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1.MOS管為什么會發(fā)熱？哪些時刻在發(fā)熱？怎么做才能不發(fā)熱？
(1)MOS管工作在線性的工作狀態(tài)，而沒有在開關(guān)狀態(tài)。 (2)頻率太高，MOS管上的損耗增大了，所以發(fā)熱也加大了。 (3)電流太高，沒有做好足夠的散熱設(shè)計，MOS管標(biāo)稱的電流值，一般需要較良好的散熱才能達(dá)到。所以Id小于最大電流，也可能發(fā)熱嚴(yán)重，需要足夠的輔助散熱片。 (4)MOS管的選型有誤，對功率判斷有誤，MOS管內(nèi)阻沒有充分考慮，導(dǎo)致開關(guān)阻抗增大。 2.MOS管為什么會損壞？過流損壞是什么現(xiàn)象？過壓損壞時什么現(xiàn)象？ (1)過流 持續(xù)大電流或瞬間超大電流引起的結(jié)溫過高而燒毀。 (2)過壓與靜電 MOS管一個ESD敏感器件，它本身的輸入電阻很高，而柵-源極間電容又非常小，所以極易受外界電磁場或靜電的感應(yīng)而帶電（少量電荷就可能在極間電容上形成相當(dāng)高的電壓（想想U=Q/C）將管子損壞），又因在靜電較強(qiáng)的場合難于泄放電荷，容易引起靜電擊穿。 靜電擊穿有兩種方式： 一是電壓型，即柵極的薄氧化層發(fā)生擊穿，形成針孔，使柵極和源極間短路，或者使柵極和漏極間短路； 二是功率型，即金屬化薄膜鋁條被熔斷，造成柵極開路或者是源極開路。 靜電放電形成的是短時大電流，放電脈沖的時間常數(shù)遠(yuǎn)小于器件散熱的時間常數(shù)。因此，當(dāng)靜電放電電流通過面積很小的pn結(jié)或肖特基結(jié)時，將產(chǎn)生很大的瞬間功率密度，形成局部過熱，有可能使局部結(jié)溫達(dá)到甚至超過材料的本征溫度(如硅的熔點1415℃)，使結(jié)區(qū)局部或多處熔化導(dǎo)致pn結(jié)短路，器件徹底失效。這種失效的發(fā)生與否，主要取決于器件內(nèi)部區(qū)域的功率密度，功率密度越小，說明器件越不易受到損傷。 靜電的基本物理特征為： ① 有吸引或排斥的力量； ② 有電場存在，與大地有電位差； ③ 會產(chǎn)生放電電流。 這三種情形即ESD一般會對電子元件造成以下三種情形的影響： ① 元件吸附灰塵，改變線路間的阻抗，影響元件的功能和壽 命； ② 因電場或電流破壞元件絕緣層和導(dǎo)體，使元件不能工作（完 全破壞）； ③ 因瞬間的電場軟擊穿或電流產(chǎn)生過熱，使元件受傷，雖然 仍能工作，但是壽命受損。 上述這三種情況中，如果元件完全破壞，必能在生產(chǎn)及品質(zhì)測試中被察覺而排除，影響較少。如果元件輕微受損，在正常測試中不易被發(fā)現(xiàn)，在這種情形下，常會因經(jīng)過多次加工，甚至已在使用時，才被發(fā)現(xiàn)破壞，不但檢查不易，而且損失亦難以預(yù)測。 3.MOS管有哪幾種工作狀態(tài)？導(dǎo)通如何判斷是工作在可變電阻區(qū)還是恒流區(qū)？有什么區(qū)別？ 
(1)可變電阻區(qū)（也稱非飽和區(qū)）
在滿足Ugs>Uthgs（開啟電壓），且Uds<ugs-uthgs時，為圖中預(yù)夾斷軌跡左邊的區(qū)域其溝道開啟。在該區(qū)域uds值較小，溝道電阻基本上僅受ugs控制。當(dāng)ugs一定時，id與uds成線性關(guān)系，該區(qū)域近似為一組直線。這時場效管d、s間相當(dāng)于一個受電壓ugs控制的可變電阻。< p=''></ugs-uthgs時，為圖中預(yù)夾斷軌跡左邊的區(qū)域其溝道開啟。在該區(qū)域uds值較小，溝道電阻基本上僅受ugs控制。當(dāng)ugs一定時，id與uds成線性關(guān)系，該區(qū)域近似為一組直線。這時場效管d、s間相當(dāng)于一個受電壓ugs控制的可變電阻。<>
(2)恒流區(qū)（也稱飽和區(qū)、放大區(qū)、有源區(qū)）
