直流無刷電機(jī)的數(shù)學(xué)模型是比較復(fù)雜的,網(wǎng)上這方面資料也是比較多的。這里主要簡(jiǎn)單說下這個(gè)硬件基本電路設(shè)計(jì)吧。 以三相無刷電機(jī)為例,見下兩圖: Figure1 一般簡(jiǎn)化的結(jié)構(gòu)圖 這里轉(zhuǎn)子是永久磁體,這里簡(jiǎn)化是一個(gè)極對(duì),實(shí)際上可能會(huì)是2對(duì)或者3對(duì),更多都可能,見下圖。定子是三相繞組均勻分布,ABC三相簡(jiǎn)化為右圖的結(jié)構(gòu)。 Figure2 轉(zhuǎn)子磁體橫截面 Figure3 轉(zhuǎn)子運(yùn)行的磁場(chǎng)受力矢量分析 Figure4 直流無刷電機(jī)的截面
Figure5 MOS驅(qū)動(dòng)電路
D1和C2是一個(gè)自舉電路,為了驅(qū)動(dòng)Q5和Q6,其實(shí)這個(gè)主要是用來驅(qū)動(dòng)Q5。因?yàn)镹MOS的VGS是正電壓驅(qū)動(dòng),Q6的S端是經(jīng)過0.05R到GND1,所以Q6是可以直接被15V驅(qū)動(dòng)到飽和的;Q5的A點(diǎn)驅(qū)動(dòng)前可以假設(shè)是懸空的(也可以認(rèn)為是經(jīng)過電機(jī)的繞組,再經(jīng)過0.05R到GND1,再經(jīng)過0.05R到GND,這樣的一個(gè)回流),看下圖IR2101S內(nèi)部符號(hào)圖,如果加上一個(gè)儲(chǔ)能電容,和一個(gè)二極管,可以理解為是一個(gè)典型的開關(guān)全導(dǎo)通的boost電路,至少保證電容上面的電壓足以驅(qū)動(dòng)Q5的VGS。MOS的GS端可以接上一個(gè)10K電阻,G端可以是再并上一個(gè)快速放電二極管串上一個(gè)33電阻,安規(guī)處理可以再接上一個(gè)穩(wěn)壓管等等。 Figure6 IR2101S內(nèi)部符號(hào)圖 Figure7 電流轉(zhuǎn)換電路 經(jīng)過電流的采樣后,IA * 0.05R得到VA,經(jīng)過差分的走向后,再經(jīng)過同相加法運(yùn)算求解出對(duì)應(yīng)的輸出電壓。VREF為3.3V的一半,1.65V后跟隨器輸出。 見下圖解析,R1、R3、R5和R2、R4、R6是平衡電阻,達(dá)到電路的相互平衡和PCB走線有些共模干擾信號(hào)會(huì)相互抵消,VF1可以使用疊加定理(獨(dú)立電源代入再整合求解),這里以更簡(jiǎn)單方法(高電位-低電位)*電阻比值+低電位,VF1 =(1.65-0.2)*2/12+0.2 = 0.4416V。VF2 = (1+(R5/R1//R2))*VF1=6*0.4416=2.65v。整合簡(jiǎn)易的電路,VF2=[(1.65-0.05IA)/6 + 0.05IA]*6=1.65+(0.25/6)IA的公式。根據(jù)公式當(dāng)電流大的了,VF2的電壓比較大,會(huì)損壞控制芯片引腳,所以這個(gè)電路需要修改的,還有就是在后級(jí)加個(gè)BAV70、BAV99這些保護(hù)器件更好些。 Figure8 電流轉(zhuǎn)換電路仿真(軟件tinati) 下面是無感直接電機(jī)一個(gè)反電動(dòng)勢(shì)的阻值分壓和比較電路。MITTLE為中間電位,不需要過于研究電位實(shí)際大小,基本上確定Vemf>MITTER >0V,足夠比較器比較輸出高和低到MCU。最后兩個(gè)圖是對(duì)應(yīng)的運(yùn)行過程,對(duì)比下就好了,推導(dǎo)一遍,把原理搞定,剩下要搞下軟件和算法。待軟件技術(shù)提高了,后續(xù)相關(guān)篇章再出吧。 Figure9 無感的EMF比較電路 Figure10 無刷電機(jī)運(yùn)行信號(hào)變化過程 Figure11 無刷電機(jī)運(yùn)行信號(hào)變化過程對(duì)應(yīng)的機(jī)械控制 作者:Lgnited |
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