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自旋注入MRAM在功能方面兼具了DRAM及NAND閃存等現(xiàn)有存儲器的優(yōu)點(diǎn)，同時在性能方面又超過了現(xiàn)有幾乎所有的存儲器，因此有可能會贏得巨大的市場(見表1)。具體在功能方面，自旋注入MRAM與閃存一樣具有非易失性，即使切斷電源，信息也不會丟失，而且它和DRAM一樣可隨機(jī)存取。
 表1存儲器的技術(shù)規(guī)格比較
在性能方面，自旋注入MRAM的讀取1擦寫時間都很短，均在2ns~20ns之間。它不需要閃存所必需的擦除操作，而且寫人時間也比閃存少幾個數(shù)量級。即使是與現(xiàn)有存儲器中性能較高的DRAM(讀取1寫入時間為30ns~50ns)相比，自旋注入MRAM的高性能仍然很突出。此外可擦寫次數(shù)超過1015次,和DRAM及SRAM相當(dāng),大大超出了閃存的105次。
在功能及性能方面均超過現(xiàn)有存儲器的自旋注入MRAM,很有可能將會取代在設(shè)備中使用的多種存儲器(見圖1)。如果關(guān)鍵技術(shù)的研發(fā)工作進(jìn)展順利，自旋注入MRAM今后的普及應(yīng)用將大致分為兩個階段。第一階段,它將取代車載MCU中應(yīng)用的嵌入式存儲器，其后在第二階段,它將取代手機(jī)中的MCP以及獨(dú)立DRAM和獨(dú)立NOR閃存等。
圖1 65nm產(chǎn)品會取代嵌入式存儲器，45nm產(chǎn)品會取代獨(dú)立存儲器
目前各廠商已經(jīng)基本掌握了用于實(shí)現(xiàn)第一階段應(yīng)用的關(guān)鍵技術(shù)。在車載MCU中,通常是將設(shè)備工作時使用的sram存儲器和用于存放程序的閃存集成在同一塊芯片上。如果能夠?qū)⒆孕⑷隡RAM集成到MCU中，就可以取代上述的SRAM及閃存。
MCU的用戶也對采用自旋注入MRAM表現(xiàn)出積極的態(tài)度。目前車載MCU中集成的閃存的可擦寫次數(shù)太少。希望能夠采用讀/寫性能優(yōu)于閃存的存儲器件。聽說MRAM比閃存的可擦寫次數(shù)多，并且性能有所提高。如果這兩種存儲器的成本一樣，肯定會選擇MRAM。當(dāng)采用65nm工藝的自旋注入MRAM量產(chǎn)時,將有可能實(shí)現(xiàn)對車載MCU中嵌入式存儲器的取代。
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