在滿足Ugs>Uthgs（開啟電壓），且Uds≥Ugs-Uthgs時，為圖中預(yù)夾斷軌跡右邊、但尚未擊穿的區(qū)域，在該區(qū)域內(nèi)，當(dāng)Ugs一定時，Id幾乎不隨Uds而變化，呈恒流特性。Id僅受Ugs控制，這時場效應(yīng)管D、S間相當(dāng)于一個受電壓Ugs控制的電流源。場效應(yīng)管用于放大電路時，一般就工作在該區(qū)域，所以也稱為放大區(qū)。
(3)夾斷區(qū)（也稱截止區(qū)）
夾斷區(qū)（也稱截止區(qū)）滿足Ugs<uthgs（開啟電壓）,為圖中靠近橫軸的區(qū)域，其溝道被全部夾斷，稱為全夾斷，id=0，管子不工作。< p=''></uthgs（開啟電壓）,為圖中靠近橫軸的區(qū)域，其溝道被全部夾斷，稱為全夾斷，id=0，管子不工作。<>
(4)擊穿區(qū)位
擊穿區(qū)位于圖中右邊的區(qū)域。隨著Uds的不斷增大，pn結(jié)因承受太大的反向電壓而擊穿，Id急劇增加。工作時應(yīng)避免管子工作在擊穿區(qū)。
4.MOS管的導(dǎo)通和關(guān)閉，是不是越快越好？增加緩啟動電流有什么影響？
(1)開關(guān)損耗
通常MOSFET工作于開關(guān)狀態(tài)，在截止區(qū)和完全導(dǎo)通區(qū)之間高頻切換，由于在切換過程中要經(jīng)過線性區(qū)，因此產(chǎn)生開關(guān)損耗。
通常開關(guān)損失比導(dǎo)通損失大得多，而且開關(guān)頻率越快，導(dǎo)通瞬間電壓和電流的乘積很大，造成的損失也就很大。降低開關(guān)時間，可以減小每次導(dǎo)通時的損失；降低開關(guān)頻率，可以減小單位時間內(nèi)的開關(guān)次數(shù)。這兩種辦法都可以減小開關(guān)損失。
(2)緩啟動對電流影響
系統(tǒng)在上電的時候往往意味著電源線插拔，或者開關(guān)的撥動，這種人為的動作在我們看來只是一瞬間（ms級），但是對于機(jī)器來說是一段很長的時間（夠電路開關(guān)機(jī)好幾次了），并且伴隨著不穩(wěn)定（手抖、機(jī)械振動等等），為系統(tǒng)帶來不安定因素，因此我們希望系統(tǒng)在渡過這段時間后在進(jìn)行工作，即延時上電。
為了防止沖擊電流，由于負(fù)載端電容往往都比較大，加上負(fù)載本身的功率損耗，因此在導(dǎo)通的瞬間會從源端吸收很大的電流，而我們電源往往都是有響應(yīng)時間或者是功率上限的，當(dāng)這個電流瞬間增大的時候，對電源來說意味著輸出的功率要提高，當(dāng)電源本身輸出能力還未響應(yīng)過來的時候（可以理解為此時功率不變），輸出電流需要增大，那么相應(yīng)的輸出電壓就只能減小，如果這個電壓減小幅度過大，超過了器件正常工作電壓，那么器件就會停止工作，進(jìn)而導(dǎo)致系統(tǒng)異常。另一方面，沖擊電流過大還可能導(dǎo)致器件損壞。
緩啟電路的直觀作用有兩個：延時電源輸出時間、改變輸出電流上升斜率。
5.MOS管開關(guān)快慢為什么會引起米勒震蕩？米勒震蕩和發(fā)熱問題該如何權(quán)衡？
(1)米勒震蕩
MOS管的等效電路與應(yīng)用電路如下圖所示：
MOS管的輸入與輸出是相位相反，恰好180度，也就是等效于一個反相器，也可以理解為一個反相工作的運放。如下圖所示：
從運放這張圖中，可以一眼看出，這就是一個反相積分電路，當(dāng)輸入電阻較大時，開關(guān)速度比較緩慢，Cgd這顆積分電容影響不明顯，但是當(dāng)開關(guān)速度比較高，而且VDD供電電壓比較高，比如310V下，通過Cgd的電流比較大，強(qiáng)的積分很容易引起振蕩，這個振蕩叫米勒振蕩。 所以Cgd也叫米勒電容，而在MOS管開關(guān)導(dǎo)通或者關(guān)斷的那段時間，也就是積分那段時間，叫米勒平臺。
米勒振蕩的本質(zhì)是因為在高壓和高速開關(guān)下，注意是高壓和高速開關(guān)下，MOS管在高壓高速開關(guān)下，就是一個典型的高增益負(fù)反饋系統(tǒng)，負(fù)反饋特別嚴(yán)重，高增益負(fù)反饋很容易引起振蕩，尤其是反饋還是電容，又引入了相位移動，反饋相位接近270度。
負(fù)反饋180度是穩(wěn)定點，360度是振蕩點，270度處于穩(wěn)定與振蕩點之間，所以強(qiáng)的負(fù)反饋會表現(xiàn)為衰減式振蕩。（通俗的理解：輸入因為有電感和電阻的限流，高壓下反饋突變信號通過電容，因為不平衡引起振蕩。）
