷創(chuàng)新進(jìn)取,致力于為客戶群體打造出一座高效、便捷、直通、優(yōu)質(zhì)的服務(wù)橋梁。
|
|