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      三極管開關(guān)電路設(shè)計,電路結(jié)構(gòu)錯誤或參數(shù)不會設(shè)置

       設(shè)備WX 2022-05-25 發(fā)布于剛果民主共和國
      開關(guān)電路在單片機(jī)電路設(shè)計中經(jīng)常用到,一般有兩個作用,一是電平的轉(zhuǎn)換,二是增加單片機(jī)IO口的驅(qū)動能力。雖然這個電路很簡單,也很常用,但是我發(fā)現(xiàn)還是有些人電路結(jié)構(gòu)錯誤或者參數(shù)不會設(shè)置。

      電路結(jié)構(gòu)
      如圖1所示,三極管開關(guān)電路基本結(jié)構(gòu)由基極電阻,集電極電阻(負(fù)載)組成。
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      圖1 三極管開關(guān)電路基本結(jié)構(gòu)
      有些人設(shè)計的開關(guān)電路就沒有基極電阻,有可能不是他不知道這種電路結(jié)構(gòu),而是他不會調(diào)參數(shù),不管怎么改變Rb,始終電路都沒有進(jìn)入飽和區(qū),最后將Rb短接后發(fā)現(xiàn)電路正常了,導(dǎo)致他認(rèn)為這樣電路是可以用的。
      事實上,沒有基極電阻,如果說是單片機(jī)的IO口接的控制引腳,那么單片機(jī)工程師控制單片機(jī)IO口輸出高電平的時候,IO口上的電壓只有0.7V左右。那是由于單片機(jī)IO口的電流只有10mA左右,不能給三極管提供足夠大大的電流,以至于拉低電壓至三極管b、e之間的導(dǎo)通電壓0.7V左右。當(dāng)給三極管基極能夠提供足夠電流,而控制電壓大于三極管b、e之間電壓極限電壓的時候就會燒壞三極管,如果沒有大于它的極限電壓,但是電流很大,時間久了就會導(dǎo)致三極管熱損壞。所以只有設(shè)置合適的基極電阻才能保證電路的可靠性。
      該電路存在一個問題,就是控制端沒有接任何東西就會出現(xiàn)高阻狀態(tài),三極管的工作狀態(tài)是不確定的。為了安全起見,沒有對三極管進(jìn)行控制的時候,應(yīng)該讓三極管工作在截止區(qū),要想NPN型三極管截止,Ib就要很小,可以選擇在三極管基極接一個下拉電阻,如圖2所示。取值是要遠(yuǎn)大于(10倍以上)Rb的,這樣才能下拉電阻不影響對三極管的控制。小編我個人的取值習(xí)慣是100K。
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      圖2 帶下拉電阻的開關(guān)電路
      如果我們想驅(qū)動無源蜂鳴器,那么就要在控制端輸入一個方波信號進(jìn)行控制,這時候就需要三極管進(jìn)行快速切換,想加快三極管切換速度就要如圖3所示,在Rb上并聯(lián)一個加速電容。
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      圖3 帶加速電容的三極管開關(guān)電路
      其原理是,電容兩端的電壓不能發(fā)生突變,那么控制端給一個高電平的瞬間,電容可以視為短路,此時的電流最大,因此加快了三極管的導(dǎo)通速度,這個暫態(tài)過程很快就結(jié)束了,電容充電完成后進(jìn)入了穩(wěn)態(tài),電容就形如開路,而不影響電路的正常工作。由于電容在控制端高電平期間充了左正右負(fù)的電壓,當(dāng)控制端變成低電平(0V)瞬間電容兩端的電壓不能突變,所以在電容的右端出現(xiàn)了負(fù)電壓,加快了三極管的關(guān)斷。大多數(shù)情況下,加速電容取值約為幾百個pF。為什么加了加速電容就能實現(xiàn)加快關(guān)斷與導(dǎo)通,那是因為三極管是存在結(jié)電容的,導(dǎo)通與關(guān)斷時間是決定于結(jié)電容的充放電時間的,這個現(xiàn)象就叫米勒效應(yīng),加了加速電容后,就加快了結(jié)電容充放電時間,使得三極管很快跨越了米勒平臺,所以能加快三極管的關(guān)斷與導(dǎo)通。
      參數(shù)計算
