在電源中，電阻主要應(yīng)用在：分壓反饋電阻、配置開關(guān)頻率，PowerGood上拉，限流點設(shè)置，環(huán)路補償，RC吸能，MOSFET驅(qū)動限流。

1、輸出電壓設(shè)置

（上式中，分子應(yīng)該為RH）。通過兩個電阻對輸出電壓進行分壓，連接到電壓反饋管腳，實現(xiàn)反饋電壓，最終這個電壓信號在芯片內(nèi)部作為控制占空比的依據(jù)。

2、通過EN管腳控制啟動

使用以下等式設(shè)置輸入啟動電壓和輸入電壓的外部滯后。

這里， iHYS=10uA,VEN =1.2V 這兩個參數(shù)是由電源控制器芯片內(nèi)部決定的。

3、設(shè)置開關(guān)頻率

對于給定的開關(guān)頻率fSW，RT電阻可通過以下等式計算。

振蕩器頻率程序輸入。將一個電阻器從該引腳連接到AGND，對內(nèi)部振蕩器頻率進行編程。

4、電流檢測和過流保護

利用MOSFET RDS(ON)進行電流檢測，可以實現(xiàn)簡單且經(jīng)濟高效的電流檢測。它使用恒定導(dǎo)通時間谷值模式電流檢測架構(gòu)。上管導(dǎo)通固定的時間，此后底部開關(guān)導(dǎo)通，其RDS壓降用于檢測電流最小值或電流下限。

或者干脆串一個電阻專門檢測這個電流。

電流檢測還有其他方法，此處就不一一展開，硬十已經(jīng)有其他文章講解?？梢栽诠娞枺阉鳌半娫春霞?/span>

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5、MOSFET驅(qū)動

高壓側(cè)驅(qū)動器設(shè)計用于驅(qū)動大電流、低RDS（ON）N-MOSFET。當(dāng)配置為浮動驅(qū)動器時，VCC電源提供7.5V（或10V）的偏置電壓。在VGS=7.5V（或10V）乘以開關(guān)頻率時，平均驅(qū)動電流也等于柵極電荷。瞬時驅(qū)動電流由BST和SW引腳之間的自舉電容器提供。驅(qū)動能力由其內(nèi)阻表示，BST到UGATE的內(nèi)阻為1.5Ω，UGATE到SW的內(nèi)阻為0.9Ω。

低壓側(cè)驅(qū)動器設(shè)計用于驅(qū)動大電流、低RDS（ON）N-MOSFET。驅(qū)動能力由其內(nèi)阻決定，VCC到LGATE的內(nèi)阻為1.5Ω，LGATE到GND的內(nèi)阻為0.9Ω。VCC電源提供7.5V（或10V）的偏置電壓。瞬時驅(qū)動電流由連接在VCC和GND之間的輸入電容器提供。平均驅(qū)動電流等于VGS=7.5V（或10V）乘以開關(guān)頻率時的柵極電荷。該柵極驅(qū)動電流以及高側(cè)柵極驅(qū)動電流乘以7.5V（或10V）產(chǎn)生需要從器件封裝中耗散的驅(qū)動功率。

這里提到的1.5Ω和0.9歐姆都是器件內(nèi)部的電阻。由于MOSFET打開的過程中需要對MOSFET的寄生電容充電，所以這個瞬間電流比較大，有時會導(dǎo)致VCC或者BST電壓跌落，導(dǎo)致內(nèi)部邏輯錯亂，驅(qū)動邏輯錯誤導(dǎo)致丟失驅(qū)動脈沖，從而導(dǎo)致輸出異常。所以有時我們會串一個電阻，用于調(diào)試。但是這個電阻會因為RC充放電延時，影響MOSFET控制時序。我們電阻選型阻值也不能太大。

6、PowerGood上拉電阻

（PG）輸出是一個電源準(zhǔn)備就緒的一個指示，一般是OD信號，需要上拉。PG引腳是MOSFET的開放漏極。通過電阻器（10kΩ至100kΩ）連接到電壓源（如Vout）。當(dāng)FB電壓超過內(nèi)部參考電壓VREF的94%時，內(nèi)部比較器檢測到電源良好狀態(tài)，電源良好信號變高，延遲時間可以為36us。如果反饋電壓低于目標(biāo)值的92%，則功率良好信號變低。

7、環(huán)路補償網(wǎng)絡(luò)設(shè)計

在環(huán)路補償網(wǎng)絡(luò)設(shè)計中，會運用電阻形成運放的周邊，實現(xiàn)若干個極點和零點，從而改變反饋環(huán)路的波特圖特性。

相關(guān)波特圖的測試和講解，可以登錄《硬十課堂》搜索“環(huán)路”