功率晶體苷(BJT)的概念定義

    功率晶體苷(BJT)也叫巨型晶體管(GTR—Giant Transistor)，它是屬于雙極性半導(dǎo)體器件，即二種極性載流子，空穴和電子參與導(dǎo)電的器件，有兩個PN結(jié)，分為PNP型和NPN型，普通晶體管作為電流放大器件使用，但大功率晶體管是使用在飽和區(qū)域作為電力開關(guān)用。
目前國際水平已做到1200V、800A、開關(guān)時間5μs、開關(guān)頻率達(dá)數(shù)百千赫茲。為減少基極驅(qū)動功率接成達(dá)林頓電路，在不斷地提高電壓水平，增大電流，減小開關(guān)時間，并裝配成模塊化，提高其可靠性和使用更方便。

BJT的主要參數(shù)

1.一次擊穿電壓(Break down voltages〉是指發(fā)射極與集電極之間反向擊穿電壓。圖1-26為4種基極接線方式，其中將基射接成反向偏置時的一次擊穿電壓用UCEV(有的文獻(xiàn)資料用UCEX表示，是四種接線方式中一次擊穿電壓最高的，所以采用這種方式較多，可提高管子截止時的耐壓能力。

2.電流最大定額
         Ie——集電極持續(xù)電流（直流）；
        Icm——集電極峰值電流(重復(fù))； 
 

功率晶體苷(BJT)的概念定義-圖片1
 

圖1-26 NPN晶體管一次擊穿特性

功率晶體苷(BJT)的概念定義-圖片2
 
圖 1-27 TC與二次擊穿電流、管耗散功率定額關(guān)系曲線

Icms——集電極峰值電流(不重復(fù)）；
IB——基極持續(xù)電流(直流）；
1BM——基極峰值電流。

3.耗散功率PD(—般規(guī)定在管殼溫度Tc = 25°C時）如果Tc比25°C高，二次擊穿電流和管子耗散功率定額要相應(yīng)減小，圖1-27給出Tc與二次擊穿電流和管子耗散功率定額減小系數(shù)關(guān)系。