      三極管的開關(guān)狀態(tài)就是三極管的飽和與截止,三極管的截止容易實現(xiàn),只要將IB降為O就可以實現(xiàn)三極管的截止。而三極管的飽和沒有截止那么實現(xiàn),開關(guān)電路的計算就是在計算三極管進(jìn)入飽和的參數(shù)。要想進(jìn)行計算,那么就要了解三極管的飽和特性。
      1. 如何判斷飽和?
      一是三極管發(fā)射結(jié)和集電結(jié)正偏,基極電流變化,集電極電流幾乎不變。
      飽和條件:
      1.集電極和電源之間電電阻越大越容易飽和;2.基極電流比較大以使得集電極的電阻上分得的電壓越大,集電極電壓就被拉低,而出現(xiàn)Ub大于Uc的情況。
      影響飽和的因素:
      1.集電極電阻的大?。ㄘ?fù)載);2.放大倍數(shù)的大?。?.基極電流的大小。
      飽和的現(xiàn)象:
      1.基極電壓大于集電極電壓;2.Uce為0.5V左右,越小飽和越深。
      臨界飽和條件:
      Ib=(Vcc/RL)/β
      知道這些概念后,我們就知道怎么去計算參數(shù)了。首先我們在設(shè)計前期我們應(yīng)該知道負(fù)載一些參數(shù),如電壓電流。負(fù)載需要的電流就是設(shè)計的關(guān)鍵,通過負(fù)載電流求得Ib,此時的Ib是三極管臨界飽和的值,一般我們要取數(shù)倍才能保證三極管進(jìn)入深度飽和。然后根據(jù)控制端的電壓減去Ube(0.7V)除以Ib就可以得到Rb。
      電路設(shè)計
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      1.電路結(jié)構(gòu)確定
      我不需要控制背光亮度,只需要控制背光亮與不亮,所以選擇帶下拉電阻的開關(guān)電路。如圖4所示。
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      圖4 背光驅(qū)動電路
      2.電源電壓確定
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      圖5 一款液晶的背光參數(shù)
      通過圖5 就可以知道要想背光正常量的話,電源電壓要大于3.0V,那么電源電壓就取3.3V。
      3.RC阻值確定
      RC的作用是分壓,限流,保證背光不被燒。背光是3.0V,電流是15mA,電源是3.3V,那么RC=(3.3V-3.0V)/15mA=20Ω。
      4. RB的確定
      根據(jù)前面敘述的,臨界飽和的基極電流為IB=IC/β,這里β取100,那么IB=15mA/100=150uA,為了保證三極管進(jìn)入深度飽和,還要取數(shù)倍IB,這里取10倍,那么飽和IB=150uA*100=1.5mA,單片機(jī)IO完全能夠提供1.5mA電流。單片機(jī)高電平是3.3V,那么RB=(3.3V-Ube)/1.5mA=(3.3V-0.7V)/1.5mA=1.733KΩ,因為電阻系列沒有這種電阻,所以我們?nèi)?K,因為IB我們?nèi)×藬?shù)倍,所以RB比理論值大一點也是可以行的。
      5. R1確定
      R1下拉電阻,我在前面已經(jīng)敘述過了,這里我們?nèi)?00K。
      6.三極管確定
      該電路的電源電壓不高,電流也不大,所以對三極管要求也不是很大,所以選擇9013,8050三極管都可以。下面我們看看這兩款三極管的參數(shù)。
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      圖6 9013性能參數(shù)
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      圖7 8050性能參數(shù)
      如圖8仿真結(jié)果
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      圖8 電路仿真
      通過,仿真我們發(fā)現(xiàn)我們計算的參數(shù)已經(jīng)使得三極管進(jìn)入了深度飽和,因為Uce=92mV,滿足深度飽和條件。
      但是IC沒有達(dá)到15mA,那是因為我們忽略了Uce的存在而導(dǎo)致的偏差,但是這一點偏差不影響開關(guān)電路的正常工作,可以接受。


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