相同條件下，低壓下因為負(fù)反饋沒有這么劇烈，所以米勒振蕩會很小，一般高頻電源先用低壓100V測試，波形很好，看不到米勒振蕩，但是到了300V，波形就變差了。
如何避免米勒振蕩：
① 減緩驅(qū)動強(qiáng)度
a.提高M(jìn)OS管G極的輸入串聯(lián)電阻，一般該電阻阻值在1~100歐姆之間，具體值看MOS管的特性和工作頻率，阻值越大，開關(guān)速度越緩。
b.在MOS管GS之間并聯(lián)瓷片電容，一般容量在1nF~10nF附近?？磳嶋H需求。
c.調(diào)節(jié)電阻電容值，提高電阻和電容，降低充放電時間，減緩開關(guān)的邊沿速度，這個方式特別適合于硬開關(guān)電路，消除硬開關(guān)引起的振蕩。
② 加強(qiáng)關(guān)閉能力
a.差異化充放電速度，采用二極管加速放電速度
b.當(dāng)?shù)谝环N方案不足時，關(guān)閉時直接把GS短路
c.當(dāng)?shù)诙N方案不足時，引入負(fù)壓確保關(guān)斷。
③ 增加DS電容
在ZVS軟開關(guān)電路中，比如UC3875移相電路中，MOS管DS之間，往往并聯(lián)無感CBB小電容，一般容量在10nF以內(nèi)，不能太大，有利于米勒振蕩，注意該電容的發(fā)熱量，頻率更高的時候，需要用云母電容。
④ 提高漏極電感方式
a.在漏極串聯(lián)鎳鋅磁珠，提高漏極電感，減緩漏極的電流變化，降低米勒振蕩，這個方案也是改善EMC的方法之一，效果比較明顯，但該方案不適合高頻率強(qiáng)電流的場合，否則該磁珠就發(fā)熱太高而失效。
b.PCB布線時，人為的引入布線電感，增長MOS管漏極、源極的PCB布線長度，比如方案C中，適當(dāng)提高半橋上下MOS管之間的引線，對改善米勒振蕩有很大的影響，但這個需要自身的技術(shù)水平較高，否則容易失敗，此外布線長度提高，需要相應(yīng)的考慮MOS管的耐壓，嚴(yán)重的，需要加MOS管吸收電路。
(2)米勒震蕩與發(fā)熱
開關(guān)慢不容易米勒震蕩，但開關(guān)損耗大，管子發(fā)熱大，開關(guān)速度快理論上開關(guān)損耗低（只要能有效抑制米勒震蕩），但是往往米勒震蕩很厲害（如果米勒震蕩很嚴(yán)重，可能在米勒平臺就燒管子了），反而開關(guān)損耗也大。
所謂開關(guān)損耗是指MOS管在開通和關(guān)斷過程中，電壓和電流不為0，存在功率損耗。
由前述MOS管導(dǎo)通過程可知，開關(guān)損耗主要集中在t1~t3時間段內(nèi)。而米勒平臺時間和MOS管寄生電容Crss成正比，其在MOS管的開關(guān)損耗中所占比例最大，因此米勒電容Crss及所對應(yīng)的Qgd在MOS管的開關(guān)損耗中起主導(dǎo)作用。 因此對于MOS管的選型，不僅需要考慮柵極電荷Qg和柵極電阻Rg，也需要同時考慮Crss(Cgd)的大小，其同時也會在規(guī)格書的上升時間tr和下降時間tf參數(shù)上有間接反映，MOS管的關(guān)鍵參數(shù)如下圖所示： 
MOS管的各種損耗可以通過以下公式近似估算：
開關(guān)損耗：
PSW = 0.5× Vin × Io × (tr + tf) × fSW；
系數(shù)0.5是因為將MOS管導(dǎo)通曲線看成是近似線性，折算成面積功率，系數(shù)就是0.5；Vin是輸入電壓，Io是輸出電流；tr和tf是MOS管的上升時間和下降時間，分別指的是漏源電壓從90%下降到10%和漏源電壓從10%上升到90%的時間，可以近似看作米勒平臺的持續(xù)時間，即上圖中的(t3-t2)。
另外，規(guī)格書中的td(on)和td(off)可以近似看作是Vgs電壓從0開始上升到米勒平臺電壓的時間，即上圖中的t2。
根據(jù)上述的開關(guān)損耗公式可以計算出損耗功率，參照MOS管的功率溫升系數(shù)，可計算出開關(guān)損耗溫度，設(shè)計中保證好合理的開關(guān)損耗溫度即可防止MOS管過熱損壞。
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